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求助模塊溫升高解決方案!

標(biāo)準(zhǔn)模塊電源受體積限制,功率越往上,溫升越難控制!請(qǐng)各位賜教解決方案!
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2007-06-26 20:52
請(qǐng)使用有機(jī)硅導(dǎo)熱灌封膠!
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洪七公
LV.9
3
2007-07-05 17:56
用同步整流提高效率,自然就能提高功率密度.可參考一下下面的帖子.
http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
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anjlin
LV.7
4
2007-07-06 09:05
@洪七公
用同步整流提高效率,自然就能提高功率密度.可參考一下下面的帖子.http://bbs.dianyuan.com/topic/175339
用同步整流方式固然好!但是我的輸出電壓很低!0.75V/16A,而且體積又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%幾!溫度仍然很高!我用3m/S的風(fēng)吹,溫度仍然還是過不了!
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dadodo
LV.7
5
2007-07-11 17:40
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的輸出電壓很低!0.75V/16A,而且體積又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%幾!溫度仍然很高!我用3m/S的風(fēng)吹,溫度仍然還是過不了!
不至于吧,CPU供電也就0.8-1.3V,電流有130A,都是BUCK同步整流做的
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洪七公
LV.9
6
2007-07-11 22:47
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的輸出電壓很低!0.75V/16A,而且體積又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%幾!溫度仍然很高!我用3m/S的風(fēng)吹,溫度仍然還是過不了!
你發(fā)熱應(yīng)該主要是次級(jí)吧?那你考慮一下用Rds=3mohm左右的Mosfet來做,按你16A時(shí)二極管Vf=1V來估計(jì),估計(jì)能減少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的發(fā)熱量?不清楚您的體積要求多大?我們的同步整流電路可以做在一個(gè)面積大約是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用貼片的面積要另算),全貼片元件,單面板,不需占體積的電感變壓器等元件,元件單面貼裝.能否告訴一下您的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?如果你用的是正激或反激電路我們可以帶demoboard給你加在你的電路上面測(cè)試一下是否可一達(dá)到您的要求.
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anjlin
LV.7
7
2007-07-12 09:20
@洪七公
你發(fā)熱應(yīng)該主要是次級(jí)吧?那你考慮一下用Rds=3mohm左右的Mosfet來做,按你16A時(shí)二極管Vf=1V來估計(jì),估計(jì)能減少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的發(fā)熱量?不清楚您的體積要求多大?我們的同步整流電路可以做在一個(gè)面積大約是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用貼片的面積要另算),全貼片元件,單面板,不需占體積的電感變壓器等元件,元件單面貼裝.能否告訴一下您的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?如果你用的是正激或反激電路我們可以帶demoboard給你加在你的電路上面測(cè)試一下是否可一達(dá)到您的要求.
是用Buck同步整流方式做的!全是貼片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm
我所用的MOS管Rds為5mΩ的,3mΩ難找!一般的MOS在低壓的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象!我的模塊輸入電壓是3.0-5.5V,輸出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流點(diǎn)在18-40A;所用MOS為SI7882(12V/22A),才開始我用SI7866(20V/40A);但是環(huán)路怎么都調(diào)不穩(wěn)!輸入電壓在4.5以上不振!一但小于4.5V就振蕩!也不知道是什么原因!改用SI7882未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象!請(qǐng)問為什么用SI7866會(huì)振?
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洪七公
LV.9
8
2007-07-12 22:01
@anjlin
是用Buck同步整流方式做的!全是貼片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm我所用的MOS管Rds為5mΩ的,3mΩ難找!一般的MOS在低壓的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象!我的模塊輸入電壓是3.0-5.5V,輸出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流點(diǎn)在18-40A;所用MOS為SI7882(12V/22A),才開始我用SI7866(20V/40A);但是環(huán)路怎么都調(diào)不穩(wěn)!輸入電壓在4.5以上不振!一但小于4.5V就振蕩!也不知道是什么原因!改用SI7882未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象!請(qǐng)問為什么用SI7866會(huì)振?
暈.我們的同步整流是用在隔離電源的.
