電子漿料簡(jiǎn)介
21世紀(jì),電子信息技術(shù)向著微型化、高集成化、高頻化與多維化的方向發(fā)展.隨著電子設(shè)備應(yīng)用的空前普及和生產(chǎn)技術(shù)的自動(dòng)化程度日趨完備,大功率化、小型化、輕量化、多功能化、綠色化以及低成本化不可避免地成為新型電子元器件的發(fā)展方向.集成電路是現(xiàn)代電子技術(shù)發(fā)展成果的結(jié)晶,主要包括厚膜混合集成電路、薄膜混合集成電路與半導(dǎo)體集成電路.其各有優(yōu)勢(shì):半導(dǎo)體集成電路在數(shù)字電路方面獨(dú)占鰲頭、適合大批量生產(chǎn);薄膜混合集成電路在微波、高頻電路方面優(yōu)勢(shì)明顯;而厚膜混合集成電路則在高溫、高壓、大功率電路方面有其不可替代性.
所謂厚膜混合集成電路,簡(jiǎn)稱厚膜電路或厚膜混合電路,是指通過絲網(wǎng)印刷、燒成等工序在基片上制作互連導(dǎo)線、電阻、電容、電感等,滿足一定功能要求的電路單元.由于具有體積小、功率大、性能可靠、設(shè)計(jì)靈活、成本低和性價(jià)比高等優(yōu)點(diǎn),厚膜電路適應(yīng)了發(fā)展趨勢(shì)的要求,在混合電路產(chǎn)業(yè)中占據(jù)80%以上的市場(chǎng)份額,日益凸顯統(tǒng)治地位.
厚膜電路作為集成電路的一個(gè)重要分支,隨著厚膜電子材料和厚膜技術(shù)的產(chǎn)生而產(chǎn)生,隨著其發(fā)展而發(fā)展.厚膜電子材料是厚膜電路的物質(zhì)基礎(chǔ),主要包括基片和厚膜電子漿料.基片是厚膜電路的載體,其材料性能對(duì)厚膜電路的質(zhì)量具有重要影響.厚膜電子漿料是厚膜電路的核心和關(guān)鍵,其質(zhì)量的好壞直接關(guān)系到厚膜元件性能的優(yōu)劣.
厚膜電子漿料作為制造厚膜元件的基礎(chǔ)材料,電漿料的分類方法很多.
根據(jù)用途不同,可分為電阻漿料、導(dǎo)體漿料和介質(zhì)漿料三大類.
按所用基片種類不同,可分為陶瓷基片、聚合物基片、玻璃基片和復(fù)合基片電子漿料等.目前陶瓷基片電子漿料應(yīng)用最為普遍,其中Al2O3陶瓷基片電阻漿料發(fā)展最早、技術(shù)成熟、用量最大.AlN基片等新型陶瓷基片電子漿料符合厚膜電路大功率化的發(fā)展要求,應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓展,在陶瓷基片電子漿料中占的比例越來越大.聚合物基片、玻璃基片和復(fù)合基片電子漿料的代表分別為聚酯及聚酰亞胺基片、鈉鈣視窗玻璃基片和被釉金屬絕緣基片電子漿料,均是隨著厚膜電路應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬而發(fā)展起來的新型電子漿料,分別在低、中、高溫下燒成,因其各自的專業(yè)性和不可替代性,市場(chǎng)份額日益擴(kuò)大.
按導(dǎo)電相的價(jià)格高低,可分為貴金屬電子漿料和賤金屬電子漿料.貴金屬電阻漿料具有代表性的體系有鈀-銀電子漿料和釕系電子漿料.賤金屬電子漿料的代表有二硅化鉬電阻漿料.雖然貴金屬漿料具有高穩(wěn)定性和可靠性、高精度和長壽命等突出優(yōu)點(diǎn),在電子技術(shù)中處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位,但降低成本,減少貴金屬的用量,使用賤金屬是電子漿料發(fā)展的方向.
按燒結(jié)制度不同,可分為高溫?zé)Y(jié)電子漿料、中溫?zé)Y(jié)電子漿料和低溫烘干性電子漿料.電阻漿料的燒結(jié)制度對(duì)性能影響極大.燒結(jié)制度的確立,不但與漿料的組成有關(guān),而且與基片的種類關(guān)系重大.高溫?zé)Y(jié)電子漿料燒成溫度一般為850℃左右.中溫?zé)Y(jié)電子漿料的燒成溫度一般在500-700℃的范圍內(nèi).有機(jī)樹脂配制的系列電子漿料屬烘干型電阻漿料,烘干溫度為120-250℃.
按用途不同,可分為通用電子漿料和專用電子漿料.通用電子漿料工藝適應(yīng)性和兼容性好,包括高性能電子漿料和片式電子漿料,廣泛用于高可靠性集成電路、精密分立元器件及片式電阻元件.專用電子漿料主要包括熱敏電阻漿料、浪涌電阻漿料及大功率電子漿料等,分別用于各種熱敏傳感控制元件、浪涌保護(hù)電路和大功率厚膜元件.
三巨電器材料_銀電極漿料說明書.pdf
三巨電子漿料
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