求助模塊溫升高解決方案!
標(biāo)準(zhǔn)模塊電源受體積限制,功率越往上,溫升越難控制!請(qǐng)各位賜教解決方案!
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@anjlin
用同步整流方式固然好!但是我的輸出電壓很低!0.75V/16A,而且體積又局限性!就算用同步整流方式做,效率也只有70%幾!溫度仍然很高!我用3m/S的風(fēng)吹,溫度仍然還是過不了!
你發(fā)熱應(yīng)該主要是次級(jí)吧?那你考慮一下用Rds=3mohm左右的Mosfet來做,按你16A時(shí)二極管Vf=1V來估計(jì),估計(jì)能減少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的發(fā)熱量?不清楚您的體積要求多大?我們的同步整流電路可以做在一個(gè)面積大約是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用貼片的面積要另算),全貼片元件,單面板,不需占體積的電感變壓器等元件,元件單面貼裝.能否告訴一下您的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?如果你用的是正激或反激電路我們可以帶demoboard給你加在你的電路上面測(cè)試一下是否可一達(dá)到您的要求.
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@洪七公
你發(fā)熱應(yīng)該主要是次級(jí)吧?那你考慮一下用Rds=3mohm左右的Mosfet來做,按你16A時(shí)二極管Vf=1V來估計(jì),估計(jì)能減少功耗15W左右.你看是否可以降低一下你的發(fā)熱量?不清楚您的體積要求多大?我們的同步整流電路可以做在一個(gè)面積大約是2*2cm的小板上(如果你Mosfet用貼片的面積要另算),全貼片元件,單面板,不需占體積的電感變壓器等元件,元件單面貼裝.能否告訴一下您的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)?如果你用的是正激或反激電路我們可以帶demoboard給你加在你的電路上面測(cè)試一下是否可一達(dá)到您的要求.
是用Buck同步整流方式做的!全是貼片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm
我所用的MOS管Rds為5mΩ的,3mΩ難找!一般的MOS在低壓的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象!我的模塊輸入電壓是3.0-5.5V,輸出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流點(diǎn)在18-40A;所用MOS為SI7882(12V/22A),才開始我用SI7866(20V/40A);但是環(huán)路怎么都調(diào)不穩(wěn)!輸入電壓在4.5以上不振!一但小于4.5V就振蕩!也不知道是什么原因!改用SI7882未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象!請(qǐng)問為什么用SI7866會(huì)振?
我所用的MOS管Rds為5mΩ的,3mΩ難找!一般的MOS在低壓的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象!我的模塊輸入電壓是3.0-5.5V,輸出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流點(diǎn)在18-40A;所用MOS為SI7882(12V/22A),才開始我用SI7866(20V/40A);但是環(huán)路怎么都調(diào)不穩(wěn)!輸入電壓在4.5以上不振!一但小于4.5V就振蕩!也不知道是什么原因!改用SI7882未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象!請(qǐng)問為什么用SI7866會(huì)振?
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@anjlin
是用Buck同步整流方式做的!全是貼片元件!尺寸:50.7*12.7*8.5mm我所用的MOS管Rds為5mΩ的,3mΩ難找!一般的MOS在低壓的時(shí)候會(huì)出現(xiàn)一個(gè)現(xiàn)象!我的模塊輸入電壓是3.0-5.5V,輸出0.75V-3.63V/16A(Vin≥Vout+0.5V),限流點(diǎn)在18-40A;所用MOS為SI7882(12V/22A),才開始我用SI7866(20V/40A);但是環(huán)路怎么都調(diào)不穩(wěn)!輸入電壓在4.5以上不振!一但小于4.5V就振蕩!也不知道是什么原因!改用SI7882未出現(xiàn)振蕩現(xiàn)象!請(qǐng)問為什么用SI7866會(huì)振?
暈.我們的同步整流是用在隔離電源的.
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@洪七公
你說的情況我沒有遇到過,不清楚你是怎么設(shè)計(jì)的同步整流方案,所以不好說,你看看是否換Mosfet后因Mosfet的Ciss和Rds變化了,引起你的控制電路特性也發(fā)生變化造成的?那樣你調(diào)試以下外圍電路看能否解決?你隔離是用的正激還是反激方案?如果是上面的兩種之一,你公司是Vapel吧?我們很近,可以花兩小時(shí)用我們的demoboard試用一下我們的方案看是否能解決?