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anjlin
LV.7
9
2007-07-13 10:29
@洪七公
暈.我們的同步整流是用在隔離電源的.
是啊!我的也是用在隔離之后的!不知道上面的問題各位前輩是否遇到過?請(qǐng)指教!
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洪七公
LV.9
10
2007-07-13 13:39
@anjlin
是啊!我的也是用在隔離之后的!不知道上面的問題各位前輩是否遇到過?請(qǐng)指教!
你說的情況我沒有遇到過,不清楚你是怎么設(shè)計(jì)的同步整流方案,所以不好說,你看看是否換Mosfet 后因Mosfet的Ciss和Rds變化了,引起你的控制電路特性也發(fā)生變化造成的?那樣你調(diào)試以下外圍電路看能否解決?你隔離是用的正激還是反激方案?如果是上面的兩種之一,你公司是Vapel吧?我們很近,可以花兩小時(shí)用我們的demoboard試用一下我們的方案看是否能解決?
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dadodo
LV.7
11
2007-07-13 15:03
@anjlin
是啊!我的也是用在隔離之后的!不知道上面的問題各位前輩是否遇到過?請(qǐng)指教!
2個(gè)管子的差別主要是Ciss不同.也可以試試infineon的coolmos
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anjlin
LV.7
12
2007-07-15 09:45
@洪七公
你說的情況我沒有遇到過,不清楚你是怎么設(shè)計(jì)的同步整流方案,所以不好說,你看看是否換Mosfet后因Mosfet的Ciss和Rds變化了,引起你的控制電路特性也發(fā)生變化造成的?那樣你調(diào)試以下外圍電路看能否解決?你隔離是用的正激還是反激方案?如果是上面的兩種之一,你公司是Vapel吧?我們很近,可以花兩小時(shí)用我們的demoboard試用一下我們的方案看是否能解決?
此問題我已經(jīng)解決了!SI7866的上升時(shí)間較快50nS!在低電壓時(shí),50nS的時(shí)間無法起來!把驅(qū)動(dòng)加一10Ω電阻,在加一反向轉(zhuǎn)陰二極管!問題解決!或者改用RONESAS公司的MOS ATH2160H可以不用加電阻和二極管!此MOS上升時(shí)間在130nS左右!不過兩者相比較,后者最佳!前者低壓問題解決,但是又出現(xiàn)了新的問題!空載振蕩!怎么調(diào)試環(huán)路都無法得以解決!請(qǐng)指教!
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洪七公
LV.9
13
2007-07-15 14:57
@anjlin
此問題我已經(jīng)解決了!SI7866的上升時(shí)間較快50nS!在低電壓時(shí),50nS的時(shí)間無法起來!把驅(qū)動(dòng)加一10Ω電阻,在加一反向轉(zhuǎn)陰二極管!問題解決!或者改用RONESAS公司的MOSATH2160H可以不用加電阻和二極管!此MOS上升時(shí)間在130nS左右!不過兩者相比較,后者最佳!前者低壓問題解決,但是又出現(xiàn)了新的問題!空載振蕩!怎么調(diào)試環(huán)路都無法得以解決!請(qǐng)指教!
加強(qiáng)Mosfet 的充放電速度解決了就好.
你說的空載振蕩是不是空載時(shí)SR Mosfet 都打開了?
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anjlin
LV.7
14
2007-07-16 11:32
@洪七公
加強(qiáng)Mosfet的充放電速度解決了就好.你說的空載振蕩是不是空載時(shí)SRMosfet都打開了?
其實(shí)都不是以上的問題!我忙了快一個(gè)禮拜!最終結(jié)果為輸入端電容問題!振蕩的時(shí)候輸入端電容為106/1206/16V*2(陶瓷電容),把此電容改為106/1210/25V*2(陶瓷電容),振蕩停止!比較兩電容材質(zhì)都是X5R的,其它參數(shù)都差不多!這是什么原因呀?請(qǐng)指教!
