LO1、LO2內(nèi)部軟擊穿!

不會(huì)吧

你的外圍元件應(yīng)該沒(méi)有調(diào)試好吧!

加一個(gè)PDS管

注意你的VCC回路,需要限流.

限流也會(huì)壞!!!只不過(guò)現(xiàn)象不一樣而已.

你所說(shuō)的燒IC是偶然現(xiàn)象還是經(jīng)常性?是制作樣品燒還是批量生產(chǎn)燒?

我的是做樣機(jī)時(shí)燒片子,上一個(gè)壞一個(gè),做過(guò)很多對(duì)策都沒(méi)用.

試一試IXYS的全橋驅(qū)動(dòng)IC吧,MX6895.sam@szapl.com

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接入保護(hù)二極管絕對(duì)不會(huì)燒的,一點(diǎn)保護(hù)措施都沒(méi)有,不燒就牛了(這是IC廠商提供的電路,沒(méi)保護(hù)的,燒的越多IC廠商越高興呀)

IRS2453D燒片的原因很多在于高端供電部分引起,
為了降低成本內(nèi)部采用高壓MOSFET,在低端ON時(shí)同步開通MOSFET對(duì)高端電源充電,但是如果驅(qū)動(dòng)延時(shí)等原因在低端ON時(shí)浮動(dòng)高端電源沒(méi)有及時(shí)降下來(lái),
同步開通MOSFET會(huì)引起電流倒灌,倒灌脈沖造成超過(guò)內(nèi)部MOSFET的安全區(qū)(高壓大電流脈沖),特別是點(diǎn)火的時(shí)候,很容易使內(nèi)部MOSFET損壞,
現(xiàn)象有:
1.VCC有漏電或短路現(xiàn)象;
2.高端電源有漏電;
對(duì)策:
1.減小驅(qū)動(dòng)全橋MOS管的串聯(lián)電阻值;
2.使低端ON前的1us死區(qū)實(shí)現(xiàn)零電壓開通.

IRS2453D的說(shuō)明書不夠詳細(xì),造成大家使用上不夠注意.

高興?還有人買他芯片么

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