此問題我已經(jīng)解決了!SI7866的上升時(shí)間較快50nS!在低電壓時(shí),50nS的時(shí)間無法起來!把驅(qū)動(dòng)加一10Ω電阻,在加一反向轉(zhuǎn)陰二極管!問題解決!或者改用RONESAS公司的MOS ATH2160H可以不用加電阻和二極管!此MOS上升時(shí)間在130nS左右!不過兩者相比較,后者最佳!前者低壓問題解決,但是又出現(xiàn)了新的問題!空載振蕩!怎么調(diào)試環(huán)路都無法得以解決!請(qǐng)指教!
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@anjlin
此問題我已經(jīng)解決了!SI7866的上升時(shí)間較快50nS!在低電壓時(shí),50nS的時(shí)間無法起來!把驅(qū)動(dòng)加一10Ω電阻,在加一反向轉(zhuǎn)陰二極管!問題解決!或者改用RONESAS公司的MOSATH2160H可以不用加電阻和二極管!此MOS上升時(shí)間在130nS左右!不過兩者相比較,后者最佳!前者低壓問題解決,但是又出現(xiàn)了新的問題!空載振蕩!怎么調(diào)試環(huán)路都無法得以解決!請(qǐng)指教!
加強(qiáng)Mosfet 的充放電速度解決了就好.
你說的空載振蕩是不是空載時(shí)SR Mosfet 都打開了?
你說的空載振蕩是不是空載時(shí)SR Mosfet 都打開了?
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@anjlin
根本就不是電容容量的問題!是這兩鐘電容ESR值的原因!1206的ESR大一些,1210的ESR小一些;用在模塊中,前者產(chǎn)生的紋波電流較大;影響模塊的穩(wěn)定性能!后者所產(chǎn)生的紋波電流小,所以消除了振蕩!
不曉得你的IC是什么,也就無法知道他的驅(qū)動(dòng)能力,能帶什么MOS,你在G串電阻按道理又會(huì)加大開通損耗,從體積看上去不太象帶外殼的,現(xiàn)在有一種紅外輻射散熱器可以作成外殼,效果上要比普通鋁殼的低7度到10度,我只是測(cè)過這種東西但沒有在產(chǎn)品里用.
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@wtx10
這個(gè)是有可能,平時(shí)我們也不推薦用同規(guī)格的電容并聯(lián),可能會(huì)出現(xiàn)電容間的震蕩,一般是錯(cuò)開,比如總共1000,可以用470,220,什么的組合
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款機(jī)型!VIN=8.3-14V VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流點(diǎn)28A!驅(qū)動(dòng)芯片為TI的TPS40057
用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,電感1.5UH~~~~~~~~~~~~
先前做了一版,效率只有88%、89%!現(xiàn)在改了一版后,效率90%、91%
按客戶的要求為94,現(xiàn)在我怎么都做不上去!還差3個(gè)點(diǎn)!~~~~真暈!忙了又快一個(gè)禮拜了沒點(diǎn)結(jié)果!!!
用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,電感1.5UH~~~~~~~~~~~~
先前做了一版,效率只有88%、89%!現(xiàn)在改了一版后,效率90%、91%
按客戶的要求為94,現(xiàn)在我怎么都做不上去!還差3個(gè)點(diǎn)!~~~~真暈!忙了又快一個(gè)禮拜了沒點(diǎn)結(jié)果!!!
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@anjlin
呵呵!也有可能!我最近又在忙一款機(jī)型!VIN=8.3-14V VOUT=0.7525-5.5V/16A,限流點(diǎn)28A!驅(qū)動(dòng)芯片為TI的TPS40057用同步整流方式做!MOS都用IRF6618,電感1.5UH~~~~~~~~~~~~先前做了一版,效率只有88%、89%!現(xiàn)在改了一版后,效率90%、91%按客戶的要求為94,現(xiàn)在我怎么都做不上去!還差3個(gè)點(diǎn)!~~~~真暈!忙了又快一個(gè)禮拜了沒點(diǎn)結(jié)果!!!
客戶要求到94%是輸出多少的時(shí)候?整個(gè)輸出范圍到這個(gè)程度可懸了.
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