在功率MOSFET與散熱片組裝過(guò)程中，為達(dá)到漏極與散熱器的絕緣目的，半包封的TO-220產(chǎn)品需采用絕緣片+絕緣粒子的方式。這種方式不但增加了材料和人工成本，同時(shí)其成品率與可靠性也難以得到保障，更會(huì)出現(xiàn)產(chǎn)線檢測(cè)時(shí)絕緣可以測(cè)試通過(guò)，而出廠后再出現(xiàn)絕緣失效的現(xiàn)象。

        為解決這一問(wèn)題，前期主要是用TO-220F封裝，但由于其導(dǎo)熱、散熱能力稍差，在很多功率耗散大的場(chǎng)合難以全面推廣。近一年，內(nèi)絕緣型封裝以其自身絕緣能力、較好的導(dǎo)熱（先打個(gè)？）、散熱性能得到了市場(chǎng)的認(rèn)可。但內(nèi)絕緣型封裝由于生產(chǎn)工藝復(fù)雜、框架與背面基板剝離強(qiáng)度差等問(wèn)題。

西安后羿半導(dǎo)體以封裝技術(shù)為突破口，在TO-220F傳統(tǒng)封裝工藝上從結(jié)構(gòu)和材料上進(jìn)行了改進(jìn)，推出的TO-220MF封裝，在保持自身絕緣耐壓的優(yōu)良性能的同時(shí)，使其傳熱能力得到了大幅提高。

        本實(shí)驗(yàn)測(cè)試內(nèi)絕緣型和后羿新型TO-220MF在同等功率耗散下，對(duì)比其導(dǎo)熱和散熱的能力，看看內(nèi)絕緣MOS的導(dǎo)熱能力是否真的很好。

下面還會(huì)用到我們的熱成像測(cè)試儀。

未完，待續(xù)......

可以安排我們實(shí)驗(yàn)室做一個(gè)半包封的對(duì)比.

此貼是 后羿和銳駿的 打架貼么？哈哈哈

可是為什么和infineon扯上關(guān)系？

打架貼？哈哈，我還是挺喜歡看這樣的帖子，真理越辨越明嘛。

不過(guò)建議把對(duì)比競(jìng)爭(zhēng)企業(yè)名字隱藏一部分，這樣有利于帖子繼續(xù)討論下去，省得麻煩吧。