什么拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)啊 變壓器大小啊  等等一些你都沒講  不好分析的哦

不好意思!變壓器為:PQ32/30,雙管反激式!

你要確定是銅損還是鐵損   如果是前者就加大線經(jīng)   如果是后者就加大圈數(shù)

適度減少變壓器匝數(shù)(頻率不變,銅損會(huì)減小,鐵損會(huì)增加),同時(shí)將開關(guān)管或次級(jí)整流管的散熱片延伸到變壓器啊(注意控制好爬電距離)..

加大匝比,是否可以將溫度控制下來?

如果可以,降低頻率,溫度會(huì)有很明顯的改善

整個(gè)效率有多高!MOSFET型號(hào),是否散熱器足夠．

FULL LOAD時(shí)的效率是87%,MOS是18A/500V兩顆,RDS=0.32MAX,散熱片已加至最大了!

參數(shù)可以了,塑殼的?注意要開孔對(duì)流!

是塑料殼的,3mm厚,現(xiàn)打算加大匝比,將DMAX由0.47改為0.5,將原來的Bmax:1750G改為1200G,變壓器NP由42匝加至49匝,F由100KHZ改為120KHZ,電感由420UH改為365UH,NP的線徑由0.25*5改為0.45*2,不知這樣更改溫度會(huì)不會(huì)降低?

怎么沒有人來?

頻率越高會(huì)越差．

請(qǐng)問為什么頻率越高會(huì)越差?我看很多資料上都說頻率高功耗會(huì)小,效率會(huì)高點(diǎn)的啊.

磁損及MOSFET損耗都會(huì)增加,你在原機(jī)上將頻率提高和降低看看就明白了．

100K已經(jīng)夠高的啦,再高的話,開關(guān)損耗,鐵損都會(huì)比較大.你現(xiàn)在是變壓器熱,可以考慮是變壓器總的損耗降至最低,核算一下,頻率增加后變壓器的總損耗減少了嗎?
  還有就是散熱條件很重要,如果散熱條件很差(比如說外殼比較小),要做到搞效率是比較難的.沒有PFC的話,87%的效率是否低了點(diǎn)啊.也許比較合適的公所頻率在60-80K左右.個(gè)人意見,僅供參考.

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下午我公司會(huì)與你聯(lián)絡(luò)

請(qǐng)問效率一般要做到多少合適?

剛試了一下,將頻率降低為65KHZ,LP改為680UH,NP:42匝,NS:5匝,溫度和100KHZ以前一樣!請(qǐng)高人指點(diǎn)

我們這邊現(xiàn)在做19v/6.3a在90的時(shí)候有87%

你可以考慮降初級(jí)MOSFET或次級(jí)FECTIFIER的散熱片延伸到變壓器上做能卻用途啊,特別是對(duì)于PQ,RM型變壓器的溫升可以有較大幫助.前途書散熱片不能太小啊.

個(gè)人感覺也許可以達(dá)到效率88%——89%,而且可以通過FCC測(cè)試.

反射電壓為約220V,是嗎?
你的初級(jí)匝數(shù)是怎樣算的?我覺得似乎因該是70匝左右啊.

是的,初級(jí)匝數(shù)如果是70匝,則Bmax太小了,銅損太大,且70匝用PQ32/30也做不下!

搞定沒?繞組結(jié)構(gòu)是怎樣的?是否可以優(yōu)化!

沒有!其溫度仍較高!

你的塑殼到底有多大?個(gè)人覺得是熱量累積造成的,還是考慮加強(qiáng)熱通過塑殼輻射或加孔對(duì)流．

LP提高到900UH,應(yīng)該會(huì)好點(diǎn)．

我試過.因頻率較高,LP提高后會(huì)開不起機(jī),會(huì)飽和,使OPP保護(hù),我在開蓋后老化溫度也只有70度,環(huán)境溫度為25度!