當(dāng)今的MOSFET 技術(shù)能增強(qiáng) MOSFET 的性能，比如降低傳導(dǎo)開關(guān)損耗同時(shí)晶圓尺寸還能越做越小。

 對(duì)于應(yīng)用工程師，總是會(huì)有疑問：

新的技術(shù) 比如Shielded Gate MOSFET (SGT) 與普通的 溝槽MOSFET ，CoolMOS (超結(jié) MOS) 與平面MOSFET.

新的技術(shù)在相同的Rdson 的情況下晶圓尺寸會(huì)小很多。

那么如何評(píng)估器件的散熱性能和MOSFET的抗沖擊能力呢?

 本介紹討論并從時(shí)間刻度上揭示了新的MOSFET 和老的MOSFET之間的秘密。