輻射30M--50MHZ超,如何解決,求助,有變壓器圖

12V1A電源,EF20變壓器,骨架初級(jí)側(cè)只有4個(gè)PIN 無(wú)法采用三明治繞法,傳導(dǎo)很好,水平輻射也很好,就是垂直輻射在30---50MHZ的地方超了8DB.  用了很多方法如下:
1.  Y電容位置改變
2.  輸出二極管串磁珠
3.  DC線加磁環(huán)
均無(wú)明顯效果.
個(gè)人分析為共模躁聲,請(qǐng)DX們幫忙解決一下,謝謝.

全部回復(fù)(11)

只看樓主

正序查看

倒序查看

hosion

LV.6

2007-03-31 10:21

補(bǔ)充一下變壓器參數(shù):
NP:0.25  /121T
NS:0.55  15T
NB: 0.25  18T

回復(fù)

simon_m

LV.1

2007-04-28 08:05

@hosion

補(bǔ)充一下變壓器參數(shù):NP:0.25 /121TNS:0.55 15TNB:0.25 18T

可以采用三明治繞,我也正遇到這個(gè)問(wèn)題,30~50M之間超出8~10dB, 是否跟初次功率地有很大關(guān)系.

回復(fù)

hjp21cn

LV.5

2007-04-28 11:03

@simon_m

可以采用三明治繞,我也正遇到這個(gè)問(wèn)題,30~50M之間超出8~10dB,是否跟初次功率地有很大關(guān)系.

交流電源地線是不是次級(jí)地連接了?

回復(fù)

yaoyong887223

LV.4

2007-04-28 11:46

EF20D的磁芯,你應(yīng)該還有空間,在每一組繞組間加屏蔽銅皮,成品在加銅皮試一下.NB反饋也對(duì)EMI有影響的.還有在Y電容次級(jí)一腳串磁株.

回復(fù)

二琦

LV.4

2007-04-28 11:47

@hjp21cn

交流電源地線是不是次級(jí)地連接了?

難道不應(yīng)該連接嗎?

回復(fù)

copper

LV.4

2007-04-28 13:22

@yaoyong887223

EF20D的磁芯,你應(yīng)該還有空間,在每一組繞組間加屏蔽銅皮,成品在加銅皮試一下.NB反饋也對(duì)EMI有影響的.還有在Y電容次級(jí)一腳串磁株.

在變壓器最外層加銅皮屏蔽,將銅皮連接到初級(jí)地.銅皮要完全覆蓋氣隙.試試看.

回復(fù)

hosion

LV.6

2007-04-29 14:32

@copper

在變壓器最外層加銅皮屏蔽,將銅皮連接到初級(jí)地.銅皮要完全覆蓋氣隙.試試看.

一個(gè)變壓器加3個(gè)銅皮的方式連試都沒(méi)試過(guò)!試了也白試!這種變壓器太難生產(chǎn)了,公司里不考慮用這種結(jié)構(gòu)的變壓器.
只能在繞法,參數(shù),LAYOUT上想辦法.
對(duì)于30--35MHZ的垂直輻射,最大的原因是MOS管關(guān)斷速度過(guò)快引起的,對(duì)于集成MOS的IC來(lái)說(shuō),還真不知道該如何去解決

回復(fù)

copper

LV.4

2007-04-29 15:12

@hosion

一個(gè)變壓器加3個(gè)銅皮的方式連試都沒(méi)試過(guò)!試了也白試!這種變壓器太難生產(chǎn)了,公司里不考慮用這種結(jié)構(gòu)的變壓器.只能在繞法,參數(shù),LAYOUT上想辦法.對(duì)于30--35MHZ的垂直輻射,最大的原因是MOS管關(guān)斷速度過(guò)快引起的,對(duì)于集成MOS的IC來(lái)說(shuō),還真不知道該如何去解決

改變RCD參數(shù)試試.

回復(fù)