功率封裝。該單芯片解決方案提供了雙正激轉(zhuǎn)?HiperTFS系列器件同時(shí)將高功率雙正激轉(zhuǎn)換器和一個(gè)中等功率反激（待機(jī)）轉(zhuǎn)換器集成到單個(gè)超薄eSIP 換器和反激轉(zhuǎn)換器控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動(dòng)器、所有三個(gè)高壓功率MOSFET，省去了轉(zhuǎn)換器所需的高成本外部脈沖變壓器。該器件非常適合同時(shí)需要最高功 率為414 W的主電源轉(zhuǎn)換器（雙正激）和最高功率為20 W的待機(jī)電源轉(zhuǎn)換器（反激）的高功率應(yīng)用。HiperTFS器件具備Power Integrations的整套標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)功能，例如集成軟啟動(dòng)、故障及過載保護(hù)、遲滯熱關(guān)斷等。HiperTFS采用先進(jìn)的功率封裝技術(shù)，可簡(jiǎn)化雙開關(guān)正 激拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的布板、安裝及散熱管理，同時(shí)在單個(gè)緊湊封裝中具有極高的功率能力。該器件可在寬輸入電壓范圍內(nèi)工作，并且可用于HiperPFS等功率因數(shù)校 正級(jí)之后。

主要優(yōu)勢(shì)

雙管正激主電源和反激待機(jī)電源的單芯片解決方案

集成度高，可縮小電源設(shè)計(jì)的外形尺寸并提高其功率密度

集成了控制、柵極驅(qū)動(dòng)和三個(gè)高壓功率MOSFET

電平位移技術(shù)省去了脈沖變壓器

保護(hù)功能包括：欠壓保護(hù)(UV)、過壓保護(hù)(OV)、過熱保護(hù)(OTP)、過流保護(hù)(OCP)和短路保護(hù)(SCP)

變壓器復(fù)位控制

防止變壓器在任何條件下出現(xiàn)飽和

允許以 >50%的占空比工作

降低初級(jí)側(cè)RMS電流和導(dǎo)通損耗

待機(jī)電源提供內(nèi)置的過載功率補(bǔ)償

采用超薄封裝，總輸出功率最高可達(dá)434 W