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請教大俠,MOS晶體管的損耗問題!

請大俠指點,在開關電源中,MOS管的導通損耗可根據(jù)RDSON與導通電流算出來,但其開關損耗如何估算啊,與導通損耗有沒有什么倍數(shù)之類的關系啊?
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xue007
LV.9
2
2007-08-10 23:09
開關損豪和導通損耗沒直接的關系
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lyqqq
LV.3
3
2007-08-11 09:43
MOS的損耗由導通損耗,上升下降損耗和驅動損耗組成.驅動由IC消耗掉.上升下降損耗受頻率影響,也就是硬開關頻率不容易做高的原因.如太快會影響EMI.導通由MOS內阻影響.
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