設計指標:
1、 輸入電壓:AC86~265V  50/60HZ
2、 輸出電壓:+—15V/1.5A    +—5V/2A
3、 輸出紋波:+—15V小于200mv   +—5V小于100mv
4、 拓撲模式:反激

輸出總功率:Po=30*1.5+10*2=65W
                Pin=65/0.8=81.25

DC:Uin(min)=86*1.414=122V
    Uin(max)=265*1.414=375v

輸入平均電流:
Iin(min)= 81.25/375=0.22A
Iin(MAX)= 81.25/122=0.67A

峰值電流:IP=5.5*65/122=2.93A

磁芯為EER28-28
0.9359 Ap 82.10 Ae 114.00 Aw 2870.00 ( nH/N2 )AL 64.00 Le 5257.00 Ve 28.00 Wt 2.3 PCL 100kHz 200mT

初級電感最小值:
LPri= Uin(min).D/IPf=122*0.5/2.93*100000=208uH

一次繞組匝數(shù):
NPri=1000*根號LPri/ AL   =?怎樣計算,可以這樣計算嗎,謝謝
Nsee= NPri(VO+VD)*(1-D)/ Uin(min)*D
希望能夠指點一下小弟,提供一些比較簡單的計算公式,謝謝!

D是占空比