如下面兩張圖,我是saber仿真原理圖和仿真圖,我想設(shè)計(jì)的是輸入12V,輸出24V,仿真圖里面輸出只有12.418V,tl494的鋸齒波正常,輸出占空比看的是一個(gè)片段。494的兩個(gè)誤差放大器,其中一個(gè)是電壓反饋,另一個(gè)本來(lái)應(yīng)該是電流檢測(cè)吧,我不會(huì)用就沒(méi)有用這一部分。這個(gè)電路問(wèn)題在哪,怎么仿真都沒(méi)通過(guò),順便一提,仿真都通過(guò)不了,焊出來(lái)是不是肯定不行,圖片如下:
tl494升壓電路
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你這不用仿真, 用看的就知道不行了, 這要焊板上去肯定電晶體可以拿來(lái)煎蛋.....
把所有494器件都不看, 單看q_3p電晶體, 當(dāng)Low Active 時(shí), 電晶體可以導(dǎo)通, 電流通過(guò)電感, 電晶體E_C落地
, 此時(shí)能量?jī)?chǔ)存於電感上, 當(dāng)High Active 時(shí), 電晶體_B是接於12V, 然後電晶體E接於Vi+VL點(diǎn), 此時(shí), 電晶體E電壓
又高於B, 那E_C又導(dǎo)通, 不必494來(lái)推自己就通了不是? 所以你的電壓被箝位在
VL = Ib * 10K+ Vbe 的點(diǎn), 換成NPN吧, 升壓還第一次看到用PNP的.......
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@juntion
你這不用仿真,用看的就知道不行了,這要焊板上去肯定電晶體可以拿來(lái)煎蛋.....把所有494器件都不看,單看q_3p電晶體, 當(dāng)LowActive時(shí),電晶體可以導(dǎo)通,電流通過(guò)電感,電晶體E_C落地,此時(shí)能量?jī)?chǔ)存於電感上,當(dāng)HighActive時(shí),電晶體_B是接於12V,然後電晶體E接於Vi+VL點(diǎn),此時(shí),電晶體E電壓又高於B,那E_C又導(dǎo)通,不必494來(lái)推自己就通了不是?所以你的電壓被箝位在VL=Ib*10K+Vbe的點(diǎn),換成NPN吧,升壓還第一次看到用PNP的.......
好的,謝謝
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@juntion
你這不用仿真,用看的就知道不行了,這要焊板上去肯定電晶體可以拿來(lái)煎蛋.....把所有494器件都不看,單看q_3p電晶體, 當(dāng)LowActive時(shí),電晶體可以導(dǎo)通,電流通過(guò)電感,電晶體E_C落地,此時(shí)能量?jī)?chǔ)存於電感上,當(dāng)HighActive時(shí),電晶體_B是接於12V,然後電晶體E接於Vi+VL點(diǎn),此時(shí),電晶體E電壓又高於B,那E_C又導(dǎo)通,不必494來(lái)推自己就通了不是?所以你的電壓被箝位在VL=Ib*10K+Vbe的點(diǎn),換成NPN吧,升壓還第一次看到用PNP的.......
開(kāi)關(guān)管建議用NMOS,看下http://www.zjkrx.cn/bbs/1542828.html。
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