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dadodo
LV.7
15
2007-07-16 14:33
@anjlin
其實(shí)都不是以上的問題!我忙了快一個(gè)禮拜!最終結(jié)果為輸入端電容問題!振蕩的時(shí)候輸入端電容為106/1206/16V*2(陶瓷電容),把此電容改為106/1210/25V*2(陶瓷電容),振蕩停止!比較兩電容材質(zhì)都是X5R的,其它參數(shù)都差不多!這是什么原因呀?請(qǐng)指教!
有沒有測(cè)過電容參數(shù)?我也碰到過這個(gè)問題,有些偽劣電容參數(shù)與標(biāo)稱值相差太遠(yuǎn),搞的現(xiàn)在指定供貨商指定品牌規(guī)格才安心.
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anjlin
LV.7
16
2007-07-19 17:31
@dadodo
有沒有測(cè)過電容參數(shù)?我也碰到過這個(gè)問題,有些偽劣電容參數(shù)與標(biāo)稱值相差太遠(yuǎn),搞的現(xiàn)在指定供貨商指定品牌規(guī)格才安心.
不是電容容量的問題!我換相同材質(zhì)的電容,容量加大到40-70UF都沒用!
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dadodo
LV.7
17
2007-07-25 12:21
@anjlin
不是電容容量的問題!我換相同材質(zhì)的電容,容量加大到40-70UF都沒用!
沒測(cè)過就沒有發(fā)言權(quán),市場(chǎng)上良莠不齊.
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anjlin
LV.7
18
2007-07-26 09:07
@dadodo
沒測(cè)過就沒有發(fā)言權(quán),市場(chǎng)上良莠不齊.
根本就不是電容容量的問題!是這兩鐘電容ESR值的原因!1206的ESR大一些,1210的ESR小一些;用在模塊中,前者產(chǎn)生的紋波電流較大;影響模塊的穩(wěn)定性能!后者所產(chǎn)生的紋波電流小,所以消除了振蕩!
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anjlin
LV.7
19
2007-07-26 16:48
@miql
可試試導(dǎo)熱陶瓷片,解決散熱,絕緣,高壓不良問題,歡迎來電咨詢,免費(fèi)送樣試機(jī),特殊規(guī)格需定做.
這些都是現(xiàn)在較普遍的做法!可是當(dāng)模塊體積到了一定局限條件下,用此種方式已不在適用!
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wtx10
LV.6
20
2007-08-07 09:23
@anjlin
根本就不是電容容量的問題!是這兩鐘電容ESR值的原因!1206的ESR大一些,1210的ESR小一些;用在模塊中,前者產(chǎn)生的紋波電流較大;影響模塊的穩(wěn)定性能!后者所產(chǎn)生的紋波電流小,所以消除了振蕩!
不曉得你的IC是什么,也就無法知道他的驅(qū)動(dòng)能力,能帶什么MOS,你在G串電阻按道理又會(huì)加大開通損耗,從體積看上去不太象帶外殼的,現(xiàn)在有一種紅外輻射散熱器可以作成外殼,效果上要比普通鋁殼的低7度到10度,我只是測(cè)過這種東西但沒有在產(chǎn)品里用.
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anjlin
LV.7
21
2007-08-07 15:18
@wtx10
不曉得你的IC是什么,也就無法知道他的驅(qū)動(dòng)能力,能帶什么MOS,你在G串電阻按道理又會(huì)加大開通損耗,從體積看上去不太象帶外殼的,現(xiàn)在有一種紅外輻射散熱器可以作成外殼,效果上要比普通鋁殼的低7度到10度,我只是測(cè)過這種東西但沒有在產(chǎn)品里用.
是TI的芯片:TPS40007  和驅(qū)動(dòng)大小沒什么關(guān)系!應(yīng)該是電容改后ESR值小的原因!!!
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wtx10
LV.6
22
2007-08-09 11:17
@anjlin
是TI的芯片:TPS40007  和驅(qū)動(dòng)大小沒什么關(guān)系!應(yīng)該是電容改后ESR值小的原因!!!
