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OB5282方案效率效很高了溫度居高不下,求指導(dǎo)!

12V5A輸出,90V輸入版端效率88.6%了。90V輸入40度環(huán)境下打溫度,變壓器線包打出118度,磁芯107。AC座和光耦,大電解溫度都有點偏高。變壓器改來改出無用?,F(xiàn)在的變壓器(PQ2620)參數(shù):NP:0.35*2P*32TS    NS:0.6*4P*5TS   NF:0.25*2P*7TS     三明治繞法。請各位大蝦分析一下怎么破?

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2017-03-15 11:27
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2017-03-15 11:59

幾個方向讓你參考:

內(nèi)部溫度會升高, 主要是外部溫度升高所致, 例如環(huán)溫25度C, 元件85度C, 外部升高到40度C, 則元件溫度會達(dá)100度C

單一元件溫度會昇高, 除了受外部影響外, 周圍有高溫元件與低溫元件沒有吸收熱有關(guān), 所以從你的Layout 看來, 有幾點需修改

1). 輸出二極體與變壓器太近, 所以二極體的熱把變壓器溫度帶上來

2). 橋式整流與主切換晶體的熱把周圍元件熱帶上來

解決方式

如圖

在最省的材料下, 於變壓器上面以導(dǎo)熱膠黏貼一片小銅片把變壓器的熱導(dǎo)出來(這方法非必要), 另外兩邊散熱片鑽孔, 兩邊散熱片, 在光耦那一端多鑽幾個2.5mm孔,靠近磁珠端鑽幾個孔

另一側(cè)在大電容端鑽孔....這樣溫度就會降下來......

因為你這結(jié)構(gòu)應(yīng)該Adapter 有膠殼, 只能自然散熱, 所以必須讓不熱的元件吸收熱元件來達(dá)到熱平衡

鑽孔的目的是讓內(nèi)部熱循環(huán)時, 散熱片有較大的面積與空氣接觸, 才能很快將熱導(dǎo)出, 讓不熱元件吸收.....

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2017-03-15 12:32
@juntion
幾個方向讓你參考:內(nèi)部溫度會升高,主要是外部溫度升高所致,例如環(huán)溫25度C,元件85度C,外部升高到40度C,則元件溫度會達(dá)100度C單一元件溫度會昇高,除了受外部影響外,周圍有高溫元件與低溫元件沒有吸收熱有關(guān),所以從你的Layout看來,有幾點需修改1).輸出二極體與變壓器太近,所以二極體的熱把變壓器溫度帶上來2).橋式整流與主切換晶體的熱把周圍元件熱帶上來解決方式如圖[圖片]在最省的材料下,於變壓器上面以導(dǎo)熱膠黏貼一片小銅片把變壓器的熱導(dǎo)出來(這方法非必要),另外兩邊散熱片鑽孔,兩邊散熱片,在光耦那一端多鑽幾個2.5mm孔,靠近磁珠端鑽幾個孔另一側(cè)在大電容端鑽孔....這樣溫度就會降下來......因為你這結(jié)構(gòu)應(yīng)該Adapter有膠殼,只能自然散熱,所以必須讓不熱的元件吸收熱元件來達(dá)到熱平衡鑽孔的目的是讓內(nèi)部熱循環(huán)時,散熱片有較大的面積與空氣接觸,才能很快將熱導(dǎo)出,讓不熱元件吸收.....
多謝大師了,那么除去散熱片這個還能否從元器件整體參數(shù)去改善呢。因為已經(jīng)有安規(guī)報備,無法從layout這個下手了。
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liu_yaer
LV.6
5
2017-03-15 12:59
效率太低,采用SR方案吧,平均效率可提升至92%
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2017-03-15 13:35
@zhanglei2013
多謝大師了,那么除去散熱片這個還能否從元器件整體參數(shù)去改善呢。因為已經(jīng)有安規(guī)報備,無法從layout這個下手了。

只能從散熱片著手, 改任何值, 破壞性測試要重測, 5V這種效率已經(jīng)很高了....試看打孔, 要不兩顆二次整流二極體再用

LOW VF二極體試試, 這種只要Rating 夠, 安規(guī)不會管的.......

