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UCC3818的芯片實(shí)際應(yīng)用

幾天前接了項(xiàng)目,經(jīng)上司推薦,采用UCC3818DW做APFC控制芯片.由于系統(tǒng)工作環(huán)境比較惡劣,為使工作穩(wěn)定,所以深入地對這個(gè)芯片了解了一下.
  
          UCC3818內(nèi)部框圖
  
           UCC3854內(nèi)部框圖
  UCC3818是UCC3854的升級產(chǎn)品,升級產(chǎn)品通常是對上一代產(chǎn)品的一些不足進(jìn)行彌補(bǔ),彌補(bǔ)的主要以下幾點(diǎn):
   UCC3818的8腳前饋電壓,內(nèi)部做了一個(gè)IAC鏡像,這樣就改善了以前UC3854外部要再另外加分壓電阻,簡化了IC外圍電路.
    UCC3818的10腳引入了一個(gè)OVP和一個(gè)LVP功能,這樣做的目的有利于改善了對電路的沖擊,無形中相當(dāng)于一個(gè)緩啟動(dòng).
   再就是他的電壓反饋基準(zhǔn)為7.5v,與3854A/B的點(diǎn)差別.
   還有個(gè)就是這個(gè)芯片改善很多的輸出圖騰.(輸出能力有很在的差別.)
   整個(gè)反饋環(huán)路與UCC3854比較相比較穩(wěn)定了許多,沒有UCC3854這么敏感.
  (如上圖中的紅線框起來 部分)

有了以上的改善當(dāng)然是好了,但是鄙人在實(shí)驗(yàn)時(shí)就發(fā)現(xiàn)了幾點(diǎn)的不足.
  最明顯的不足就是這個(gè)芯片的驅(qū)動(dòng)能力,3854的柵極連續(xù)驅(qū)動(dòng)電流能做到0.5A,3818僅可憐的0.2A,如果這個(gè)芯片定位在大電源.以如此小的驅(qū)動(dòng)功率,只能驅(qū)動(dòng)很小管子.如果要往上做大功率的PFC,這樣做就必然要外加驅(qū)動(dòng),這樣對驅(qū)動(dòng)的要求又提高了.對系統(tǒng)的成本增加了不少.
工作的電壓是個(gè)問題.需要外加一個(gè)輔助電源.如果按照DATASHEET中所提供的方式做,以輕載和重載的情況下,VCC將會變化很大.
下面我將會貼上一個(gè)例子:
全部回復(fù)(16)
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zxlltd
LV.4
2
2007-12-30 11:44
最之前的設(shè)計(jì)中,供電是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍壓方式供電.剛實(shí)驗(yàn)時(shí),燒毀了好幾片芯片,這么貴的芯片,好心痛;就不敢再試了,分析了半天:
   由于電路在輕載和重載情況下,脈沖的DUTY變化很大.故整流出來的電壓變化很大,輕載的情況下,供電電壓較低,導(dǎo)致芯片輸出電壓下跌,驅(qū)動(dòng)能力下降.如果輸出電壓不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲線點(diǎn).MOS將會嚴(yán)重發(fā)熱.
   要滿足在輕載的情況下工作,只有增加供電繞組的匝數(shù),這樣就導(dǎo)致了一個(gè)問題,在重載的情況下電壓會變化很大,有可能超過芯片的工作電壓.內(nèi)部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一熱就會工作不穩(wěn)定.電壓若再過高就會燒毀芯片.
    我對燒毀的芯片檢測了一遍.無一例外的,全部是輸出端和電源和地短路,(不知用過個(gè)芯片的同仁們,是不是也是這個(gè)原因造成的,大家可以檢測下芯片,)從而分析是內(nèi)部兩個(gè)MOS管燒毀,
    該芯片采用了MOS管圖騰,目的是想加大驅(qū)動(dòng)能力.改善輸出,但因采用MOS圖騰有個(gè)缺點(diǎn).就是在開關(guān)過程中,要求速度足夠快,才能幸免被燒毀.
    由于之前是采用從BOOST電感上取電壓.電壓變化較大.在電源電壓變化時(shí),這種輸出方式,極易損壞芯片.
    反倒是UCC3854采用三極管圖騰還好點(diǎn).
......
  
