EMI降低技術(shù)
下面所述的變壓器結(jié)構(gòu)技術(shù)用于降低EMI：
? 使初級繞組作為骨架最里面的繞組。
? 初級繞組的起始端連接至TOPSwitch的漏極。
? 對于使用次級側(cè)穩(wěn)壓的變壓器設(shè)計，將偏置繞組放置在初級和次級繞組之間，作為一個屏蔽層。
其它的EMI/RFI降低技術(shù)包括在初級和次級繞組之間增加屏蔽以及增加用于降低變壓器周圍雜散場的“磁通量抑制帶”。變壓器中位于初級和次級之間的屏蔽層用于降低初級和次級之間的共模噪聲的電容耦合。屏蔽層即可以初級高壓供電端為參考，也可以初級返回端為參考。圖11所示為典型的具有屏蔽層的變壓器結(jié)構(gòu)。最經(jīng)濟(jì)的屏蔽形式為采用導(dǎo)線來繞制屏蔽層。變壓器中增加屏蔽層時采用這種屏蔽方式的步驟非常簡單，只要使一個繞組平鋪至骨架的整個寬度就可以了。屏蔽繞組的一端連接至初級返回端或初級V+供電端，而繞組的另一端懸空，并使用膠帶絕緣，使其埋藏在變壓器內(nèi)部，不要連接至任何引腳上。繞制屏蔽層時所使用的線徑要選擇合適，為減低屏蔽繞組的圈數(shù)，可以使用較大尺寸的導(dǎo)線。而使用相對較小尺寸的導(dǎo)線便于將其端接至變壓器的引腳上。 對于中小尺寸的變壓器，合理的導(dǎo)線線徑為24-27AWG的導(dǎo)線。
在某些情況下，開關(guān)電源變壓器周圍的雜散磁場會對鄰近電路構(gòu)成干擾，進(jìn)而產(chǎn)生EMI問題。為降低此類雜散磁場的影響，在變壓器的外圍可以增加一圈銅制的“磁通屏蔽帶”，如圖12所示。對于變壓器繞組和磁芯形成的磁路以外的雜散磁通來說，“磁通屏蔽帶”的作用 相當(dāng)于對其進(jìn)行短路。雜散磁場會在磁通屏蔽帶內(nèi)產(chǎn)生相反的電流，可以部分地抵消其影響。如有必要，磁通屏蔽帶還可以連接至初級返回端，以降低靜電耦合的 干擾。如果使用了磁通屏蔽帶，必須注意初級引腳通過磁通屏蔽帶至次級引腳之間，要保證足夠的爬電距離。更多信息請參見AN-15中關(guān)于EMI降低技術(shù)的描述。
