擊穿電壓的增加和漂移層摻雜濃度的不斷降低,厚度不斷地增加,使作為電流通路的漂移層電阻升高,超結(jié)mosfet已成大勢(shì)
上面資料中有說(shuō)過(guò)了,可以參考下資料中說(shuō)的那個(gè)圖表,就知道差在哪里了。
超結(jié)MOSFET的特點(diǎn)
1.極低的傳導(dǎo)損耗
2.極大的電流能力
3.極低的柵極電荷Qg
4.低的開(kāi)啟電壓
5.極快的開(kāi)關(guān)速度
6.出色的UIS能力
7.百分百的雪崩能量擊穿測(cè)試
正是由于它的這么多優(yōu)點(diǎn),超結(jié)MOSFET已經(jīng)開(kāi)始被廣大用戶所接受。