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BP3319M驅(qū)動(dòng)電阻大會(huì)導(dǎo)致開機(jī)炸機(jī)

做了一個(gè)30W的機(jī)。手上調(diào)試沒問題到客戶手上炸了六個(gè)。都是一開機(jī)就炸。全部沒有短路。 壞的零件都是MOS周圍的。現(xiàn)考慮到是不是驅(qū)動(dòng)電阻用的太大。芯片驅(qū)動(dòng)電壓是25V   25－4等于21V  ， 21除以0.1等于210R （MOS電流100mA) .所以驅(qū)動(dòng)電阻最大是210R . 這樣驅(qū)動(dòng)能力不夠。導(dǎo)致MOS擊穿。不知道這樣對(duì)不對(duì)。DX們是這樣分析的。還是？求解

驅(qū)動(dòng).pdf   

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2014-11-26 14:54
MOS怎么還100mA電流啊，只有ID，MOS是電壓控制的，電流越大越好，不能說是電流越大越好，應(yīng)該是驅(qū)動(dòng)功率越大越好。
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蔣工
LV.3
3
2014-11-29 16:40
@hanboliyan1207
MOS怎么還100mA電流啊，只有ID，MOS是電壓控制的，電流越大越好，不能說是電流越大越好，應(yīng)該是驅(qū)動(dòng)功率越大越好。

那這個(gè)電阻是怎么算的呢？

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2014-12-01 09:50
@蔣工
那這個(gè)電阻是怎么算的呢？

別算了，就直接試就可以，再保證驅(qū)動(dòng)波形沒有震蕩下，阻值越小越好。因?yàn)檫@個(gè)電阻阻值對(duì)驅(qū)動(dòng)的上升沿影響很大，也就是對(duì)效率影響很大。

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2014-12-01 09:56
@蔣工
那這個(gè)電阻是怎么算的呢？
210的阻值是有點(diǎn)大，那樣MOS會(huì)很熱的，散熱不好會(huì)引起炸機(jī)。你最好自己做下老化看看，測(cè)試下MOS的溫度。我這里是半橋，電阻用的都是10歐姆以下的，有4.7的有3.3的。但是太小了電磁干擾不好過。
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蔣工
LV.3
6
2014-12-05 11:20
@hanboliyan1207
210的阻值是有點(diǎn)大，那樣MOS會(huì)很熱的，散熱不好會(huì)引起炸機(jī)。你最好自己做下老化看看，測(cè)試下MOS的溫度。我這里是半橋，電阻用的都是10歐姆以下的，有4.7的有3.3的。但是太小了電磁干擾不好過。
晶豐有一款資料也是用的330R。我都被弄亂了。
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2016-03-14 22:21
你這個(gè)不是BP3319M,3319是SOP-8的，就算把GATE電阻加大也不會(huì)炸，開機(jī)不會(huì)，老化久就不難說了，看你的環(huán)境溫度了
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