我的開關(guān)電路的MOS管采用的是IR公司的IRF450,最近這個(gè)管子老是燒,在查資料時(shí)看到這樣一段消息:
美國(guó)APT公司在1996年實(shí)現(xiàn)了第五代功率MOSFET的突破性發(fā)展.由于采用了三維設(shè)計(jì)完成了特殊的控槽工藝,實(shí)現(xiàn)了叉指式開胞溝槽設(shè)計(jì).它擴(kuò)大了芯片的有源面積,更好的抑制了寄生雙極管的導(dǎo)通現(xiàn)象(這是燒毀MOSFET的主要原因),提高了雪崩能量的額定值Eas,并有效的減少了通態(tài)電阻值Rds(on),降低了雙極管激活效應(yīng).
APT公司第五代MOSFET功率器件的雪崩能量額定值Eas在出廠前做100%的測(cè)試,使其有更高的可靠性.因?yàn)镸OSFET燒毀的主要原因是寄生雙極管導(dǎo)通,有兩種可能:一是MOSFET體內(nèi)二極管的反向恢復(fù)電流,它流經(jīng)雙極管基區(qū)使EB結(jié)正偏達(dá)0.7V而導(dǎo)通;二是出現(xiàn)雪崩擊穿時(shí)MOSFET耗盡層內(nèi)的電子空穴流向源極也使雙極管激活導(dǎo)通.APT公司的全面測(cè)量Eas大大提高了新產(chǎn)品的可靠性.
請(qǐng)教各位高手誰能給我詳細(xì)的解釋一下上面的這段話,雙極管是什么?Eas和雙極管有什么關(guān)系?我用IRF450時(shí),柵極脈沖電壓13.6V,漏極電壓380V.
MOS管燒壞原因分析!請(qǐng)各位大俠不吝賜教!!!
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附IR公司IRF450的datasheet1101429301.pdf
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通常來說,雙極管是指有兩種載流子同時(shí)參與導(dǎo)電,即電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電.如雙極晶體管,NPN或PNP.與雙極晶體管相對(duì)應(yīng)的是單極晶體管,如MOSFET.正如你所說的,MOSFET燒毀的主要原因是寄生雙極管導(dǎo)通,理論上寄生雙極管導(dǎo)通是可以避免的,因?yàn)樵贛OSFET制作過程中,已經(jīng)將柵極、源極進(jìn)行了短路,即MOSFET中只寄生一個(gè)體二極管,但當(dāng)MOSFET管發(fā)生雪崩擊穿時(shí),將使得大量電流流過體二極管,電流流過雙極管基區(qū)使EB結(jié)正偏電壓達(dá)0.7V而導(dǎo)通,即寄生雙極管導(dǎo)通,使MOSFET燒毀.Eas為單脈沖雪崩能量,Ear為可重復(fù)性雪崩能量,E＝BVdss*Id*t,BVdss為漏源擊穿電壓,Id為漏極電流額定值,t為時(shí)間,雪崩能量越大,管子所能承受的雪崩時(shí)間越長(zhǎng),可靠性越高.APT的MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測(cè)試,而且雪崩能量比較高,所以具有更高的可靠性.
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我也看過你提到的有關(guān)APT的報(bào)道,它采用了叉指式開放元胞設(shè)計(jì),擴(kuò)大了芯片的有源面積,降低了導(dǎo)通電阻,增強(qiáng)了通流能力.而且為了更好的滿足開關(guān)電源設(shè)計(jì)要求,他們又推出了第七代MOSFET,采用了更新的工藝技術(shù),再一次降低了導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗,可靠性和效率都得到了進(jìn)一步提高.聽說APT的MOS7 IGBT在開關(guān)電源方面用的非常好,而且價(jià)格比MOSFET便宜很多.你的電路問題出在哪里,是管子的問題還是電路設(shè)計(jì)有問題?
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