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電感帶抽頭嗎？ 不然升不到這么高哦

你看反了，

MOS管導(dǎo)通時(shí)，其D極電壓為零。

就是，他的占空比很大，而不是很小

很明顯，驅(qū)動(dòng)電壓過低，看了安森美的datasheet，bs107a的極限驅(qū)動(dòng)電壓（1V-3V),考慮參數(shù)差異，以及分布電容的影響，有可能要高于3V，還要考慮你控制器出來的信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力，也就是說考慮上升時(shí)間與下降時(shí)間。至于電壓為什么升到那么高，你可以參考boost輸出開路去考慮。

就是直插式的電感，沒抽頭，很好買的那種

恩，是的，但是關(guān)鍵是我給的pwm信號(hào)占空比是2/3，為什么到mos管這就變成0.95左右了，這是為什么呢

不是，我是想問為什么導(dǎo)通時(shí)間占總周期的0.95以上呢？我看了這個(gè)管子的datasheet，開啟時(shí)間和關(guān)斷時(shí)間大約都是在10ns左右的

拿兩個(gè)探頭，一個(gè)看單片機(jī)的輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)，一個(gè)看MOS管G極的驅(qū)動(dòng)信號(hào)

我給的信號(hào)是3.3v的，實(shí)測(cè)是完全可以使mos管導(dǎo)通的

這個(gè)是pwm信號(hào)（ch1）和mos管d級(jí)電壓信號(hào)（ch2）

你這是4通道的示波器，加多一路看mos管G極的波形，肯定是驅(qū)動(dòng)哪里有問題

pwm信號(hào)就是g級(jí)波形了

把DS之間的測(cè)試用1V/格，占空比應(yīng)該就差不多了。

看樓下，我覺得是mos管的開斷時(shí)間比確實(shí)是2：1，主要是二極管的漏電流造成了反向電壓的形成，但是這個(gè)和boost升壓的原理不一樣，boost升壓的vo：vi=1/（1-d），d是占空比

還要看一下電感電流是否連續(xù)，對(duì)不？

找到原因了，是由你后級(jí)電路引起的，相當(dāng)于boost開路，開關(guān)管關(guān)斷后，再較短的時(shí)間內(nèi)1uF電容充電完成，二極管關(guān)斷，在關(guān)斷過程中開關(guān)管D端的電壓降到0V，這個(gè)降低到0V是怎樣理解呢？為什么不是與輸入相等的5V？應(yīng)該與二極管的恢復(fù)有關(guān)。明天面試，本人愚鈍，先到這里了

是啊，我也是這么想的，電壓不等于5是因?yàn)槎O管的漏電流造成的，關(guān)鍵是這個(gè)和boost升壓的原理對(duì)不上了，boost升壓的vo：vi=1/（1-d），d是占空比

，電容具有隔直作用，你那個(gè)C40相當(dāng)于把boost電路開路了，你得按照開路去想

那也不該是100多v啊，能解釋下或有相關(guān)理論計(jì)算依據(jù)么

鱉說100v ，放電時(shí)間短的話200v都能嘚瑟出來

電感在有電流的情況下，在uS,nS級(jí)別的時(shí)間里面可以看成是理想的，當(dāng)MOSFET關(guān)斷，電感的電流未變，但是電阻值從0變?yōu)镹大，歐姆定律即可得出電壓值。

什么意思？能詳細(xì)解釋下么？在mos管關(guān)斷的時(shí)間里，電感在很短的時(shí)間內(nèi)就放點(diǎn)完畢了，怎么能通過相關(guān)計(jì)算得到升高到的電壓值？

怎么得？N大？我后級(jí)沒接負(fù)載，能計(jì)算下么

你就假設(shè)電流1A,輸出電阻，100歐姆?；蛘唠姼械哪芰哭D(zhuǎn)換成電容能量，1/2I2L=1/2CU2。驗(yàn)證這個(gè)說法，加大電容就可以得出來。