推挽尖峰過大
各位大神，本人在做推挽升壓前級電路時，遇到了MOS管尖峰電壓過高的問題，如圖中所示最高電壓達(dá)到了300多伏，電源電壓為100V。這樣負(fù)載加大后管子耐壓很危險（管子耐壓為500V）。下圖中黃色的波形為MOS驅(qū)動端的波形，藍(lán)色波形為Vds。請問哪位大神遇到過類似的問題呢？麻煩指導(dǎo)一下，謝謝。
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@POWER_AC
啟機瞬間的尖峰是無法避免的。如果是閉環(huán)控制，尖峰是可以通過一些手段來降低，保證在管子的耐壓以內(nèi)?？茨悴ㄐ?，應(yīng)該是閉環(huán)控制，那就修改RCD吸收和變壓器繞制方法吧。
現(xiàn)在都不清楚他的電路圖，都下結(jié)論。如果是逆變器，低壓直流升壓到350--450V，推挽后級是用快恢復(fù)二極管做橋式整流的話，只需要在變壓器次級和橋式整流之間加CBB電容，具體加多大CBB,什么原理我就不說了，如果是通信專業(yè)畢業(yè)的學(xué)生很容易明白原理的，可以保證一點尖峰電壓都沒有，還能提高效率。蕭山老獸，鐘工都是這樣處理尖峰的，不懂的不要亂說，我在論壇里說的很清楚去看別人的帖子，加RCD吸收尖峰會影響效率的。
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@空軍通信兵
現(xiàn)在都不清楚他的電路圖，都下結(jié)論。如果是逆變器，低壓直流升壓到350--450V，推挽后級是用快恢復(fù)二極管做橋式整流的話，只需要在變壓器次級和橋式整流之間加CBB電容，具體加多大CBB,什么原理我就不說了，如果是通信專業(yè)畢業(yè)的學(xué)生很容易明白原理的，可以保證一點尖峰電壓都沒有，還能提高效率。蕭山老獸，鐘工都是這樣處理尖峰的，不懂的不要亂說，我在論壇里說的很清楚去看別人的帖子，加RCD吸收尖峰會影響效率的。
不想跟你爭論，那個是軟開關(guān)。開機瞬間是沒辦法通過加RCD吸收進行抑制的
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@空軍通信兵
現(xiàn)在都不清楚他的電路圖，都下結(jié)論。如果是逆變器，低壓直流升壓到350--450V，推挽后級是用快恢復(fù)二極管做橋式整流的話，只需要在變壓器次級和橋式整流之間加CBB電容，具體加多大CBB,什么原理我就不說了，如果是通信專業(yè)畢業(yè)的學(xué)生很容易明白原理的，可以保證一點尖峰電壓都沒有，還能提高效率。蕭山老獸，鐘工都是這樣處理尖峰的，不懂的不要亂說，我在論壇里說的很清楚去看別人的帖子，加RCD吸收尖峰會影響效率的。
看到過其它人說的軟開關(guān)是需要在開環(huán)情況下，占空比一定、死區(qū)時間一定，這個是閉環(huán)，能夠?qū)崿F(xiàn)軟開關(guān)么？
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@空軍通信兵
發(fā)幾張示波器測試圖片，看不到原理圖沒辦法幫你分析的。推挽電路已經(jīng)是很成熟的電路了，沒必要什么技術(shù)保密的，別人沒必要去學(xué)習(xí)你的缺陷電路的。
逆變前級
同樣我是用推挽閉迴路, 不然待機功耗大, 推挽, Layout 若不好, Peak會很大是正常的, 且偏磁會變大因為左右管不平均, 從樓主PO波形看來, 光驅(qū)動就有問題了, 何況是功放端......
這就Layout問題有啥好爭的........
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@juntion
[圖片]逆變前級[圖片]推挽波形:Ch1,Ch2左右管, Ch3左管驅(qū)動波形[圖片]輸入20-28V轉(zhuǎn)170V給後端SPWM轉(zhuǎn)正弦110V,目標(biāo)10KW足,Peak18KW效率目標(biāo)作到96%同樣我是用推挽閉迴路,不然待機功耗大,推挽,Layout若不好,Peak會很大是正常的,且偏磁會變大因為左右管不平均,從樓主PO波形看來,光驅(qū)動就有問題了,何況是功放端......這就Layout問題有啥好爭的........
版主，你這VDS波形也太漂亮了呀，能否截 一個半載的波形看下。不過你的升壓比不是很高，而且變壓器的數(shù)量好像也不少吧，能否簡單介紹一下如何控制漏感引起的尖峰呀！
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@POWER_AC
版主，你這VDS波形也太漂亮了呀，能否截一個半載的波形看下。不過你的升壓比不是很高，而且變壓器的數(shù)量好像也不少吧，能否簡單介紹一下如何控制漏感引起的尖峰呀！
我這推挽有作閉迴路, 輸出要轉(zhuǎn)逆變AC110V純正弦, 理論電壓是要打到200V, 但我在試SIC元件, 把SPWM頻率拉到200Khz以上, 諧振電感才會小, 因為要作到10KW, Peak 18KW......
推挽有一個缺點是會有偏磁在兩管MOSFET死區(qū)之間, 當(dāng)電流一拉大以後, 偏磁造成的尖峰就會變大
解決的方法是在Layout上除了佈局Driver 共地問題以外, MOSFET_D連接變壓器引腳要儘量"等面積"
像這樣
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@juntion
我這推挽有作閉迴路,輸出要轉(zhuǎn)逆變AC110V純正弦,理論電壓是要打到200V,但我在試SIC元件,把SPWM頻率拉到200Khz以上,諧振電感才會小,因為要作到10KW,Peak18KW......推挽有一個缺點是會有偏磁在兩管MOSFET死區(qū)之間,當(dāng)電流一拉大以後,偏磁造成的尖峰就會變大解決的方法是在Layout上除了佈局Driver共地問題以外,MOSFET_D連接變壓器引腳要儘量"等面積"像這樣[圖片]當(dāng)你不等長或不等面積,則流過電流因為兩管不平均,間峰就會產(chǎn)生....
版主，能否多拍幾張圖片，或者把主板的PCB發(fā)上來給我們大伙一起學(xué)習(xí)一下，不知道可以不？
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@zyfdyw
關(guān)鍵是不是全電壓范圍處于閉環(huán)狀態(tài)。開環(huán)和輕負(fù)載好控制的。
做逆變器不能用閉環(huán)負(fù)反饋的，要用開環(huán)限副，變壓器次級和整流管之間加CBB電容，已達(dá)到諧振，才能消除劍鋒。高頻變壓器相當(dāng)于一個電感，電感加電熔就是LC，當(dāng)L和C諧振時，電路就是一個純電阻特性的電路。一般劍鋒電壓的產(chǎn)生是漏感（反激式），雙極性架構(gòu)劍鋒電壓是死區(qū)造成的。單純的減小變壓器漏感是搞不定的，要加CBB電熔，加多個CBB.
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