請教:mosfet的內(nèi)部電流流向到底是怎樣的?
“體二極管”又是什么意思?
是不是mosfet內(nèi)部都有“體二極管”?
請高手幫忙解釋一下
查了好多資料都沒有準確的解釋阿
先謝謝了:)
請教:mosfet的電流到底是怎么流的呢?
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您的意思是不是,在開關(guān)管導(dǎo)通的情況下才能電流雙向流動,而關(guān)斷的情況下則不能,是這樣嗎??

源極跨在兩個半導(dǎo)體區(qū)上,N型管箭頭向左,表示載流子電子從源極出發(fā)EP
型管箭頭向右表示載流子空穴從源極出發(fā).無論哪一型管子都是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電(雙極
型晶體管是包含少數(shù)載流子導(dǎo)電的),不存在少于導(dǎo)電和多余載流子復(fù)合表現(xiàn)出來的存儲時
間,因此,動作快,頻率高,不存在二次擊穿.在有限管子直接并聯(lián)時,由于具有正溫度系數(shù).可
以自動均衡電流(雙極型晶體管則是具有負溫度系數(shù)、所以并聯(lián)要采取均流措施),不會產(chǎn)生過
熱點.這些都是MOSFET管的優(yōu)點
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您的意思是不是,在開關(guān)管導(dǎo)通的情況下才能電流雙向流動,而關(guān)斷的情況下則不能,是這樣嗎??
是的.
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109039572.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

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@ken21cn
是的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖,點擊可放大。\n按住CTRL,滾動鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/26/1109039572.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">
關(guān)于體二極管的問題倒是清楚了
但是電流的流向還是有點糊涂
是不是在gs有正壓時ds之間的電流是可以不通過體二極管而實現(xiàn)雙向流動?
但是電流的流向還是有點糊涂
是不是在gs有正壓時ds之間的電流是可以不通過體二極管而實現(xiàn)雙向流動?
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@jianaways
關(guān)于體二極管的問題倒是清楚了但是電流的流向還是有點糊涂是不是在gs有正壓時ds之間的電流是可以不通過體二極管而實現(xiàn)雙向流動?

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@jianaways
關(guān)于體二極管的問題倒是清楚了但是電流的流向還是有點糊涂是不是在gs有正壓時ds之間的電流是可以不通過體二極管而實現(xiàn)雙向流動?
由于源極金屆電極短路了N+區(qū)和P區(qū),因此源極與調(diào)極形成了寄生的二極管.這就是
與MOSFET管反并聯(lián)的二極管,稱體內(nèi)二極管.可提供開關(guān)電源感性線圈無功電流通路.所以,當(dāng)源極電位高于漏極時,這個二極管導(dǎo)通.但在諧振式開關(guān)電源中不能使用,需要另并超快速二極管.它的正向壓降Vf為1伏左右.
體內(nèi)二極管在關(guān)斷過程中與一班二極管一樣存在反向恢復(fù)電流.此時,二極管一方面承
受著路一源極間急劇上升的電壓,另一方面又有反向恢復(fù)電流流過,并右可能注入寄生二極管
的基極中.使基區(qū)具有更多的過剩載流子,變小的集電極導(dǎo)電區(qū)承受過大電流
可能形成類似二次擊穿的過熱點.
所以在關(guān)斷時,調(diào)一源極問加的電壓變化率守,在
能性必須充分注意到,因為它使安全工作區(qū)縮小了.
極管上引起反向恢復(fù)電流變大的可
與MOSFET管反并聯(lián)的二極管,稱體內(nèi)二極管.可提供開關(guān)電源感性線圈無功電流通路.所以,當(dāng)源極電位高于漏極時,這個二極管導(dǎo)通.但在諧振式開關(guān)電源中不能使用,需要另并超快速二極管.它的正向壓降Vf為1伏左右.
體內(nèi)二極管在關(guān)斷過程中與一班二極管一樣存在反向恢復(fù)電流.此時,二極管一方面承
受著路一源極間急劇上升的電壓,另一方面又有反向恢復(fù)電流流過,并右可能注入寄生二極管
的基極中.使基區(qū)具有更多的過剩載流子,變小的集電極導(dǎo)電區(qū)承受過大電流
可能形成類似二次擊穿的過熱點.
所以在關(guān)斷時,調(diào)一源極問加的電壓變化率守,在
能性必須充分注意到,因為它使安全工作區(qū)縮小了.
極管上引起反向恢復(fù)電流變大的可
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@xyx911
由于源極金屆電極短路了N+區(qū)和P區(qū),因此源極與調(diào)極形成了寄生的二極管.這就是與MOSFET管反并聯(lián)的二極管,稱體內(nèi)二極管.可提供開關(guān)電源感性線圈無功電流通路.所以,當(dāng)源極電位高于漏極時,這個二極管導(dǎo)通.但在諧振式開關(guān)電源中不能使用,需要另并超快速二極管.它的正向壓降Vf為1伏左右. 體內(nèi)二極管在關(guān)斷過程中與一班二極管一樣存在反向恢復(fù)電流.此時,二極管一方面承受著路一源極間急劇上升的電壓,另一方面又有反向恢復(fù)電流流過,并右可能注入寄生二極管的基極中.使基區(qū)具有更多的過剩載流子,變小的集電極導(dǎo)電區(qū)承受過大電流可能形成類似二次擊穿的過熱點. 所以在關(guān)斷時,調(diào)一源極問加的電壓變化率守,在能性必須充分注意到,因為它使安全工作區(qū)縮小了.極管上引起反向恢復(fù)電流變大的可
可以把上面的文字在整理一下嗎,有的地方看不太明白!謝謝!
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@細節(jié)決定成敗
可以把上面的文字在整理一下嗎,有的地方看不太明白!謝謝!
由于源極金屆電極短路了N+區(qū)和P區(qū),因此源極與調(diào)極形成了寄生的二極管.這就是與MOSFET管反并聯(lián)的二極管,稱體內(nèi)二極管.可提供開關(guān)電源感性線圈無功電流通路.所以,當(dāng)源極電位高于漏極時,這個二極管導(dǎo)通.但在諧振式開關(guān)電源中不能使用,需要另并超快速二極管.它的正向壓降Vf為1伏左右.
體內(nèi)二極管在關(guān)斷過程中與一般二極管一樣存在反向恢復(fù)電流.此時,二極管一方面承受著漏-源極間急劇上升的電壓,另一方面又有反向恢復(fù)電流流過,并有可能注入寄生三極管的基極中.使基區(qū)具有更多的過剩載流,變小的集電極導(dǎo)電區(qū)承受過大電流可能形成類似二次擊穿的過熱點.
所以在關(guān)斷時,漏一源極間加的電壓變化率DVds/Dt,在二極管上引起反向恢復(fù)電流變大的可能性必須充分注意到,因為它使安全工作區(qū)縮小了.
體內(nèi)二極管在關(guān)斷過程中與一般二極管一樣存在反向恢復(fù)電流.此時,二極管一方面承受著漏-源極間急劇上升的電壓,另一方面又有反向恢復(fù)電流流過,并有可能注入寄生三極管的基極中.使基區(qū)具有更多的過剩載流,變小的集電極導(dǎo)電區(qū)承受過大電流可能形成類似二次擊穿的過熱點.
所以在關(guān)斷時,漏一源極間加的電壓變化率DVds/Dt,在二極管上引起反向恢復(fù)電流變大的可能性必須充分注意到,因為它使安全工作區(qū)縮小了.
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