全橋電磁加熱，模塊損壞的問題
請教電磁加熱輸出電感采用多個（4-5個）小線圈串聯(lián)，電感量在130作用 ，機器工作30kw,經(jīng)常損壞模塊，不炸，G-C短路報警，在測試后發(fā)現(xiàn)超前臂的那只模塊溫度達到50度，另一只卻只有25度，明顯接電感的那個模塊溫升快，工作不到10分鐘模塊損壞，IGBT（散熱片）溫度達到60度模塊內(nèi)部可能都80度-100度了。拆下檢查G-C擊穿。請教這是什么原因?qū)е履K的電流不一致呢？如果在電感輸出在串入2個電容是可以嗎，圖是隨手話的只是為了說明，參數(shù)不是實際參數(shù)。
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@qilong370
這個問題，很多人都是一頭霧水，沒有遇到過，說不太可能，實際上就出現(xiàn)這樣的問題。并不是什么主回路啊驅(qū)動啊的問題。
所以我還是那句老話，把高三的電學去學學透，基本的理論都在那里。學好就夠用了。
沒有什么高深的學問。關(guān)鍵是你如何活學活用了。
hrrop0765 發(fā)了很多波形圖及計算公式，本來極簡單的事反而復(fù)雜化了。所以我建議他用個變壓器作輸出匹配，做過這個試驗，一切就很簡單。
在此我提醒一下，有了變壓器變換阻抗，它可以把負載阻抗及磁路全部給你匹配好，當然你只會發(fā)現(xiàn)電路阻抗匹配了，更本不會注意到它把磁路耦合也匹配好了。
所以沒有用輸出變壓器的，要做很多試驗來匹配磁路達到最佳耦合，不然的話你做不到最佳。不這樣做，感應(yīng)加熱的熱效率能做到96%以上嗎？
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@igbtsy
所以我還是那句老話，把高三的電學去學學透，基本的理論都在那里。學好就夠用了。沒有什么高深的學問。關(guān)鍵是你如何活學活用了。hrrop0765發(fā)了很多波形圖及計算公式，本來極簡單的事反而復(fù)雜化了。所以我建議他用個變壓器作輸出匹配，做過這個試驗，一切就很簡單。在此我提醒一下，有了變壓器變換阻抗，它可以把負載阻抗及磁路全部給你匹配好，當然你只會發(fā)現(xiàn)電路阻抗匹配了，更本不會注意到它把磁路耦合也匹配好了。所以沒有用輸出變壓器的，要做很多試驗來匹配磁路達到最佳耦合，不然的話你做不到最佳。不這樣做，感應(yīng)加熱的熱效率能做到96%以上嗎？
C1和C2有區(qū)別嗎？
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@meishoukui
C1和C2有區(qū)別嗎？
現(xiàn)在做了那么多實驗 終于明白 模塊老是壞的問題了 ，不光是容性的原因， IGBT的開關(guān)狀態(tài) ，負載的電流和負載特性的變化，都會影響，特別是低頻情況下負載高溫下，輸出特性變化，IGBT電流大。現(xiàn)在換成電流閉環(huán)控制，以輸出電流來控制負載，讓機器隨著負載變化而自己調(diào)整就可以做到不壞模塊 。用移相來鎖定相位，保持在IGBT ZVS狀態(tài)，以降頻率和移相同步控制，保持機器工作在弱感性區(qū)，同時檢測輸出電流，按額定輸出電流120%做保護點，到達保護點程序PWM升頻，并且增大移相角度，減小占空比達到降功的目的，以輸出電流為準 ，可控制機器在負載高溫下持續(xù)工作。負載電流始終保持模塊額定電流。機器小功率工作，當移相腳增大到80%時，報故障代碼，并停機。還有負載槽路要匹配合適。L C的參數(shù)要確定。負載阻抗也要匹配。這是我的體會。
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@qilong370
現(xiàn)在做了那么多實驗終于明白模塊老是壞的問題了，不光是容性的原因，IGBT的開關(guān)狀態(tài)，負載的電流和負載特性的變化，都會影響，特別是低頻情況下負載高溫下，輸出特性變化，IGBT電流大?，F(xiàn)在換成電流閉環(huán)控制，以輸出電流來控制負載，讓機器隨著負載變化而自己調(diào)整就可以做到不壞模塊。用移相來鎖定相位，保持在IGBTZVS狀態(tài)，以降頻率和移相同步控制，保持機器工作在弱感性區(qū)，同時檢測輸出電流，按額定輸出電流120%做保護點，到達保護點程序PWM升頻，并且增大移相角度，減小占空比達到降功的目的，以輸出電流為準，可控制機器在負載高溫下持續(xù)工作。負載電流始終保持模塊額定電流。機器小功率工作，當移相腳增大到80%時，報故障代碼，并停機。還有負載槽路要匹配合適。LC的參數(shù)要確定。負載阻抗也要匹配。這是我的體會。
降頻和移相如何同時控制呀？
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