N溝道的增強(qiáng)型MOSFET在同步整流時(shí)(續(xù)流管),電流是從S往D流?
那究竟是通過(guò)體內(nèi)的二極管還是通過(guò)MOSFET本身的耗盡層形成的導(dǎo)電溝道?
請(qǐng)專(zhuān)家給出詳細(xì)的解釋,一直不是很清楚?
N溝道的增強(qiáng)型MOSFET在同步整流時(shí),電流是從S往D流?
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同步整流low side mosfet 的作用其實(shí)跟非同步整流時(shí)的shottky diode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).至于body diode,它只在死區(qū)時(shí)間導(dǎo)通.一般給low side mosfet并一個(gè)shottky diode,這樣死區(qū)時(shí)間里shottky diode取代body diode導(dǎo)通,提高了效率
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@gunking
同步整流lowsidemosfet的作用其實(shí)跟非同步整流時(shí)的shottkydiode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).至于bodydiode,它只在死區(qū)時(shí)間導(dǎo)通.一般給lowsidemosfet并一個(gè)shottkydiode,這樣死區(qū)時(shí)間里shottkydiode取代bodydiode導(dǎo)通,提高了效率
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).
我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.
我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).
我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.
我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
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@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
MOSFET內(nèi)部電流可以雙向流動(dòng),一般采用由S到D的多,在電流連續(xù)時(shí),當(dāng)狀態(tài)改變,會(huì)從D到S,這時(shí)應(yīng)控制使其關(guān)斷,有點(diǎn)象快恢復(fù)的反向恢復(fù)時(shí)間.
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@藍(lán)星
還是不明白?所有電源的主(FORWARD)MOS電流都是D到S.
關(guān)鍵你要弄清楚寄生二級(jí)管的方向,
舉個(gè)NMOS管的例子,(寄生二級(jí)管是從S指向D端,),
就拿PWM-BUCK電路來(lái)說(shuō)吧,
當(dāng)主功率MOS管開(kāi)通時(shí),電流從D到S,
當(dāng)主功率MOS管關(guān)斷時(shí),該MOS管DS間要承受壓降(輸入電壓),
若按你說(shuō)的若把S和D反接,那么開(kāi)通時(shí),沒(méi)什么大問(wèn)題,
但是關(guān)斷時(shí),
你想想該MOS管還能關(guān)斷嗎?
舉個(gè)NMOS管的例子,(寄生二級(jí)管是從S指向D端,),
就拿PWM-BUCK電路來(lái)說(shuō)吧,
當(dāng)主功率MOS管開(kāi)通時(shí),電流從D到S,
當(dāng)主功率MOS管關(guān)斷時(shí),該MOS管DS間要承受壓降(輸入電壓),
若按你說(shuō)的若把S和D反接,那么開(kāi)通時(shí),沒(méi)什么大問(wèn)題,
但是關(guān)斷時(shí),
你想想該MOS管還能關(guān)斷嗎?
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