這兩個(gè)RCD吸收電路 ，為什么二極管與電容放的位置不一樣啊，有什么區(qū)別嗎?
新人求解這兩種RCD電路有什么區(qū)別？
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完蛋了, 這帖這麼久沒人回.....
如圖:
上圖, 當(dāng)開關(guān)ON 時(shí), 電流流過變壓器同時(shí)也對(duì)C充電, 此時(shí)VC=VL, 當(dāng)開關(guān)Off後, 變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL, 其極性與VC
相反, 因此透過D將兩個(gè)電荷抵銷, 使VC=0 , VL=0
另一個(gè):
這兩種Snubber 上一接法不管開關(guān)ON或OFF都有損耗, 但其吸收效果非常好, 所以大多用在大功率電源上
下一接法其損耗較低, 但吸收效果略差, 通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當(dāng)開關(guān)ON時(shí),電流流過變壓器同時(shí)也對(duì)C充電,此時(shí)VC=VL,當(dāng)開關(guān)Off後,變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個(gè)電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個(gè):[圖片]當(dāng)?shù)谝恢芷溟_關(guān)導(dǎo)通時(shí),電流只流過變壓器,並不會(huì)對(duì)C充電,當(dāng)開關(guān)Off時(shí),變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,此時(shí)透過D為順向?qū)充得依個(gè)VC電壓,當(dāng)開關(guān)在次導(dǎo)通後,VC則藉由R對(duì)其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關(guān)ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
分析的太好了，學(xué)習(xí)了。
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當(dāng)開關(guān)ON時(shí),電流流過變壓器同時(shí)也對(duì)C充電,此時(shí)VC=VL,當(dāng)開關(guān)Off後,變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個(gè)電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個(gè):[圖片]當(dāng)?shù)谝恢芷溟_關(guān)導(dǎo)通時(shí),電流只流過變壓器,並不會(huì)對(duì)C充電,當(dāng)開關(guān)Off時(shí),變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,此時(shí)透過D為順向?qū)充得依個(gè)VC電壓,當(dāng)開關(guān)在次導(dǎo)通後,VC則藉由R對(duì)其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關(guān)ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
為什么說第一個(gè)的吸收效果好于第二個(gè)？
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@gaohq
為什么說第一個(gè)的吸收效果好于第二個(gè)？
第一個(gè), MOSFET_ON時(shí), 電容就充電, 所以VC=VL
MOSFET_OFF時(shí), 變壓器原邊產(chǎn)生一個(gè)-VL, 所以電容是以二極體搭橋, 以VC-VL型態(tài)放電
=========================================================
第二個(gè)當(dāng)MOSFET_ON時(shí), 電容不充電
當(dāng)MOSFET_OFF時(shí), 電容才充電
當(dāng)MOSFET再次ON時(shí), 電容RC放電常數(shù)必須小於Ton時(shí)間常數(shù), 若RC放電常數(shù)大於Ton
那麼電容由於沒有清空能量, 所以下一次OFF時(shí)吸收力就差....
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@juntion
第一個(gè),MOSFET_ON時(shí),電容就充電,所以VC=VL MOSFET_OFF時(shí),變壓器原邊產(chǎn)生一個(gè)-VL,所以電容是以二極體搭橋,以VC-VL型態(tài)放電=========================================================第二個(gè)當(dāng)MOSFET_ON時(shí),電容不充電 當(dāng)MOSFET_OFF時(shí),電容才充電 當(dāng)MOSFET再次ON時(shí),電容RC放電常數(shù)必須小於Ton時(shí)間常數(shù),若RC放電常數(shù)大於Ton 那麼電容由於沒有清空能量,所以下一次OFF時(shí)吸收力就差....
明白了，謝謝！
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@juntion
完蛋了,這帖這麼久沒人回.....如圖:[圖片]上圖,當(dāng)開關(guān)ON時(shí),電流流過變壓器同時(shí)也對(duì)C充電,此時(shí)VC=VL,當(dāng)開關(guān)Off後,變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,其極性與VC相反,因此透過D將兩個(gè)電荷抵銷,使VC=0,VL=0另一個(gè):[圖片]當(dāng)?shù)谝恢芷溟_關(guān)導(dǎo)通時(shí),電流只流過變壓器,並不會(huì)對(duì)C充電,當(dāng)開關(guān)Off時(shí),變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL,此時(shí)透過D為順向?qū)充得依個(gè)VC電壓,當(dāng)開關(guān)在次導(dǎo)通後,VC則藉由R對(duì)其放電直到VC=0這兩種Snubber上一接法不管開關(guān)ON或OFF都有損耗,但其吸收效果非常好,所以大多用在大功率電源上下一接法其損耗較低,但吸收效果略差,通常用在小功率尤其需要空載損耗低的要求上.....
您好!關(guān)於第一個(gè)分析的部分我有一個(gè)地方不太了解，就是開關(guān)off時(shí)，變壓器產(chǎn)生一個(gè)-VL，在圖上的極性為上-下+，Vc的極性為上+下-，這樣Vc透過二極體與VL相接時(shí)不應(yīng)該是相加在一起嗎?為何是說抵銷呢?
麻煩您幫我解惑，謝謝!!
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