好像是說變壓器漏感引起的

現(xiàn)象正常。

說個詳細的。

第一個iD， id交錯時：mosfet電流id從峰值降到0，斜率由原邊漏感決定；副邊二極管電流 iD 從0到峰值，斜率由副邊漏感決定。這兩個過程同時開始，同時結(jié)束。原邊電流下降的同時，最終會charge到mosfet的結(jié)電容Cds和變壓器寄生電容，由漏感和電容組成了震蕩回路。而電容上產(chǎn)生的峰值也就加在mosfet漏極上了。

第二個交錯圖上寫了副邊二極管反向電流，只不過圖簡單了，實際也是震蕩的。但凡有電感電容就肯定有震蕩。

那id降到0時，是不是跟vds一樣，就是說漏感和電容的諧振，兩個都是這樣的原因。

是的。先有電流震蕩，才可以看到電壓震蕩。

這是哪個手冊，發(fā)給我看看？