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反激式電源(DCM),開通時(shí)的電流尖峰

3844做的一個(gè)反激式電源,在MOSFET開通瞬間,從電流檢測(cè)電阻上看到一個(gè)很大的電流尖峰,這個(gè)尖峰的的上升在驅(qū)動(dòng)信號(hào)上升沿的臺(tái)階(米勒效應(yīng))處達(dá)到最大值,之后又可是下降,在驅(qū)動(dòng)信號(hào)完全升為高電平后,此尖峰結(jié)束.這個(gè)尖峰是怎么產(chǎn)生的呢?大俠們請(qǐng)指教!
另外,3844的3腳電平此時(shí)已經(jīng)高于1V,為什么沒有鎖閉脈沖呢?
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hkbuaa
LV.5
2
2004-11-08 22:12
哪位老大給解解惑!
小弟候著!
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redhair
LV.5
3
2004-11-10 16:54
@hkbuaa
哪位老大給解解惑!小弟候著!
反激不是先電流上升的么?
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hkbuaa
LV.5
4
2004-11-10 20:43
@redhair
反激不是先電流上升的么?
我前面描述了這個(gè)電流尖峰出現(xiàn)的狀況,這個(gè)尖峰出現(xiàn)在電流正常線性上升之前,很ft的東西,比正常電流要大好多倍,這個(gè)東東是怎么出現(xiàn)的?不解中!
高手們請(qǐng)指教!
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sandora
LV.2
5
2004-11-10 21:25
@hkbuaa
我前面描述了這個(gè)電流尖峰出現(xiàn)的狀況,這個(gè)尖峰出現(xiàn)在電流正常線性上升之前,很ft的東西,比正常電流要大好多倍,這個(gè)東東是怎么出現(xiàn)的?不解中!高手們請(qǐng)指教!
會(huì)不會(huì)MOSFET本身的寄生電容所造成的交換損失!(能不能傳個(gè)波形)
3844的3腳電平此時(shí)已經(jīng)高于1V,為什么沒有鎖閉脈沖呢?我也遇過,我猜是
探棒被干擾所產(chǎn)生的誤差(我亂蓋的!)                        小女子稱不上高手只是來湊熱鬧………
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2004-11-10 22:06
這個(gè)尖峰是由于變壓器繞組層間分布電容引起的.可以考慮在繞組的層間繞一層膠布來削弱.
你確定3844的3腳已經(jīng)高于1V了?還是電流采樣電阻上高于1V?3腳和電流采樣電阻間一般接一個(gè)RC濾波就是防止開通尖峰導(dǎo)致鎖閉脈沖的.或者你的3844有前沿消隱功能?
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hkbuaa
LV.5
7
2004-11-10 22:44
@乞力馬扎羅的雪
這個(gè)尖峰是由于變壓器繞組層間分布電容引起的.可以考慮在繞組的層間繞一層膠布來削弱.你確定3844的3腳已經(jīng)高于1V了?還是電流采樣電阻上高于1V?3腳和電流采樣電阻間一般接一個(gè)RC濾波就是防止開通尖峰導(dǎo)致鎖閉脈沖的.或者你的3844有前沿消隱功能?
看到很多地方談到是層間雜散電容引起的,但具體的工作過程是怎么樣的呢?雪板主能否展開講講?
高于1V的電壓我是從三腳上看到的,至于前沿消隱功能我到是真的沒有太注意到,不過我認(rèn)為這么高頻的尖峰,3844是否可以響應(yīng)的過來呢?
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hkbuaa
LV.5
8
2004-11-10 22:45
@sandora
會(huì)不會(huì)MOSFET本身的寄生電容所造成的交換損失!(能不能傳個(gè)波形)3844的3腳電平此時(shí)已經(jīng)高于1V,為什么沒有鎖閉脈沖呢?我也遇過,我猜是探棒被干擾所產(chǎn)生的誤差(我亂蓋的!)                        小女子稱不上高手只是來湊熱鬧………
應(yīng)該不是干擾,三腳上的電壓超出1V比較多.
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hkbuaa
LV.5
9
2004-11-10 22:47
@sandora
會(huì)不會(huì)MOSFET本身的寄生電容所造成的交換損失!(能不能傳個(gè)波形)3844的3腳電平此時(shí)已經(jīng)高于1V,為什么沒有鎖閉脈沖呢?我也遇過,我猜是探棒被干擾所產(chǎn)生的誤差(我亂蓋的!)                        小女子稱不上高手只是來湊熱鬧………
明天傳個(gè)波形上來,抓的波形忘記存了,呵呵,比較土!
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2004-11-10 22:57
@hkbuaa
看到很多地方談到是層間雜散電容引起的,但具體的工作過程是怎么樣的呢?雪板主能否展開講講?高于1V的電壓我是從三腳上看到的,至于前沿消隱功能我到是真的沒有太注意到,不過我認(rèn)為這么高頻的尖峰,3844是否可以響應(yīng)的過來呢?
