高頻變壓器磁心外銅屏蔽能不能不接地，如果接地的話應(yīng)該接到初級(jí)還是次級(jí)地？
反激和半橋的高頻變壓器磁心外銅屏蔽能不能不接地，如果接地的話應(yīng)該接到初級(jí)還是次級(jí)地？
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理論上, 外銅箔屏蔽大多是接在一次側(cè)的"地", 很少會(huì)接在二次側(cè), 主要是干擾源通常來(lái)自一次側(cè)而非二次側(cè), 且二次側(cè)當(dāng)接上負(fù)載時(shí), 地線的反饋
可能讓你的EMI變差, 不過(guò)也很難說(shuō), 有時(shí)因?yàn)長(zhǎng)ayout問(wèn)題, 可能接在二次地會(huì)比較好, 看EMI測(cè)試而定...
幾個(gè)考量:
1). EMI 測(cè)試傳導(dǎo)或輻射時(shí)需要接到二次第才可以過(guò)
2). 申請(qǐng)安規(guī)容許(不申請(qǐng)安規(guī)可以不理他): 安規(guī)有規(guī)定, 當(dāng)你外銅箔接到一次時(shí), 變壓器整個(gè)Core就屬於Pri, 所以除了一次側(cè)元件以外,
二次側(cè)靠近變壓器的元件其"延面距離"必須大於4mm以上, 且零件在施加硬力時(shí)頃導(dǎo)於變壓器不能接觸到, 所以因應(yīng)這一點(diǎn), 你若距離不足, 需增加絕緣
片, 非固定元件, 如立式電容或電阻, 必須加黃膠固定...
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@juntion
理論上,外銅箔屏蔽大多是接在一次側(cè)的"地",很少會(huì)接在二次側(cè),主要是干擾源通常來(lái)自一次側(cè)而非二次側(cè),且二次側(cè)當(dāng)接上負(fù)載時(shí),地線的反饋可能讓你的EMI變差,不過(guò)也很難說(shuō),有時(shí)因?yàn)長(zhǎng)ayout問(wèn)題,可能接在二次地會(huì)比較好,看EMI測(cè)試而定...幾個(gè)考量:1).EMI測(cè)試傳導(dǎo)或輻射時(shí)需要接到二次第才可以過(guò)2).申請(qǐng)安規(guī)容許(不申請(qǐng)安規(guī)可以不理他):安規(guī)有規(guī)定,當(dāng)你外銅箔接到一次時(shí),變壓器整個(gè)Core就屬於Pri,所以除了一次側(cè)元件以外, 二次側(cè)靠近變壓器的元件其"延面距離"必須大於4mm以上,且零件在施加硬力時(shí)頃導(dǎo)於變壓器不能接觸到,所以因應(yīng)這一點(diǎn),你若距離不足,需增加絕緣 片,非固定元件,如立式電容或電阻,必須加黃膠固定...
謝謝指教！我就是考慮如果接初級(jí)地一定會(huì)影響安規(guī)問(wèn)題才有這一問(wèn)。所以我想把它接次級(jí)地，但又不知是否合理？如果接在初級(jí)地的話，把銅箔包多層膠帶（三層以上）是否就符合安規(guī)了。還有一問(wèn)，不接地可以起到屏蔽的作用嗎？
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@lyf2130790
謝謝指教！我就是考慮如果接初級(jí)地一定會(huì)影響安規(guī)問(wèn)題才有這一問(wèn)。所以我想把它接次級(jí)地，但又不知是否合理？如果接在初級(jí)地的話，把銅箔包多層膠帶（三層以上）是否就符合安規(guī)了。還有一問(wèn)，不接地可以起到屏蔽的作用嗎？
不接地屏蔽較差, 建議還是接地較好, 不過(guò)如果是EMI問(wèn)題非屏蔽不可, 那也沒(méi)辦法, 一般接一次地時(shí)考量很多, 所以你會(huì)看到一些Power 把變壓器用黃色膠帶包的跟肉粽一樣, 為的就是閃安規(guī), 相對(duì)的, 變壓器散熱就會(huì)較差
不過(guò)屏蔽的方式也不是外屏蔽一種, 通常可繞在裡面, 繞法
NP / 屏蔽(從一次地接,細(xì)線約0.2mm, Bobbin繞滿) 出線浮接/ 三層絕緣線 / 屏蔽(跟前面一樣) / NP / AUX ///
另一種:
屏蔽 / NP / 三層絕緣線 / NP / AUX / 屏蔽 /// <==代表Tape 三層 屏蔽一定是起線接一次地, 繞滿後出線不接任何點(diǎn), 用膠帶貼住就好
一般傳導(dǎo)或輻射外一層屏蔽就夠了, 當(dāng)然兩層會(huì)更好, 但繞線槽必須繞的下, 且細(xì)線不好繞.......
就醬囉.....
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@juntion
不接地屏蔽較差,建議還是接地較好,不過(guò)如果是EMI問(wèn)題非屏蔽不可,那也沒(méi)辦法, 一般接一次地時(shí)考量很多,所以你會(huì)看到一些Power把變壓器用黃色膠帶包的跟肉粽一樣,為的就是閃安規(guī), 相對(duì)的,變壓器散熱就會(huì)較差 不過(guò)屏蔽的方式也不是外屏蔽一種,通?？衫@在裡面,繞法NP/屏蔽(從一次地接,細(xì)線約0.2mm,Bobbin繞滿)出線浮接/三層絕緣線/屏蔽(跟前面一樣)/NP/AUX///另一種:屏蔽/NP/三層絕緣線/NP/AUX/屏蔽///
如果把屏蔽層放在繞組的話，好像不能對(duì)磁心的漏磁進(jìn)行屏蔽。你看這樣安排是否可以。NP靜端起初級(jí)一層三重線/屏蔽層//次級(jí)//屏蔽層/初級(jí)一層三重線（MOS的D極）/VCC供電繞組（三重線）/。然后連磁心一起///銅箔屏蔽層///。三個(gè)屏蔽層都接在初級(jí)的NP靜端。
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@lyf2130790
如果把屏蔽層放在繞組的話，好像不能對(duì)磁心的漏磁進(jìn)行屏蔽。你看這樣安排是否可以。NP靜端起初級(jí)一層三重線/屏蔽層//次級(jí)//屏蔽層/初級(jí)一層三重線（MOS的D極）/VCC供電繞組（三重線）/。然后連磁心一起///銅箔屏蔽層///。三個(gè)屏蔽層都接在初級(jí)的NP靜端。
可以，只要你繞的下，通常外屏蔽是對(duì)磁芯兩端與中柱做包覆，主要是GAP磨在中柱，所以漏磁大，兩端雖沒(méi)GAP, 但不保證會(huì)全密合，所以外屏蔽是以前常用的，但現(xiàn)在所用的磁芯通常高斯值不高，且很多PWM IC都有對(duì)切換前後波形做處理，所以現(xiàn)在反而是在變壓器內(nèi)外線圈等效電容互相交連問(wèn)體較大
所以加屏蔽不但可以消中柱漏磁相對(duì)減少層與層間的電容......
但必需注意，轉(zhuǎn)換效率的好壞，除了圈數(shù)，線徑的設(shè)計(jì)，還有層與層之間的密合度，越密合漏感少效率高，不然屏蔽怎繞，只要有繞就會(huì)有效果，
只是不保證EMI一定過(guò).....
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