圖1
改進(jìn)型H橋驅(qū)動(dòng)，Ud>100V,這種母線電壓較高的電路，我首先想到了用ir2110，手冊(cè)上寫(xiě)的是用來(lái)驅(qū)動(dòng)一個(gè)橋壁，其原理即利用ir2110Vs端作為上mos管的參考零點(diǎn)懸浮電位，上管Hin=1時(shí)，通過(guò)電容C放電，使vg>Vs,上管導(dǎo)通，Lin=1時(shí)，下管導(dǎo)通，此時(shí)電容C通過(guò)電源，下管充電，然后循環(huán)。因?yàn)槭茈娙莩浞烹姇r(shí)間的影響，自舉電路的開(kāi)關(guān)頻率不會(huì)太高，查閱相關(guān)資料一般最高30Khz。
現(xiàn)在我想將ir2110 用來(lái)驅(qū)動(dòng)改進(jìn)型半橋，圖1所示，即T1 用自舉驅(qū)動(dòng)，T2用正常驅(qū)動(dòng)，saber仿真可以，
然后我就按照saber仿真的搭建了實(shí)際電路，結(jié)果今天測(cè)試，高壓側(cè)mos管，不能驅(qū)動(dòng)，分析了一下原因，但是自己不太確定，所以想說(shuō)出來(lái)，讓各位看看對(duì)不對(duì)，
改進(jìn)型半橋，ir2110無(wú)法形成對(duì)電容的充電回路，故因?yàn)樵贛osfet關(guān)斷期間，電路通過(guò)兩個(gè)二極管形成電流回路，但是這個(gè)回路無(wú)法滿(mǎn)足電容C充電的回路下圖黑線部分，所以我理解的是 ir2110不能驅(qū)動(dòng)改進(jìn)型半橋。
那么問(wèn)題來(lái)了，我看了一片博士論文，還有好幾篇碩士論文，都提到了用TLP250做自舉電路，來(lái)驅(qū)動(dòng)，但是我看了TLP250的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，光耦加推挽電路，分析了一下開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)過(guò)程，感覺(jué)和ir2110是一樣的，同樣避不開(kāi)充電回路問(wèn)題，
總結(jié)一下：1 我實(shí)際搭的電路有問(wèn)題，或者設(shè)計(jì)的自舉電容太小了（10uf），其實(shí)這種方法是可行的（明天試試）
2 就是對(duì)充電回路的理解錯(cuò)了，當(dāng)mos管關(guān)斷時(shí)，二極管續(xù)流，此時(shí)可以形成對(duì)C的充電回路
小弟基礎(chǔ)知識(shí)不太扎實(shí)，請(qǐng)各位看一下吧，其中可能有很多幼稚的問(wèn)題，還請(qǐng)見(jiàn)諒，先謝過(guò)了