    提個(gè)醒在使用這個(gè)芯片,或準(zhǔn)備用這個(gè)芯片的朋友們慎重些.
    也提醒一些做技術(shù)支持的朋友們(我自己也做過技術(shù)支持,呵呵!)在推出芯片時(shí),DATASHEET中,盡量把實(shí)驗(yàn)做全點(diǎn).芯片內(nèi)部參數(shù)給全面點(diǎn).這樣才更有利于產(chǎn)品的推廣.
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yjmyjm
LV.1
3
2007-12-30 12:42
@zxlltd
最之前的設(shè)計(jì)中,供電是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍壓方式供電.剛實(shí)驗(yàn)時(shí),燒毀了好幾片芯片,這么貴的芯片,好心痛;就不敢再試了,分析了半天:  由于電路在輕載和重載情況下,脈沖的DUTY變化很大.故整流出來的電壓變化很大,輕載的情況下,供電電壓較低,導(dǎo)致芯片輸出電壓下跌,驅(qū)動(dòng)能力下降.如果輸出電壓不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲線點(diǎn).MOS將會嚴(yán)重發(fā)熱.  要滿足在輕載的情況下工作,只有增加供電繞組的匝數(shù),這樣就導(dǎo)致了一個(gè)問題,在重載的情況下電壓會變化很大,有可能超過芯片的工作電壓.內(nèi)部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一熱就會工作不穩(wěn)定.電壓若再過高就會燒毀芯片.    我對燒毀的芯片檢測了一遍.無一例外的,全部是輸出端和電源和地短路,(不知用過個(gè)芯片的同仁們,是不是也是這個(gè)原因造成的,大家可以檢測下芯片,)從而分析是內(nèi)部兩個(gè)MOS管燒毀,    該芯片采用了MOS管圖騰,目的是想加大驅(qū)動(dòng)能力.改善輸出,但因采用MOS圖騰有個(gè)缺點(diǎn).就是在開關(guān)過程中,要求速度足夠快,才能幸免被燒毀.    由于之前是采用從BOOST電感上取電壓.電壓變化較大.在電源電壓變化時(shí),這種輸出方式,極易損壞芯片.    反倒是UCC3854采用三極管圖騰還好點(diǎn).......      提個(gè)醒在使用這個(gè)芯片,或準(zhǔn)備用這個(gè)芯片的朋友們慎重些.    也提醒一些做技術(shù)支持的朋友們(我自己也做過技術(shù)支持,呵呵!)在推出芯片時(shí),DATASHEET中,盡量把實(shí)驗(yàn)做全點(diǎn).芯片內(nèi)部參數(shù)給全面點(diǎn).這樣才更有利于產(chǎn)品的推廣.
我先來頂一下,寫的很好,你現(xiàn)在有這樣的水平真的很不錯(cuò)了
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zxlltd
LV.4
4
2007-12-30 18:01
@yjmyjm
我先來頂一下,寫的很好,你現(xiàn)在有這樣的水平真的很不錯(cuò)了
我也是沒有辦法,這個(gè)系統(tǒng)本身工作環(huán)境比較惡劣,又要求長期工作,還有幾KV的高壓,需要單片機(jī)參與的控制,安全系數(shù)又要高,所以只能這樣了.呵呵!!
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2008-02-03 20:57
能不能幫忙解釋一下3818 8PIN 你用紅色圈起來的那段是怎么工作的啊,謝謝
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zxlltd
LV.4
6
2008-02-14 08:37
@老實(shí)和尚
能不能幫忙解釋一下38188PIN你用紅色圈起來的那段是怎么工作的啊,謝謝
你只要了解了,如何計(jì)算功率因數(shù)就了解了這個(gè)引腳 的功能.電壓的均方根值,
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liucitty
LV.1
7
2008-02-18 15:22
@zxlltd
你只要了解了,如何計(jì)算功率因數(shù)就了解了這個(gè)引腳的功能.電壓的均方根值,
請問UCC3818最高可以做到多大的功率?可以做到5.5kW嗎?我看到資料中有介紹75W to 2kW+  ,不明白這個(gè)加號是什么意義 ?還請有用過的高手指點(diǎn)一下.
本人是新手,剛接觸PFC,還請各位大蝦不吝賜教.
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zxlltd
LV.4
8
2008-02-19 16:01
@liucitty
請問UCC3818最高可以做到多大的功率?可以做到5.5kW嗎?我看到資料中有介紹75Wto2kW+  ,不明白這個(gè)加號是什么意義?還請有用過的高手指點(diǎn)一下.本人是新手,剛接觸PFC,還請各位大蝦不吝賜教.
你問這個(gè)問題,我倒是想問一下你,你認(rèn)為UC3842做反激電源的話,能做到300W的功率嗎?
  明白了這個(gè)問題,你就明白了用UC3818能不能做到5.5KW了.
0
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2008-08-13 23:18
你好,我用3818做到了3KW,不過調(diào)到低壓端時(shí)(90V帶半載)我的調(diào)壓器叫的厲害,時(shí)間長了就燒機(jī)了,你碰到過這個(gè)問題嗎,望賜教,謝謝
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2008-08-14 09:25
@power-2000
