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N溝道的增強(qiáng)型MOSFET在同步整流時(shí),電流是從S往D流?

N溝道的增強(qiáng)型MOSFET在同步整流時(shí)(續(xù)流管),電流是從S往D流?
那究竟是通過(guò)體內(nèi)的二極管還是通過(guò)MOSFET本身的耗盡層形成的導(dǎo)電溝道?
請(qǐng)專(zhuān)家給出詳細(xì)的解釋,一直不是很清楚?
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gunking
LV.4
2
2005-01-21 03:15
同步整流low side mosfet 的作用其實(shí)跟非同步整流時(shí)的shottky diode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).至于body diode,它只在死區(qū)時(shí)間導(dǎo)通.一般給low side mosfet并一個(gè)shottky diode,這樣死區(qū)時(shí)間里shottky diode取代body diode導(dǎo)通,提高了效率
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guagua
LV.4
3
2005-01-21 16:28
@gunking
同步整流lowsidemosfet的作用其實(shí)跟非同步整流時(shí)的shottkydiode是一樣的,電流從S到D,不同的是由于MOSFET是雙向?qū)?當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).至于bodydiode,它只在死區(qū)時(shí)間導(dǎo)通.一般給lowsidemosfet并一個(gè)shottkydiode,這樣死區(qū)時(shí)間里shottkydiode取代bodydiode導(dǎo)通,提高了效率
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
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guagua
LV.4
4
2005-01-21 16:30
@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).
我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.
我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
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allin
LV.5
5
2005-01-21 18:00
@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
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2005-01-21 19:32
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
找到可以給我發(fā)一個(gè)嗎
fjjilin@tom.com
我也想了解一下
謝謝!
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fire
LV.1
7
2005-01-21 20:11
@king-騎士
找到可以給我發(fā)一個(gè)嗎fjjilin@tom.com我也想了解一下謝謝!
靚兄,請(qǐng)發(fā)到我的油箱.steeleaglewtj@yahoo.com.cn
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2005-01-21 20:27
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
有勞給小弟也發(fā)一份.謝謝!!
wuangb@yahoo.com.cn
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zym1108
LV.1
9
2005-01-23 23:46
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
請(qǐng)給我也發(fā)一個(gè)哦
zym1108@163.com
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tank
LV.1
10
2005-01-24 16:22
@zym1108
請(qǐng)給我也發(fā)一個(gè)哦zym1108@163.com
期待給我發(fā)一份
hongyin_niat@yahoo.com.cn
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allin
LV.5
11
2005-01-24 16:36
@tank
期待給我發(fā)一份hongyin_niat@yahoo.com.cn
以上的信箱已經(jīng)發(fā)了,希望能有幫助!
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power-pp
LV.7
12
2005-01-24 17:25
@allin
以上的信箱已經(jīng)發(fā)了,希望能有幫助!
煩請(qǐng)也給我一份吧!謝謝!!
pengping846@163.com
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rcc1978
LV.2
13
2005-01-24 19:35
@allin
以上的信箱已經(jīng)發(fā)了,希望能有幫助!
煩請(qǐng)也給我一份吧!謝謝!!
RCC1978@163.com
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film
LV.3
14
2005-01-25 12:04
@allin
以上的信箱已經(jīng)發(fā)了,希望能有幫助!
來(lái)晚了,能不能給兄弟一份.novantamail-se@yahoo.com.cn
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guagua
LV.4
15
2005-01-25 15:34
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
把文章也發(fā)給我看看,謝謝!
zhang.we@zte.com.cn
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whb781128
LV.2
16
2005-01-26 15:59
@allin
以上的信箱已經(jīng)發(fā)了,希望能有幫助!
給我也發(fā)一份吧謝謝!!!beckham_whb@sina.com
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guagua
LV.4
17
2005-01-26 17:19
@guagua
把文章也發(fā)給我看看,謝謝!zhang.we@zte.com.cn
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allin
LV.5
18
2005-01-27 11:30
@南山居士
有勞給小弟也發(fā)一份.謝謝!!wuangb@yahoo.com.cn
怎么我的帖子沒(méi)有了?
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linjing002
LV.4
19
2005-01-28 08:40
@allin
怎么我的帖子沒(méi)有了?
能不能也給我發(fā)一份,謝謝:linjing002@163.net
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yyqygd
LV.5
20
2005-01-28 08:55
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
貼上來(lái)吧!
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costdown
LV.5
21
2005-01-28 09:46
@yyqygd
貼上來(lái)吧!
同步整流用的好象是耗盡型MOSFET吧.
