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低壓輸入時開關(guān)管關(guān)斷時電壓往上翹起

附件是MOSFET Vds波形。
低壓輸入90Vac及110VAC輸入時， MOSFET Vds波形（工作于QR模式開關(guān)管關(guān)斷時電壓往上翹起）.
高壓輸入220Vac及264VAC輸入時， MOSFET Vds波形（工作于QR模式開關(guān)管關(guān)斷時電壓比較平）。
在低壓輸入時開關(guān)管關(guān)斷時電壓往上翹起是什么原因？
這個是應(yīng)用在單級PFC恒流輸出應(yīng)用中，工作于QR模式。
謝謝！
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sonny9665
LV.4
2
2015-10-08 16:57

輸入90Vac VDS

輸入220Vac VDS

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2015-10-08 18:03

低壓時候電流大，漏感的能量大，尖峰比較高。

可能吧。

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2015-10-09 09:50
@sonny9665
輸入90VacVDS輸入220VacVDS
已經(jīng)被添加到社區(qū)經(jīng)典圖庫嘍
http://www.zjkrx.cn/bbs/classic/
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2015-10-10 10:34
@sonny9665
輸入90VacVDS輸入220VacVDS

因為單極線路你整流以后的薄膜電容小了。這里電容不能過小，改大會有明顯改善。

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sonny9665
LV.4
6
2015-10-12 15:41
@417zhouge
低壓時候電流大，漏感的能量大，尖峰比較高。可能吧。

薄膜電容加大，90VAC 低壓關(guān)斷后電壓往上斜消除了，是什么原因呢？

難道是輸入電流不行由畸形，把薄膜電容加大讓它平滑些。謝謝

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2015-10-12 17:24
@sonny9665
薄膜電容加大，90VAC低壓關(guān)斷后電壓往上斜消除了，是什么原因呢？難道是輸入電流不行由畸形，把薄膜電容加大讓它平滑些。謝謝

如果有CLC做PFC的MOSFET前的濾波會比較理想。

L和N輸入端有差模電感的話，波形也會好看些。

你的薄膜電容的大小應(yīng)該對應(yīng)了你的PF值有差異。

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sonny9665
LV.4
8
2015-10-13 09:37
@417zhouge
如果有CLC做PFC的MOSFET前的濾波會比較理想。L和N輸入端有差模電感的話，波形也會好看些。你的薄膜電容的大小應(yīng)該對應(yīng)了你的PF值有差異。

7貼，回答得很對，試驗下來確實是這樣的。我覺得低壓輸入時，開關(guān)管關(guān)斷時電壓往上斜，

不會影響電氣特性，沒有什么弊端，是嗎？

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2015-10-13 12:32
@sonny9665
7貼，回答得很對，試驗下來確實是這樣的。我覺得低壓輸入時，開關(guān)管關(guān)斷時電壓往上斜，不會影響電氣特性，沒有什么弊端，是嗎？

是這樣的，MOSFET都關(guān)閉了，電壓變化不是MOSFET能控制的，是輸入電壓，寄生振蕩電壓，或者LC什么的振蕩電壓影響。

電氣特性影響無非就是開關(guān)損耗了，一點(diǎn)點(diǎn)的損耗沒有什么關(guān)系的。

管子的應(yīng)力不超過就可以了。

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sonny9665
LV.4
10
2015-10-13 15:35
@417zhouge
是這樣的，MOSFET都關(guān)閉了，電壓變化不是MOSFET能控制的，是輸入電壓，寄生振蕩電壓，或者LC什么的振蕩電壓影響。電氣特性影響無非就是開關(guān)損耗了，一點(diǎn)點(diǎn)的損耗沒有什么關(guān)系的。管子的應(yīng)力不超過就可以了。
感謝417zhouge 和yingwenself的回答，非常滿意。謝謝
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