你好,我用3818做到了3KW,不過調(diào)到低壓端時(shí)(90V帶半載)我的調(diào)壓器叫的厲害,時(shí)間長了就燒機(jī)了,你碰到過這個(gè)問題嗎,望賜教,謝謝
UCC3818我們有一個(gè)客戶在生產(chǎn)的最大功率是4880,四千多W,現(xiàn)在Ti有更新的交錯(cuò)模式的PFC控制IC UCC28070 可以上TI的網(wǎng)站下載資料看看.我們可以提供1.2KW的EVM板 測試.
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zxlltd
LV.4
11
2008-08-15 14:13
@power-2000
你好,我用3818做到了3KW,不過調(diào)到低壓端時(shí)(90V帶半載)我的調(diào)壓器叫的厲害,時(shí)間長了就燒機(jī)了,你碰到過這個(gè)問題嗎,望賜教,謝謝
有幾種可能,一種可能是你的調(diào)壓器功率可能小了,你可以嘗試不用調(diào)壓器,試下,
另一種可能,調(diào)壓器充當(dāng)了一個(gè)小輸入電感,
當(dāng)然不排除你的電路存在保護(hù)的可能性,像電流峰值保護(hù)等,這個(gè)還要看你的電路參數(shù)匹配才好分析.
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LV.1
12
2008-09-14 22:00
@遠(yuǎn)方一風(fēng)
UCC3818我們有一個(gè)客戶在生產(chǎn)的最大功率是4880,四千多W,現(xiàn)在Ti有更新的交錯(cuò)模式的PFC控制ICUCC28070可以上TI的網(wǎng)站下載資料看看.我們可以提供1.2KW的EVM板測試.
有ucc28070的1200w PFC的原理圖及DEMO板嗎?傳上來我們分享一下
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2008-09-16 14:01
@
有ucc28070的1200wPFC的原理圖及DEMO板嗎?傳上來我們分享一下
我稍后回做一個(gè)2KW的demo供參考 107711221544853.pdf
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power-2000
LV.3
14
2008-09-18 22:46
@zxlltd
有幾種可能,一種可能是你的調(diào)壓器功率可能小了,你可以嘗試不用調(diào)壓器,試下,另一種可能,調(diào)壓器充當(dāng)了一個(gè)小輸入電感,當(dāng)然不排除你的電路存在保護(hù)的可能性,像電流峰值保護(hù)等,這個(gè)還要看你的電路參數(shù)匹配才好分析.
謝謝你的回復(fù),我用AC SORCE就不會有響聲,你所說的電流峰值保護(hù)是指3818的哪一只管腳呀?
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LV.1
15
2008-09-21 08:58
@遠(yuǎn)方一風(fēng)
我稍后回做一個(gè)2KW的demo供參考107711221544853.pdf
簡單點(diǎn)原理有沒有,比較復(fù)雜,輸入85-264V,輸出正負(fù)100V,8A.正負(fù)20V,2A;輔助18V/1A.如何設(shè)計(jì),PFC后面用UC3525+IR2110做成半橋形式.UC3525固定脈寬,固定頻率做,這樣的方案有沒有,可不可以做功率在2000W左右的,甚至是3000w左右的電路??
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xsaqs
LV.5
16
2012-05-09 15:45
@zxlltd
最之前的設(shè)計(jì)中,供電是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍壓方式供電.剛實(shí)驗(yàn)時(shí),燒毀了好幾片芯片,這么貴的芯片,好心痛;就不敢再試了,分析了半天:  由于電路在輕載和重載情況下,脈沖的DUTY變化很大.故整流出來的電壓變化很大,輕載的情況下,供電電壓較低,導(dǎo)致芯片輸出電壓下跌,驅(qū)動(dòng)能力下降.如果輸出電壓不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲線點(diǎn).MOS將會嚴(yán)重發(fā)熱.  要滿足在輕載的情況下工作,只有增加供電繞組的匝數(shù),這樣就導(dǎo)致了一個(gè)問題,在重載的情況下電壓會變化很大,有可能超過芯片的工作電壓.內(nèi)部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一熱就會工作不穩(wěn)定.電壓若再過高就會燒毀芯片.    我對燒毀的芯片檢測了一遍.無一例外的,全部是輸出端和電源和地短路,(不知用過個(gè)芯片的同仁們,是不是也是這個(gè)原因造成的,大家可以檢測下芯片,)從而分析是內(nèi)部兩個(gè)MOS管燒毀,    該芯片采用了MOS管圖騰,目的是想加大驅(qū)動(dòng)能力.改善輸出,但因采用MOS圖騰有個(gè)缺點(diǎn).就是在開關(guān)過程中,要求速度足夠快,才能幸免被燒毀.    由于之前是采用從BOOST電感上取電壓.電壓變化較大.在電源電壓變化時(shí),這種輸出方式,極易損壞芯片.    反倒是UCC3854采用三極管圖騰還好點(diǎn).......      提個(gè)醒在使用這個(gè)芯片,或準(zhǔn)備用這個(gè)芯片的朋友們慎重些.    也提醒一些做技術(shù)支持的朋友們(我自己也做過技術(shù)支持,呵呵!)在推出芯片時(shí),DATASHEET中,盡量把實(shí)驗(yàn)做全點(diǎn).芯片內(nèi)部參數(shù)給全面點(diǎn).這樣才更有利于產(chǎn)品的推廣.