你可以把雜散電容考慮為一個(gè)并在變壓器初級(jí)兩端的一個(gè)電容.那你想想,MOS開通時(shí)的電流波形會(huì)怎樣?
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sandora
LV.2
11
2004-11-10 23:10
@乞力馬扎羅的雪
你可以把雜散電容考慮為一個(gè)并在變壓器初級(jí)兩端的一個(gè)電容.那你想想,MOS開通時(shí)的電流波形會(huì)怎樣?
您指的是濾波電容充電引起的inrush current嗎?
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2004-11-10 23:14
@sandora
您指的是濾波電容充電引起的inrushcurrent嗎?
NO.
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star_gong
LV.3
13
2004-11-11 09:36
3腳超過1V的時(shí)間是多長(zhǎng)?
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hkbuaa
LV.5
14
2004-11-11 19:16
@乞力馬扎羅的雪
這個(gè)尖峰是由于變壓器繞組層間分布電容引起的.可以考慮在繞組的層間繞一層膠布來削弱.你確定3844的3腳已經(jīng)高于1V了?還是電流采樣電阻上高于1V?3腳和電流采樣電阻間一般接一個(gè)RC濾波就是防止開通尖峰導(dǎo)致鎖閉脈沖的.或者你的3844有前沿消隱功能?
今天抓的波形,1100218433.tif
1通道——Vds,2通道——電流采樣電阻上波形,4通道——驅(qū)動(dòng)信號(hào)
1100218530.tif
1通道——幅邊整流二極管上電壓,2通道——電流采樣電阻上波形.
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hkbuaa
LV.5
15
2004-11-11 20:45
@乞力馬扎羅的雪
你可以把雜散電容考慮為一個(gè)并在變壓器初級(jí)兩端的一個(gè)電容.那你想想,MOS開通時(shí)的電流波形會(huì)怎樣?
板主,我不解的是,在驅(qū)動(dòng)信號(hào)到達(dá)米勒效應(yīng)點(diǎn)之前,這一段時(shí)間電路的工作狀態(tài)是什么樣的,這個(gè)時(shí)間段里面,MOSFET還沒有開通,為什么在這個(gè)過程中電流會(huì)出現(xiàn)那么高的上升?請(qǐng)板主解惑!謝謝
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LV.1
16
2004-11-13 10:41
有沒有電路圖!看波形,感覺是開關(guān)時(shí)的電容放電,可從下面考慮:
1、電路的并在MOS管的電容;
2、變壓器的繞組分布電容;
3、MOS的驅(qū)動(dòng),改變是否有影響(只是個(gè)人看法)
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ccjl
LV.1
17
2004-11-13 14:49
@hkbuaa
今天抓的波形,1100218433.tif1通道——Vds,2通道——電流采樣電阻上波形,4通道——驅(qū)動(dòng)信號(hào)1100218530.tif1通道——幅邊整流二極管上電壓,2通道——電流采樣電阻上波形.
應(yīng)該是mos管高壓保護(hù)電路的問題,可以換一種保護(hù)方式.
可參考TOP系列開關(guān)電源的保護(hù)方式.
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hkbuaa
LV.5
18
2004-11-13 18:52
@
有沒有電路圖!看波形,感覺是開關(guān)時(shí)的電容放電,可從下面考慮:1、電路的并在MOS管的電容;2、變壓器的繞組分布電容;3、MOS的驅(qū)動(dòng),改變是否有影響(只是個(gè)人看法)
第二條最近準(zhǔn)備試一下,其它的都試了,效果不明顯.
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2004-11-14 09:20
@hkbuaa
板主,我不解的是,在驅(qū)動(dòng)信號(hào)到達(dá)米勒效應(yīng)點(diǎn)之前,這一段時(shí)間電路的工作狀態(tài)是什么樣的,這個(gè)時(shí)間段里面,MOSFET還沒有開通,為什么在這個(gè)過程中電流會(huì)出現(xiàn)那么高的上升?請(qǐng)板主解惑!謝謝
這時(shí)候mosfet已經(jīng)開通了,只不過處在放大區(qū)了.這時(shí)候電容放電,電流還是
蠻大的吧.
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zzbzymzm
LV.3
20
2004-11-14 10:43
是米勒效應(yīng),跟用的MOS和你的電路驅(qū)動(dòng)參數(shù)有關(guān),其實(shí)加一個(gè)小的電容后,這個(gè)波形會(huì)被過濾,把波形拉開,會(huì)發(fā)現(xiàn)它是在驅(qū)動(dòng)電壓高于VGS時(shí)才有.
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zzbzymzm
LV.3
21
2004-11-14 10:50
其實(shí)38系列都有一個(gè)消影時(shí)間,并不是高于1V后都會(huì)關(guān)斷,還要看脈沖的寬度及1、2腳的參數(shù).