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2017-03-16 08:49

傳統(tǒng)做法,這種效率不錯了,電性能沒問題情況下,熱問題只能是從散熱器方面想辦法了。

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msz181818
LV.9
8
2017-03-16 12:57
@zz052025
傳統(tǒng)做法,這種效率不錯了,電性能沒問題情況下,熱問題只能是從散熱器方面想辦法了。

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2017-03-16 13:07
@zhanglei2013
多謝大師了,那么除去散熱片這個還能否從元器件整體參數(shù)去改善呢。因為已經(jīng)有安規(guī)報備,無法從layout這個下手了。
既然已經(jīng)做了安規(guī),那變壓器也不能改了。上多點導(dǎo)熱膠吧,用好一點的膠,可以低幾度。
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huangyi59
LV.4
10
2017-03-16 16:22
@juntion
幾個方向讓你參考:內(nèi)部溫度會升高,主要是外部溫度升高所致,例如環(huán)溫25度C,元件85度C,外部升高到40度C,則元件溫度會達(dá)100度C單一元件溫度會昇高,除了受外部影響外,周圍有高溫元件與低溫元件沒有吸收熱有關(guān),所以從你的Layout看來,有幾點需修改1).輸出二極體與變壓器太近,所以二極體的熱把變壓器溫度帶上來2).橋式整流與主切換晶體的熱把周圍元件熱帶上來解決方式如圖[圖片]在最省的材料下,於變壓器上面以導(dǎo)熱膠黏貼一片小銅片把變壓器的熱導(dǎo)出來(這方法非必要),另外兩邊散熱片鑽孔,兩邊散熱片,在光耦那一端多鑽幾個2.5mm孔,靠近磁珠端鑽幾個孔另一側(cè)在大電容端鑽孔....這樣溫度就會降下來......因為你這結(jié)構(gòu)應(yīng)該Adapter有膠殼,只能自然散熱,所以必須讓不熱的元件吸收熱元件來達(dá)到熱平衡鑽孔的目的是讓內(nèi)部熱循環(huán)時,散熱片有較大的面積與空氣接觸,才能很快將熱導(dǎo)出,讓不熱元件吸收.....
變壓器下面空著的地方也打兩個孔,這個不改Layout。
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2017-03-16 19:18
@huangyi59
變壓器下面空著的地方也打兩個孔,這個不改Layout。
多謝,可以試著看。另外的話我已經(jīng)打樣PC95的磁芯了。理論上可能會好點
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2017-03-16 19:19
@liu_yaer
效率太低,采用SR方案吧,平均效率可提升至92%
改不了了,開案之初居然沒考慮同步整流,我也是醉了
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2017-03-16 19:20
@心如刀割
既然已經(jīng)做了安規(guī),那變壓器也不能改了。上多點導(dǎo)熱膠吧,用好一點的膠,可以低幾度。

