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管子irfb4227的驅(qū)動(dòng)電路分析

微信圖片_20180115201001 

      請(qǐng)問(wèn)各位大神，為啥驅(qū)動(dòng)電路要串一個(gè)電容和穩(wěn)壓管？圖中紅色圓圈部分。這個(gè)是管子irfb4227的驅(qū)動(dòng)電路，上面驅(qū)動(dòng)電路比下面驅(qū)動(dòng)電路多串了一個(gè)電容和穩(wěn)壓管，上面和下面后級(jí)驅(qū)動(dòng)的管子是一樣的。上下波形以互補(bǔ)的方式輸出，中間的死區(qū)時(shí)間大概是80ns。

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weixiu123
LV.1
2
2018-01-16 09:18
等待大神來(lái)回答
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2018-01-16 10:31
恭喜被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫(kù)，并獲得1積分
http://www.zjkrx.cn/bbs/classic/
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001study
LV.4
4
2018-01-16 10:49
@weixiu123
等待大神來(lái)回答
是挺奇怪的做法，使用了獨(dú)立的供電并沒(méi)用自舉，圖紙測(cè)繪錯(cuò)了？
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2018-01-16 20:53
圖中紅色圓圈部分是給irfb4227提供負(fù)壓，當(dāng)H0有驅(qū)動(dòng)輸出時(shí)N管導(dǎo)通時(shí)電容充電，左正右負(fù)，穩(wěn)壓管限壓。當(dāng)N管截止P管導(dǎo)通時(shí)，電容的負(fù)壓加在管子irfb4227上
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ssp3118
LV.1
6
2018-01-17 18:19
@ouyang2253
圖中紅色圓圈部分是給irfb4227提供負(fù)壓，當(dāng)H0有驅(qū)動(dòng)輸出時(shí)N管導(dǎo)通時(shí)電容充電，左正右負(fù)，穩(wěn)壓管限壓。當(dāng)N管截止P管導(dǎo)通時(shí)，電容的負(fù)壓加在管子irfb4227上
請(qǐng)問(wèn)，提供負(fù)壓有什么用？為什么下路的不用，需要我測(cè)試什么波形數(shù)據(jù)嗎？
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ssp3118
LV.1
7
2018-01-17 18:24
@001study
是挺奇怪的做法，使用了獨(dú)立的供電并沒(méi)用自舉，圖紙測(cè)繪錯(cuò)了？
圖紙應(yīng)該沒(méi)錯(cuò)的，就是這樣畫(huà)的。
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2018-01-18 21:04

電容用來(lái)保護(hù)驅(qū)動(dòng)線路的，驅(qū)動(dòng)輸出高電壓時(shí)通過(guò)C80為驅(qū)動(dòng)管提供Mosfet結(jié)電容充電電流，同時(shí)亦為C80充電，如遇到異常大電流，C80充滿后驅(qū)動(dòng)線便不提供電流給MOSFET起來(lái)限功率的作用。

驅(qū)動(dòng)輸出低電壓時(shí)，Q30是快速放電管，快速為C80 及Mosfet結(jié)電容放電

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001study
LV.4
9
2018-01-19 12:26
@solongzeng
電容用來(lái)保護(hù)驅(qū)動(dòng)線路的，驅(qū)動(dòng)輸出高電壓時(shí)通過(guò)C80為驅(qū)動(dòng)管提供Mosfet結(jié)電容充電電流，同時(shí)亦為C80充電，如遇到異常大電流，C80充滿后驅(qū)動(dòng)線便不提供電流給MOSFET起來(lái)限功率的作用。驅(qū)動(dòng)輸出低電壓時(shí)，Q30是快速放電管，快速為C80及Mosfet結(jié)電容放電
很怪異的用法
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2018-01-19 14:43
@001study
很怪異的用法

這沒(méi)有啥好奇怪, 早期IGBT需要加速關(guān)斷時(shí), 就必須使用負(fù)壓加速關(guān)斷, 當(dāng)砷化鎵場(chǎng)管問(wèn)世, 負(fù)壓使用更是需要, 上述為其中一種, 另一種為上下管驅(qū)動(dòng)獨(dú)立供電, 再利用二極體箝位一個(gè)負(fù)壓於P晶體上作為OFF加速, 且上下都要, 這時(shí)操作頻率可以上到200K以上.....

即使現(xiàn)在使用SIC元件, 很多工程師還是會(huì)利用負(fù)壓加速, 因?yàn)椴还苌榛壔蛱蓟? 都是標(biāo)準(zhǔn)MOS_PN結(jié)的架構(gòu)

只有一種不需要, 那叫"CasCode" 結(jié)構(gòu).......

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001study
LV.4
11
2018-01-19 14:49
@juntion
這沒(méi)有啥好奇怪,早期IGBT需要加速關(guān)斷時(shí),就必須使用負(fù)壓加速關(guān)斷,當(dāng)砷化鎵場(chǎng)管問(wèn)世,負(fù)壓使用更是需要,上述為其中一種,另一種為上下管驅(qū)動(dòng)獨(dú)立供電,再利用二極體箝位一個(gè)負(fù)壓於P晶體上作為OFF加速,且上下都要,這時(shí)操作頻率可以上到200K以上.....即使現(xiàn)在使用SIC元件,很多工程師還是會(huì)利用負(fù)壓加速,因?yàn)椴还苌榛壔蛱蓟?都是標(biāo)準(zhǔn)MOS_PN結(jié)的架構(gòu)只有一種不需要,那叫"CasCode"結(jié)構(gòu).......
原來(lái)如此，還沒(méi)怎么折騰IGBT
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