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hkbuaa
LV.5
22
2004-11-14 22:39
@zzbzymzm
是米勒效應(yīng),跟用的MOS和你的電路驅(qū)動(dòng)參數(shù)有關(guān),其實(shí)加一個(gè)小的電容后,這個(gè)波形會(huì)被過濾,把波形拉開,會(huì)發(fā)現(xiàn)它是在驅(qū)動(dòng)電壓高于VGS時(shí)才有.
“其實(shí)加一個(gè)小的電容后,這個(gè)波形會(huì)被過濾,把波形拉開,會(huì)發(fā)現(xiàn)它是在驅(qū)動(dòng)電壓高于VGS時(shí)才有”
這位大俠,您說的小電容加在哪里?驅(qū)動(dòng)電壓高于VGS指的又是什么?大俠請(qǐng)明示,多謝!
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hkbuaa
LV.5
23
2004-11-14 22:45
@zzbzymzm
其實(shí)38系列都有一個(gè)消影時(shí)間,并不是高于1V后都會(huì)關(guān)斷,還要看脈沖的寬度及1、2腳的參數(shù).
從3844datesheet里面看不出跟1、2腳有什么關(guān)系啊?
1
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zzbzymzm
LV.3
24
2004-11-15 07:12
@hkbuaa
從3844datesheet里面看不出跟1、2腳有什么關(guān)系啊?
如果電源的脈沖寬度小于250NS時(shí)電源不會(huì)關(guān)斷.這里的Vgs我是說的MOS的開門電壓(2-3V),在于這個(gè)電壓MOS才會(huì)開通的,在3腳加個(gè)470P的電容就可以啦!
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hkbuaa
LV.5
25
2004-11-15 13:00
@zzbzymzm
如果電源的脈沖寬度小于250NS時(shí)電源不會(huì)關(guān)斷.這里的Vgs我是說的MOS的開門電壓(2-3V),在于這個(gè)電壓MOS才會(huì)開通的,在3腳加個(gè)470P的電容就可以啦!
老大,250ns的數(shù)據(jù)datesheet上沒有看到啊!您是從哪里查到這個(gè)數(shù)據(jù)的?
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hkbuaa
LV.5
26
2004-11-15 13:03
@zzbzymzm
如果電源的脈沖寬度小于250NS時(shí)電源不會(huì)關(guān)斷.這里的Vgs我是說的MOS的開門電壓(2-3V),在于這個(gè)電壓MOS才會(huì)開通的,在3腳加個(gè)470P的電容就可以啦!
我在前面發(fā)的波形圖里面看到的是電流尖峰和驅(qū)動(dòng)信號(hào)是同時(shí)出現(xiàn)的,不知道是不是兩個(gè)探頭讀出的波形會(huì)有一定的相位誤差?
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zzbzymzm
LV.3
27
2004-11-15 13:16
@hkbuaa
我在前面發(fā)的波形圖里面看到的是電流尖峰和驅(qū)動(dòng)信號(hào)是同時(shí)出現(xiàn)的,不知道是不是兩個(gè)探頭讀出的波形會(huì)有一定的相位誤差?
是同時(shí)出現(xiàn)的啦,在驅(qū)動(dòng)的上升沿上,上沖上去后又下來,這個(gè)時(shí)間跟驅(qū)動(dòng)電阻的大小有關(guān)系,這個(gè)不會(huì)影響你的電源正常工作呀.
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zzbzymzm
LV.3
28
2004-11-15 13:18
@hkbuaa
我在前面發(fā)的波形圖里面看到的是電流尖峰和驅(qū)動(dòng)信號(hào)是同時(shí)出現(xiàn)的,不知道是不是兩個(gè)探頭讀出的波形會(huì)有一定的相位誤差?
你的功率有多大?參照下面的圖試一下.1100542711.pdf
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zzbzymzm
LV.3
29
2004-11-15 13:23
@hkbuaa
我在前面發(fā)的波形圖里面看到的是電流尖峰和驅(qū)動(dòng)信號(hào)是同時(shí)出現(xiàn)的,不知道是不是兩個(gè)探頭讀出的波形會(huì)有一定的相位誤差?
老兄呀,搞定沒有?把你的圖紙發(fā)來三,我都其你急死人啦!
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hkbuaa
LV.5
30
2004-11-27 22:41
@zzbzymzm
老兄呀,搞定沒有?把你的圖紙發(fā)來三,我都其你急死人啦!
這個(gè)尖是不影響正常工作,可是看它不爽啊!
驅(qū)動(dòng)電阻調(diào)整了改觀不大,變壓器也重新搞了,上面雪板主說得雜散電容問題解決了,可是也改觀不大,依然困惑中!郁悶!
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hkbuaa
LV.5
31
2004-11-27 22:48
@zzbzymzm
你的功率有多大?參照下面的圖試一下.1100542711.pdf
老大,如果是高壓輸出,輸出整流二極管上吸收的參數(shù)怎么設(shè)計(jì)?整流二極管上的反相電壓很高,這時(shí)候的吸收損耗是不是很大?(高壓輸出用1/2CU2f去估算,損耗相當(dāng)可觀)
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