MOS管 導(dǎo)通尖峰 VDS過(guò)大
用IR2110驅(qū)動(dòng)MOS管 結(jié)IRFP460 先上30V電測(cè)試 結(jié)果導(dǎo)通VDS有很高的導(dǎo)通尖峰有什么辦法嗎
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@zhangyiping
應(yīng)當(dāng)是采用LLC的電路模式吧，尖峰過(guò)大的主要原因是容性導(dǎo)通，通常出現(xiàn)占空比偏小了，圖中GS怎么會(huì)并聯(lián)100歐電阻，太小了，通常10K,5K1，太小的占空比自然比較小，估計(jì)抄錯(cuò)了吧，解決的方法是占空比必須增大，驅(qū)動(dòng)不需要太快，慢了一些的占空比自然就比較大一些，調(diào)整驅(qū)動(dòng)阻抗，可以適當(dāng)控制占空比，達(dá)到0,45-46左右比較適合。
嗯，我用的是5K1的 我占空比確實(shí)比較小
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@zhangyiping
應(yīng)當(dāng)是采用LLC的電路模式吧，尖峰過(guò)大的主要原因是容性導(dǎo)通，通常出現(xiàn)占空比偏小了，圖中GS怎么會(huì)并聯(lián)100歐電阻，太小了，通常10K,5K1，太小的占空比自然比較小，估計(jì)抄錯(cuò)了吧，解決的方法是占空比必須增大，驅(qū)動(dòng)不需要太快，慢了一些的占空比自然就比較大一些，調(diào)整驅(qū)動(dòng)阻抗，可以適當(dāng)控制占空比，達(dá)到0,45-46左右比較適合。
能請(qǐng)您幫我看下嗎 ch1是gs CH2是ds 為啥GS關(guān)閉之后還有段DS是導(dǎo)通的 導(dǎo)致我兩個(gè)mos管間的波形沒(méi)有死區(qū)
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