求助開發(fā)方案!!請(qǐng)大蝦們幫幫忙
本人現(xiàn)急需開發(fā)一款開關(guān)電源,功能要求:輸入300VDC左右,輸出5VDC10A只一路,請(qǐng)各位指點(diǎn)該用哪種方案開發(fā)?特別是變壓器的設(shè)計(jì),謝謝幫忙不勝感激,在這先謝謝各位了!!!
求助開發(fā)方案!!請(qǐng)大蝦們幫幫忙
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@changlun
應(yīng)當(dāng)用正激電流比較大,電壓相對(duì)較低,應(yīng)當(dāng)用正激.
請(qǐng)講詳細(xì)些!!
能請(qǐng)您講的更詳細(xì)一些嗎?我可不可以用UC3844作控制芯片?因?yàn)檫@種片子比較好買,也不貴.我是一個(gè)剛剛踏入電源這個(gè)門檻的菜鳥,當(dāng)然想經(jīng)濟(jì)實(shí)用一些.還有,補(bǔ)充一句,我此次設(shè)計(jì)的這個(gè)電源不需要太高級(jí),能用就行,但是大家的功勞是不可磨滅的.即使那樣我也會(huì)較有成就感,畢竟是本人的處女作嘛,
能請(qǐng)您講的更詳細(xì)一些嗎?我可不可以用UC3844作控制芯片?因?yàn)檫@種片子比較好買,也不貴.我是一個(gè)剛剛踏入電源這個(gè)門檻的菜鳥,當(dāng)然想經(jīng)濟(jì)實(shí)用一些.還有,補(bǔ)充一句,我此次設(shè)計(jì)的這個(gè)電源不需要太高級(jí),能用就行,但是大家的功勞是不可磨滅的.即使那樣我也會(huì)較有成就感,畢竟是本人的處女作嘛,
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@bingyu-1981
哪位有電路圖?哪位有比較相近的電路圖嗎?還有,12兄,變壓器的其它參數(shù)您還可以講的詳細(xì)些嗎?
電路圖很多書上都有,我在網(wǎng)吧上網(wǎng),沒(méi)法給你.變壓器的參數(shù)就
不好說(shuō)了,和你的頻率,占空比有關(guān).現(xiàn)在我給你假設(shè)一個(gè)條件,計(jì)算一個(gè)變壓器:假設(shè)使用EI30磁芯(有效截面積110平方MM),正激方式,B的擺幅取0.20T,F取100KHZ,輸出整流管設(shè)為0.5V,線路壓降設(shè)為0.3V.設(shè)占空比0.4,則TON=10*0.4=4US,TOFF=6US.再設(shè)最低輸入為250VDC,則初級(jí)匝數(shù)
NP=250*4/110/0.20=45.5T,可取52匝
次級(jí)電壓V2=(0.8+5)/0.4=14.5V,所以匝數(shù)比為250/14.5=17.2,故次級(jí)匝數(shù)
NS=45.5/17.2=2.6T,取3匝
向電源回饋能量的線圈匝數(shù)N=52*0.6/0.4=78T,為避免磁不復(fù)位,取少一點(diǎn),取72T.
設(shè)最高輸入為375VDC,則MOS的電壓最高為375*(1+52/72)=650V.
忽略勵(lì)磁電流則MOS峰值電流IP=12/17.2=0.7A
可選800V,2A的MOS
不好說(shuō)了,和你的頻率,占空比有關(guān).現(xiàn)在我給你假設(shè)一個(gè)條件,計(jì)算一個(gè)變壓器:假設(shè)使用EI30磁芯(有效截面積110平方MM),正激方式,B的擺幅取0.20T,F取100KHZ,輸出整流管設(shè)為0.5V,線路壓降設(shè)為0.3V.設(shè)占空比0.4,則TON=10*0.4=4US,TOFF=6US.再設(shè)最低輸入為250VDC,則初級(jí)匝數(shù)
NP=250*4/110/0.20=45.5T,可取52匝
次級(jí)電壓V2=(0.8+5)/0.4=14.5V,所以匝數(shù)比為250/14.5=17.2,故次級(jí)匝數(shù)
NS=45.5/17.2=2.6T,取3匝
向電源回饋能量的線圈匝數(shù)N=52*0.6/0.4=78T,為避免磁不復(fù)位,取少一點(diǎn),取72T.
設(shè)最高輸入為375VDC,則MOS的電壓最高為375*(1+52/72)=650V.
忽略勵(lì)磁電流則MOS峰值電流IP=12/17.2=0.7A
可選800V,2A的MOS
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