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POE電源電路占空比變化太大調(diào)整不好。

按照原理圖做了一個(gè)30W的POE供電電源,變壓器用的是購買的30W的demo板上拆卸的(都是正激式變壓器,自己繞制的還沒到貨)。通電調(diào)試過程中發(fā)現(xiàn)帶載0.7A時(shí),占空比已經(jīng)達(dá)到50%,再增加負(fù)載電流輸出電壓快速下降,驅(qū)動(dòng)脈沖發(fā)生震蕩。調(diào)整光耦合傳輸比效果不明顯,不知道問題在什么地方。

捕獲2

                   這是原理圖

 

捕獲1

                       這個(gè)原理不是很明白,其中的雙施密特反相器加N-MOS起到什么作用,還望指點(diǎn)下。

 

IMG_20180131_100358

    這是M1漏極端波形與帶載情況

IMG_20180131_100453

    這是M1柵極驅(qū)動(dòng)脈沖波形與帶載情況

 

 

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2018-01-31 10:41
可能變壓器匝比偏小,或者環(huán)路沒調(diào)好。
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wjw7680
LV.1
3
2018-01-31 10:53
@ymyangyong
可能變壓器匝比偏小,或者環(huán)路沒調(diào)好。

變壓器用的是成品demo板上的。應(yīng)該沒問題吧?,F(xiàn)在帶載問題通過參數(shù)調(diào)整稍微好了點(diǎn),但帶載1A后出現(xiàn)D4(RS1M)冒煙燒毀問題,并且接連功率MOS與主芯片一起燒毀。MOS漏極峰峰值電壓只有120V,RS1M耐壓1KV/1A怎么會(huì)這樣,有點(diǎn)迷糊。

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2018-01-31 11:13
@wjw7680
變壓器用的是成品demo板上的。應(yīng)該沒問題吧?,F(xiàn)在帶載問題通過參數(shù)調(diào)整稍微好了點(diǎn),但帶載1A后出現(xiàn)D4(RS1M)冒煙燒毀問題,并且接連功率MOS與主芯片一起燒毀。MOS漏極峰峰值電壓只有120V,RS1M耐壓1KV/1A怎么會(huì)這樣,有點(diǎn)迷糊。
D4都燒了,說明漏感有點(diǎn)大。
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2018-01-31 11:26

你那波型是正激, 但是正激需要一組消磁線圈, 在原理圖上看不到, 但是POE不會(huì)用正激, 應(yīng)該是以反激方式做

因?yàn)殡妷汗?fàn)圍是30V - 56V, 正激做不到, 主要是佔(zhàn)空比變大...

你是著原圖改為反激看看......

另外觸發(fā)電路有點(diǎn)怪, 電壓施加後M2已經(jīng)藉由D10施加偏壓, 所以M2導(dǎo)通, M2導(dǎo)通則R35,R36並聯(lián).....

R35,R36只要並聯(lián), 那麼A1輸入為LOW, 輸出為High, A2則輸入High , 輸出為Low, 透過C28反饋, 則A1,A2處於

穩(wěn)態(tài), A2輸出固定於Low, 則M2不導(dǎo)通, 不知道你的觸發(fā)源從哪來?

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wjw7680
LV.1
6
2018-01-31 11:49
@juntion
你那波型是正激,但是正激需要一組消磁線圈,在原理圖上看不到,但是POE不會(huì)用正激,應(yīng)該是以反激方式做因?yàn)殡妷汗?fàn)圍是30V-56V,正激做不到,主要是佔(zhàn)空比變大...你是著原圖改為反激看看......另外觸發(fā)電路有點(diǎn)怪,電壓施加後M2已經(jīng)藉由D10施加偏壓,所以M2導(dǎo)通,M2導(dǎo)通則R35,R36並聯(lián).....R35,R36只要並聯(lián),那麼A1輸入為LOW,輸出為High,A2則輸入High,輸出為Low,透過C28反饋,則A1,A2處於穩(wěn)態(tài),A2輸出固定於Low,則M2不導(dǎo)通, 不知道你的觸發(fā)源從哪來?
實(shí)在不好意思,D10畫反了。說實(shí)在的,這個(gè)觸發(fā)電路是從demo板上剝下來的,具體原理搞不懂還請賜教與我。另外購買的demo板與下載的芯片手冊都是做的正激式,所以我也做了正激式。

 

 

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2018-01-31 12:00
@wjw7680
實(shí)在不好意思,D10畫反了[圖片]。說實(shí)在的,這個(gè)觸發(fā)電路是從demo板上剝下來的,具體原理搞不懂還請賜教與我。另外購買的demo板與下載的芯片手冊都是做的正激式,所以我也做了正激式。[圖片]  

如果D10反了那就對了, 送電初期, A2輸出為High, 這個(gè)High信號(hào)藉由C28反饋, 造成High延遲, 此時(shí)M2導(dǎo)通, 

將R35,R36並聯(lián), 則輸出保持Low, 也就是送電初期會(huì)有一個(gè)短暫High信號(hào), 再來就一直保持Low.....