謝謝。試過效果不太理想呢。

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2017-03-16 19:22
@juntion
只能從散熱片著手,改任何值,破壞性測試要重測,5V這種效率已經(jīng)很高了....試看打孔,要不兩顆二次整流二極體再用LOWVF二極體試試,這種只要Rating夠,安規(guī)不會管的.......
多謝指導(dǎo)。已經(jīng)打樣PC95磁芯和好點的導(dǎo)熱泥了,再按您這說的開孔應(yīng)該問題不大了。
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2017-03-16 19:23
@zz052025
傳統(tǒng)做法,這種效率不錯了,電性能沒問題情況下,熱問題只能是從散熱器方面想辦法了。
謝謝,我這打算還是開孔和加點膠的方式了
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liushu@
LV.4
16
2017-03-17 21:09
給你個方法: 變壓器頂部貼導(dǎo)熱矽膠片,散熱片蓋到變壓器頂部,矽膠片與散熱片接觸,同時散熱片打孔。
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2017-03-17 21:40
@zhanglei2013
改不了了,開案之初居然沒考慮同步整流,我也是醉了
一般12V都不做同步整流
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2017-03-17 21:42
變壓器電感量是多少?
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liushu@
LV.4
19
2017-03-17 21:55
@edie87@163.com
變壓器電感量是多少?
懷疑樓主的變壓器電感量比較大,通過透支變壓器的B值,減少圈數(shù)來提高效率。
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2017-03-17 22:03
@edie87@163.com
一般12V都不做同步整流
其實這個都是做系列的機(jī)種,輸出電壓3.8-36V  最大輸出電流7A
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2017-03-17 22:05
@edie87@163.com
變壓器電感量是多少?
電感量500uH,沒有出現(xiàn)飽和
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2017-03-17 22:09
@liushu@
懷疑樓主的變壓器電感量比較大,通過透支變壓器的B值,減少圈數(shù)來提高效率。
其實電感量也只有500uH,看過電流波形沒出現(xiàn)磁飽和現(xiàn)象。理論上是認(rèn)為只要90V滿載效率OK溫升應(yīng)該不會有問題,實際變壓器溫度沒降,輸入電感和橋堆的溫度倒是降了很多,不解。
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2017-03-17 22:14
@liushu@
給你個方法:變壓器頂部貼導(dǎo)熱矽膠片,散熱片蓋到變壓器頂部,矽膠片與散熱片接觸,同時散熱片打孔。
多謝指導(dǎo)
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liushu@
LV.4
24
2017-03-17 22:24
@zhanglei2013
其實電感量也只有500uH,看過電流波形沒出現(xiàn)磁飽和現(xiàn)象。理論上是認(rèn)為只要90V滿載效率OK溫升應(yīng)該不會有問題,實際變壓器溫度沒降,輸入電感和橋堆的溫度倒是降了很多,不解。
線包采用多股利茲線,改善溫升. 另外變壓器的圈比還可以放大點.
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tankchen
LV.4
25
2017-03-18 14:16
給你算算:按你的圈數(shù)來計算,(假設(shè)f=65KHZ的情況下計算,因為你沒有給出頻率)磁通密度=1538 GS,理論上分析,磁密不高,溫度應(yīng)該不超過100度才對,從你的回復(fù)來看,線圈溫度跑到118度,又十分異常,因為初級與次級的電流密度:3.46A/mm^2, 次級4.44A/mm^2計算起來并不算很高,理論上來說是比較舒服的,如果你的電路用的是單端反端的話,我建議你在繞法上再改善一下,比如說5明治,7明治,考慮到趨膚深度,把次級的0.6*4P 換成0.1*70*2股來繞,初級 32TS--次級5TS--初級32TS--次級-5TS--初級 32TS--AUX 7TS(把初級的繞再細(xì)分0.2mm*1) , 如果次級5TS繞不滿的話,就用雙線0.1*35股來分細(xì),布滿整個幅寬, 這樣繞的話,漏感應(yīng)在0.5uH以內(nèi)就對了,而你上面的漏感,應(yīng)在5uH左右,減少了接近10倍,效率會提高1個點左右,可以嘗試下
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tankchen
LV.4
26
2017-03-18 14:17
@tankchen
給你算算:按你的圈數(shù)來計算,(假設(shè)f=65KHZ的情況下計算,因為你沒有給出頻率)磁通密度=1538GS,理論上分析,磁密不高,溫度應(yīng)該不超過100度才對,從你的回復(fù)來看,線圈溫度跑到118度,又十分異常,因為初級與次級的電流密度:3.46A/mm^2,次級4.44A/mm^2計算起來并不算很高,理論上來說是比較舒服的,如果你的電路用的是單端反端的話,我建議你在繞法上再改善一下,比如說5明治,7明治,考慮到趨膚深度,把次級的0.6*4P換成0.1*70*2股來繞,初級32TS--次級5TS--初級32TS--次級-5TS--初級32TS--AUX7TS(把初級的繞再細(xì)分0.2mm*1),如果次級5TS繞不滿的話,就用雙線0.1*35股來分細(xì),布滿整個幅寬,這樣繞的話,漏感應(yīng)在0.5uH以內(nèi)就對了,而你上面的漏感,應(yīng)在5uH左右,減少了接近10倍,效率會提高1個點左右,可以嘗試下
當(dāng)然,如果是我的話,我會把頻率提升,你說是不是
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2017-03-18 22:20
@tankchen
當(dāng)然,如果是我的話,我會把頻率提升,你說是不是
呵呵,我也想過這個問題,問題是這顆IC不能設(shè)置頻率。沒得解啊
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tankchen
LV.4
28
2017-03-20 12:05
@zhanglei2013
呵呵,我也想過這個問題,問題是這顆IC不能設(shè)置頻率。沒得解啊
樓主果然是硬傷! 佩服!
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吳志斌
LV.2
29
2017-06-05 18:30
@liu_yaer
效率太低,采用SR方案吧,平均效率可提升至92%
你有SR方案么,現(xiàn)在正在找方案!
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2017-06-06 09:17
@吳志斌
你有SR方案么,現(xiàn)在正在找方案!
做多大功率,什么要求先
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liu_yaer
LV.6
31
2017-06-07 15:12
@吳志斌
你有SR方案么,現(xiàn)在正在找方案!
我這邊有,可以參考SR-Lyout Suggestion-LIUYANG.pdf
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