傳導1M以內(nèi)大部分是差模干擾，可以試著更改一下整流橋之前的X安規(guī)電容容量大小，或者差模電感的感量大小，實際上變壓器內(nèi)也是可以的，如果在不影響驅(qū)動工作的前提下，在變壓器最里層或者是變壓器初次級之間增加一層屏蔽，可將傳導波形的振幅減小。

CDN 30M好像也是壓線了，這里可以增大MOS管的驅(qū)動電阻或者在MOS管的D腳與變壓器的初級之間增加一個貼片磁珠。會有效果。