MOS管加個(gè)溫度保護(hù)就可以了

MOS管加溫度保護(hù)只是保護(hù)MOS管沒(méi)有被燒壞而已,根本不治標(biāo),對(duì)于大功率無(wú)風(fēng)扇產(chǎn)品用全橋電路比較好

那看你的效率怎樣,散熱方法是如何搞的

那大俠有沒(méi)有好的解決方法,或有全橋的方案,可否發(fā)一份給我

驅(qū)動(dòng)不是很好,T3有飽和的危險(xiǎn),應(yīng)在T3原邊串入2uF左右無(wú)極性電容隔離直流分量,防止T3飽和.
在主Mosfet的GS間并個(gè)10K電阻,防止干擾導(dǎo)致開(kāi)關(guān)管誤動(dòng)作.
注意上下管之間應(yīng)有足夠的死區(qū)時(shí)間且10V25V.
感覺(jué)MUR460出1000W有點(diǎn)小,沒(méi)仔細(xì)計(jì)算.

效率應(yīng)該有90%,應(yīng)該是散熱片小了
還有一種可能是你的驅(qū)動(dòng)不夠,
不要采用MOSFET,選用IGPT管,可以減小MOS內(nèi)部的二極管的損耗

MUR460不是二極管嗎?怎么成的MOS管了...建議樓主仔細(xì)看看自己的驅(qū)動(dòng)波形,看管子的開(kāi)通時(shí)間和關(guān)閉時(shí)間是否夠短,否則會(huì)加重管子的損耗.

不是MUR460是IRFP460,好的,謝謝

為什么會(huì)飽和,那只是個(gè)驅(qū)動(dòng)變壓器,不會(huì)有很大電流把.

你工作時(shí)都沒(méi)測(cè)下關(guān)鍵元件的溫度和開(kāi)關(guān)波形嗎!?整個(gè)電源工作是否穩(wěn)定的,電壓電流波形是否穩(wěn)定的,溫度有沒(méi)有超標(biāo).建議樓主先自己做個(gè)初步的分析.這樣大家才有方向嘛

老兄,工作十分鐘電源就保護(hù)了,這種電源賣(mài)給你要嗎!?

半橋的兩個(gè)IRFP460管子做1000W,太難想象了...管子的功率肯定不夠了....

說(shuō)的好!MOSFET很勉強(qiáng).VDS間應(yīng)考慮加吸收電路.

在你的輸出整流橋后加一個(gè)電感就好了