另外, 你的Demo電路為有源Active Clamp正激電路, 單純使用正激必須在變壓器增加消磁線圈, 要不變壓器會(huì)飽和掉....

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wjw7680
LV.1
8
2018-01-31 13:11
@juntion
如果D10反了那就對了,送電初期,A2輸出為High,這個(gè)High信號(hào)藉由C28反饋,造成High延遲,此時(shí)M2導(dǎo)通, 將R35,R36並聯(lián),則輸出保持Low,也就是送電初期會(huì)有一個(gè)短暫High信號(hào),再來就一直保持Low.....另外,你的Demo電路為有源ActiveClamp正激電路,單純使用正激必須在變壓器增加消磁線圈,要不變壓器會(huì)飽和掉....
這么分析這個(gè)觸發(fā)電路應(yīng)該是個(gè)軟啟動(dòng)電路,不知道這么理解可否。另外正激式變壓器一定要有消磁線圈嗎?采用RC消磁復(fù)位電路應(yīng)該也可以吧,還可以節(jié)省個(gè)繞組。另外RC消磁復(fù)位電路還可以把占空比做到大于50%,看到壇子里有人這么說,我這個(gè)電路也這么做了?,F(xiàn)在還沒成功,不知道后面結(jié)果如果?,F(xiàn)在遇到的主要問題還是燒RS1M,消磁的問題還沒顯現(xiàn),挺撓頭的這個(gè)問題。
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wjw7680
LV.1
9
2018-01-31 14:00
@ymyangyong
D4都燒了,說明漏感有點(diǎn)大。

這個(gè)變壓器原邊感量220uH,付邊120uH。短路付邊后電橋顯示原邊感量10u不到,漏感應(yīng)該還可以?,F(xiàn)在燒RS1M,帶載情況下不管重載還是輕載只要輸入電壓低于一定值40V(POE輸入30w規(guī)定:42.5~57V),波形開始震蕩,RS1M冒煙。搞不清究竟是過流還是過壓問題,如果是過壓的話RS1M兩端峰峰值撐死了只有150V,那么只能是過流的可能性較大了。

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2018-01-31 17:24
@wjw7680
這么分析這個(gè)觸發(fā)電路應(yīng)該是個(gè)軟啟動(dòng)電路,不知道這么理解可否。另外正激式變壓器一定要有消磁線圈嗎?采用RC消磁復(fù)位電路應(yīng)該也可以吧,還可以節(jié)省個(gè)繞組。另外RC消磁復(fù)位電路還可以把占空比做到大于50%,看到壇子里有人這么說,我這個(gè)電路也這么做了?,F(xiàn)在還沒成功,不知道后面結(jié)果如果?,F(xiàn)在遇到的主要問題還是燒RS1M,消磁的問題還沒顯現(xiàn),挺撓頭的這個(gè)問題。

那電路是不是緩起, 不得而知, 但兩個(gè)反向器是可以組成一個(gè)震盪器,現(xiàn)在電路就看你輸入與輸出的點(diǎn), 但.....從A1輸入

把阻抗降低, 則一定振不起來......

另外, 正激若不加消磁, 是可以使用RDC來抑制, 但是抑制方法

 必須使用如上RDC電路, 且R要小, C值要很大, 主要是要把Mos Off後的反射電壓(半正弦)壓平, 此時(shí)R會(huì)非常燙, 且週期接近50%時(shí)會(huì)發(fā)散, 所以也有用這方法

上面方式少了電阻損耗, 不會(huì)熱, 它是利用電感將反射電壓往VCC放, 但是同樣接近50%時(shí)會(huì)發(fā)散, 且開關(guān)機(jī)時(shí)VDS會(huì)有幾個(gè)週期往上衝...

所以你RS1M會(huì)燒是很正常, 因?yàn)榻渝e(cuò)方式, 你那RDC方式是用在反激式, 用在正激則反射電壓越高, Diode死的更快.....

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