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-48V電源熱插拔緩起MOSFET燒毀

由于是同一個(gè)問(wèn)題,我在多個(gè)網(wǎng)站都提了問(wèn),希望有更多的解惑。所以這里指發(fā)一下連接了:

http://www.deyisupport.com/question_answer/analog/battery_management/f/35/t/136715.aspx

主要就是用MOSFET緩起,發(fā)現(xiàn)輸入是MOSFET燒了。

QQ截圖20170727170337

Vin=-36V~-72V, Vee是-, BGND是+。R1=R2=1MΩ, R3=300KΩ,R5=100KΩ,C32=0.03uF, MOSFET選的是IRF3710, 負(fù)載電容C86=600uF,設(shè)備正常工作在-48V,負(fù)載功耗約200W(IL=4A).Q1是用來(lái)做緩起動(dòng)的,Q2是為了防反接的。MOSFET是DDPAK封裝,Ciss=2700pF,Crss=150pF,RDson=18mΩ,DS耐壓100V,GS耐壓20V。

問(wèn)題描述:①-50V上電發(fā)現(xiàn)電源連接器打火,認(rèn)為緩起MOSFET沒(méi)起作用,結(jié)果發(fā)現(xiàn)Q1的DS已經(jīng)短路了,加工回來(lái)的新板子,第一次上電正常,后面因?yàn)镸OSFET燒毀就打火了。

改進(jìn):②將R1+R2改到300K,R3+R5=68K,發(fā)現(xiàn)在43V輸入正常,不打火,正常啟動(dòng),但在50V輸入時(shí)Q1又燒毀了。

繼續(xù)改進(jìn):③R1+R2=68K,R3+R5=14K,72V輸入正常,Q1沒(méi)有燒毀,但是打火嚴(yán)重啊,啪啪的聲音,電源連接頭都看出來(lái)燒糊了。

請(qǐng)問(wèn)電路設(shè)計(jì)有問(wèn)題嗎?怎樣保證既不打火又不燒MOSFET管?MOSFET管為什么會(huì)燒呢?

我后來(lái)又在網(wǎng)上找了一些資料,就是利用米勒平臺(tái)來(lái)控制最大電流的,在第②種條件下,Q1的gd之間飛了一個(gè)1k電阻和15nF的電容,還是燒。MOSFET管都燒了幾十個(gè)了!

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hmy123456
LV.6
2
2017-07-27 21:41
并聯(lián)mos,不行多并聯(lián)幾個(gè),再不行換電路
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06007507
LV.3
3
2017-07-28 08:40
@hmy123456
并聯(lián)mos,不行多并聯(lián)幾個(gè),再不行換電路
負(fù)載正常只要4A,一個(gè)完全承受的住,為什么要并聯(lián),一個(gè)管子3塊多錢。換電路怎么個(gè)換法呢,我也想知道啊,不用專用IC怎么搞定?
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2017-07-28 10:00
不知道對(duì)不對(duì),你的驅(qū)動(dòng)雖然電壓計(jì)算很高,但是驅(qū)動(dòng)電流才1mA。你把驅(qū)動(dòng)改為外接一個(gè)電源12V+10Ω電阻試下,如果沒(méi)問(wèn)題,你就改改驅(qū)動(dòng)吧。
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2017-08-15 15:20
本帖已入選每日一問(wèn)活動(dòng)中,活動(dòng)詳情戳:

http://www.zjkrx.cn/bbs/1547220.html




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