這個(gè)是有可能,平時(shí)我們也不推薦用同規(guī)格的電容并聯(lián),可能會(huì)出現(xiàn)電容間的震蕩,一般是錯(cuò)開,比如總共1000,可以用470,220,什么的組合
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2007-08-10 09:22
**此帖已被管理員刪除**
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anjlin
LV.7
24
2007-11-08 16:59
@wtx10
這個(gè)是有可能,平時(shí)我們也不推薦用同規(guī)格的電容并聯(lián),可能會(huì)出現(xiàn)電容間的震蕩,一般是錯(cuò)開,比如總共1000,可以用470,220,什么的組合
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款機(jī)型!VIN=8.3-14V  VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流點(diǎn)28A!驅(qū)動(dòng)芯片為TI的TPS40057
用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,電感1.5UH~~~~~~~~~~~~
先前做了一版,效率只有88%、89%!現(xiàn)在改了一版后,效率90%、91%
按客戶的要求為94,現(xiàn)在我怎么都做不上去!還差3個(gè)點(diǎn)!~~~~真暈!忙了又快一個(gè)禮拜了沒點(diǎn)結(jié)果!!!
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wtx10
LV.6
25
2007-11-09 10:30
@anjlin
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款機(jī)型!VIN=8.3-14V  VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流點(diǎn)28A!驅(qū)動(dòng)芯片為TI的TPS40057用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,電感1.5UH~~~~~~~~~~~~先前做了一版,效率只有88%、89%!現(xiàn)在改了一版后,效率90%、91%按客戶的要求為94,現(xiàn)在我怎么都做不上去!還差3個(gè)點(diǎn)!~~~~真暈!忙了又快一個(gè)禮拜了沒點(diǎn)結(jié)果!!!
客戶要求到94%是輸出多少的時(shí)候?整個(gè)輸出范圍到這個(gè)程度可懸了.
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anjlin
LV.7
26
2007-11-12 10:36
@wtx10
客戶要求到94%是輸出多少的時(shí)候?整個(gè)輸出范圍到這個(gè)程度可懸了.
VIN=12V  VOUT=5.0V   IOUT=16A時(shí)!效率要求在94%!輸出電壓是全范圍可調(diào)的!
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wtx10
LV.6
27
2007-11-12 10:50
@anjlin
VIN=12V  VOUT=5.0V  IOUT=16A時(shí)!效率要求在94%!輸出電壓是全范圍可調(diào)的!
是這樣,那是不難的,你用手頭芯片不會(huì)有問題,我還以為全范圍都到94%,有興趣你可以參考SC4510這個(gè)東西,我給客戶推過,還不錯(cuò).
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anjlin
LV.7
28
2007-11-13 14:24
@wtx10
是這樣,那是不難的,你用手頭芯片不會(huì)有問題,我還以為全范圍都到94%,有興趣你可以參考SC4510這個(gè)東西,我給客戶推過,還不錯(cuò).
你是做FAE的吧?sc4510基準(zhǔn)是多少?能否給我發(fā)份PDF, 謝謝!
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wtx10
LV.6
29
2007-11-13 14:35
@anjlin
你是做FAE的吧?sc4510基準(zhǔn)是多少?能否給我發(fā)份PDF,謝謝!
已發(fā)到你郵箱
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szsuplet
LV.2
30
2007-11-19 22:53
@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的輸出電壓很低!0.75V/16A,而且體積又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%幾!溫度仍然很高!我用3m/S的風(fēng)吹,溫度仍然還是過不了!
不是吧  3米每秒的風(fēng)過不了  還用個(gè)屁呀
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anjlin
LV.7
31
2007-11-20 10:01
@左明
普通材料當(dāng)然做不到特殊性出來,模塊產(chǎn)品大功率小型化,致命困難:第一元件小型大功率國產(chǎn)工藝做不到要求;第二產(chǎn)品小型化絕緣導(dǎo)熱散熱解決不了,炸機(jī)不穩(wěn)定.現(xiàn)介紹高導(dǎo)熱絕緣陶瓷基板給大家了解學(xué)習(xí),不信折國外模塊產(chǎn)品看下,底部線路板就是陶瓷基板與銅板鍵合的,這種結(jié)構(gòu)緊密,謝謝!
用陶瓷做易碎!
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