在單管反激拓樸里 一般mos過熱的問題除了變壓器飽和外 還有mos的開關(guān)損耗過大的問題
小弟想請(qǐng)教一下 磁飽和是否可從mos的vds波形或源級(jí)端的檢測(cè)電阻上的波形來觀察?在ccm模式下波形應(yīng)該是有斜率的階梯形
那mos的開關(guān)損耗過大應(yīng)該如何去觀察呢?
最近用3843于輸入9v時(shí)直接驅(qū)動(dòng)mos管 但是溫升太高
在確定變壓器沒有飽和下 懷疑是mos的開關(guān)損耗過大
請(qǐng)各位大哥能提供些意見給小弟 謝謝