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sunrise
LV.5
22
2005-01-28 10:20
@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.另外:當(dāng)電流減小到零是,MOFET可以變成D到S,這種情況就保證電流連續(xù)導(dǎo)通的實(shí)現(xiàn),因?yàn)殡姼械碾娏鳑](méi)有中斷,而是變成從負(fù)載sink電流.這也是同步整流的一個(gè)優(yōu)點(diǎn).我不是很明白您的意識(shí),BUCK一般是連續(xù)模式,電流減少到零,不解.我認(rèn)為同步整流的優(yōu)點(diǎn)是MOSFET的通態(tài)損耗小.
MOSFET內(nèi)部電流可以雙向流動(dòng),一般采用由S到D的多,在電流連續(xù)時(shí),當(dāng)狀態(tài)改變,會(huì)從D到S,這時(shí)應(yīng)控制使其關(guān)斷,有點(diǎn)象快恢復(fù)的反向恢復(fù)時(shí)間.
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2006-02-08 15:17
@sunrise
MOSFET內(nèi)部電流可以雙向流動(dòng),一般采用由S到D的多,在電流連續(xù)時(shí),當(dāng)狀態(tài)改變,會(huì)從D到S,這時(shí)應(yīng)控制使其關(guān)斷,有點(diǎn)象快恢復(fù)的反向恢復(fù)時(shí)間.
大哥能不能發(fā)一份給偶,小弟對(duì)這個(gè)問(wèn)題也不是很清楚
aiya19830720@163.com
非常感謝!
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2006-02-08 17:54
@sunrise
MOSFET內(nèi)部電流可以雙向流動(dòng),一般采用由S到D的多,在電流連續(xù)時(shí),當(dāng)狀態(tài)改變,會(huì)從D到S,這時(shí)應(yīng)控制使其關(guān)斷,有點(diǎn)象快恢復(fù)的反向恢復(fù)時(shí)間.
還是不明白? 所有電源的主(FORWARD)MOS電流都是D到S.
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decipher
LV.2
25
2006-02-09 15:34
@藍(lán)星
還是不明白?所有電源的主(FORWARD)MOS電流都是D到S.
可以把mosfet想象成一個(gè)開(kāi)關(guān)啊,既然可以從D->S,為什么就不能從S->D呢?只要這個(gè)導(dǎo)電溝是存在的.
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stone-power
LV.5
26
2006-02-09 16:24
@decipher
可以把mosfet想象成一個(gè)開(kāi)關(guān)啊,既然可以從D->S,為什么就不能從S->D呢?只要這個(gè)導(dǎo)電溝是存在的.
場(chǎng)效應(yīng)管道通時(shí),電流可從D到S,或S到D.
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xujiannuaa
LV.2
27
2006-02-16 20:19
@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
柵極高電平時(shí),在d、s之間產(chǎn)生感應(yīng)導(dǎo)電溝道,在導(dǎo)電溝道中電子可以從d流向s,也可以由s流向d;由于是增強(qiáng)型管子,當(dāng)柵極低電平時(shí),將無(wú)導(dǎo)電溝道,故電流只能從反并二極管走
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chinaupon
LV.2
28
2006-02-17 17:25
@guagua
比較愚頓,不清楚MOSFET內(nèi)部可不可以電流從S往D流?可不可以雙向流動(dòng),而不通過(guò)體內(nèi)的DIODE.
Mos管只要已經(jīng)開(kāi)通,那么若D端電壓比S端高,電流就從D到S,反之,
若S端電壓比D端高,則電流就從S到D,這是我的理解.
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chinaupon
LV.2
29
2006-02-18 12:20
@藍(lán)星
還是不明白?所有電源的主(FORWARD)MOS電流都是D到S.
關(guān)鍵你要弄清楚寄生二級(jí)管的方向,
舉個(gè)NMOS管的例子,(寄生二級(jí)管是從S指向D端,),
就拿PWM-BUCK電路來(lái)說(shuō)吧,
當(dāng)主功率MOS管開(kāi)通時(shí),電流從D到S,
當(dāng)主功率MOS管關(guān)斷時(shí),該MOS管DS間要承受壓降(輸入電壓),
若按你說(shuō)的若把S和D反接,那么開(kāi)通時(shí),沒(méi)什么大問(wèn)題,
但是關(guān)斷時(shí),
你想想該MOS管還能關(guān)斷嗎?
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2006-03-03 13:33
@allin
有篇論文曾經(jīng)說(shuō)的很清楚,后頭我?guī)湍阏艺铱?
有關(guān)于雙MOS管BUCK電路的資料請(qǐng)給我發(fā)一份,多多亦善,還是有些迷惑!謝謝!xiong.zhenhua@zte.com.cn
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LV.1
31
2006-03-03 15:16
@chinaupon
Mos管只要已經(jīng)開(kāi)通,那么若D端電壓比S端高,電流就從D到S,反之,若S端電壓比D端高,則電流就從S到D,這是我的理解.
我看了下書(shū),好象是這樣.但我也不能確定.
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