一直不理解的是:
畫PCB時要求間距1mm/100V,或者根據(jù)安規(guī)上電氣間隙,爬電距離要求,
但幾乎所有MOS都不滿足這個規(guī)定,比如一些插件的MOS管,
如Microsemi的1200VMOS APT4F120K 其封裝是TO-220,腳中心距是2.54mm,邊距大約有1.5mm,
封裝的邊距不到1mm,怎么可能承受1200V耐壓??
如果這個是可以承受的,那么我們畫PCB所遵守的規(guī)則是不是有很大的擴(kuò)展空間?
請指教,非常感謝。
一直不理解的是:
畫PCB時要求間距1mm/100V,或者根據(jù)安規(guī)上電氣間隙,爬電距離要求,
但幾乎所有MOS都不滿足這個規(guī)定,比如一些插件的MOS管,
如Microsemi的1200VMOS APT4F120K 其封裝是TO-220,腳中心距是2.54mm,邊距大約有1.5mm,
封裝的邊距不到1mm,怎么可能承受1200V耐壓??
如果這個是可以承受的,那么我們畫PCB所遵守的規(guī)則是不是有很大的擴(kuò)展空間?
請指教,非常感謝。