頂！

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2012-11-19 23:41
@zxlltd
最之前的設(shè)計(jì)中,供電是采用UCC3818的DATASHEET中所提供的倍壓方式供電.剛實(shí)驗(yàn)時(shí),燒毀了好幾片芯片,這么貴的芯片,好心痛;就不敢再試了,分析了半天:  由于電路在輕載和重載情況下,脈沖的DUTY變化很大.故整流出來的電壓變化很大,輕載的情況下,供電電壓較低,導(dǎo)致芯片輸出電壓下跌,驅(qū)動(dòng)能力下降.如果輸出電壓不能快速地跨越功率MOS管的米勒曲線點(diǎn).MOS將會嚴(yán)重發(fā)熱.  要滿足在輕載的情況下工作,只有增加供電繞組的匝數(shù),這樣就導(dǎo)致了一個(gè)問題,在重載的情況下電壓會變化很大,有可能超過芯片的工作電壓.內(nèi)部一旦篏位.就必然增加芯片的功耗,芯片一熱就會工作不穩(wěn)定.電壓若再過高就會燒毀芯片.    我對燒毀的芯片檢測了一遍.無一例外的,全部是輸出端和電源和地短路,(不知用過個(gè)芯片的同仁們,是不是也是這個(gè)原因造成的,大家可以檢測下芯片,)從而分析是內(nèi)部兩個(gè)MOS管燒毀,    該芯片采用了MOS管圖騰,目的是想加大驅(qū)動(dòng)能力.改善輸出,但因采用MOS圖騰有個(gè)缺點(diǎn).就是在開關(guān)過程中,要求速度足夠快,才能幸免被燒毀.    由于之前是采用從BOOST電感上取電壓.電壓變化較大.在電源電壓變化時(shí),這種輸出方式,極易損壞芯片.    反倒是UCC3854采用三極管圖騰還好點(diǎn).......      提個(gè)醒在使用這個(gè)芯片,或準(zhǔn)備用這個(gè)芯片的朋友們慎重些.    也提醒一些做技術(shù)支持的朋友們(我自己也做過技術(shù)支持,呵呵!)在推出芯片時(shí),DATASHEET中,盡量把實(shí)驗(yàn)做全點(diǎn).芯片內(nèi)部參數(shù)給全面點(diǎn).這樣才更有利于產(chǎn)品的推廣.
多謝提醒，正準(zhǔn)備了解這個(gè)
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