大家有沒有在MOS管的應(yīng)用中遇到問題的進(jìn)來聊聊。
在MOS管的應(yīng)用中，也許大家都深有體會，其實(shí)在MOS管的各項(xiàng)參數(shù)定義的都是比較理想化的，和實(shí)際應(yīng)用會有比較大的差異，其實(shí)這兩者之間還是有聯(lián)系的，如何用好MOS管，需要我們多MOS管和應(yīng)用都有一定的了解。如果大家在MOS管的應(yīng)用中遇到了什么問題，可以進(jìn)來交流和探討下。
全部回復(fù)(60)
正序查看
倒序查看
@小礦石
鐘工，我這邊有幾個高壓的MOS，ST的1500V3A的管子，壞了以后就是DS短路，拆開也看不清楚是什么地方有問題，您幫忙看看[圖片]
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。
2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。
3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。
4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。
所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
0
回復(fù)
@xzszrs
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
0
回復(fù)
@xzszrs
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
在這個MOS管的漏極和源極都串聯(lián)有保護(hù)器件，正負(fù)熔斷電阻都開顱了
開了幾個MOS現(xiàn)象都是一樣的，確實(shí)是過流，只是被保護(hù)了，故障沒有進(jìn)一步擴(kuò)大
0
回復(fù)
內(nèi)阻越大電流就越小嗎，我看有的管子，比如DTS6400人家接2Desktop.rar0W都不會壞，我接2W就燒了
0
回復(fù)
@xzszrs
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
0
回復(fù)
@xzszrs
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
鐘工，厲害
0
回復(fù)
@xzszrs
MOS管的損傷機(jī)理一般有這么幾種1.過壓損壞，包含柵極過壓，漏極過壓，過壓后往往伴隨過流，如果很短的時間內(nèi)被保護(hù)了就是單純的過壓損壞，此時可以看出源極非打線區(qū)域會有小黑點(diǎn)，顏色可能不是很深。如果過壓后沒有保護(hù)然后進(jìn)入過流損壞，芯片在源極非打線區(qū)域會出現(xiàn)大面積燒黑。2.大電流，如嚴(yán)重過流短路損壞，純粹的過流損壞會在源極的打線區(qū)域產(chǎn)生大量的熱量，會在壓線部位周圍燒黑一大片。3.過熱損壞，如果MOS管不過流也不過壓，只是因?yàn)榻Y(jié)溫過高損壞，如果被保護(hù)了，表面會看不出明顯的燒傷，要是沒有被保護(hù)，會出現(xiàn)2一樣的現(xiàn)象。4.MOS管損傷的機(jī)理都是歸根到底都是熱損壞，局部晶包過熱或整體發(fā)熱，比如過壓，也是耐壓低的晶包先擊穿發(fā)熱損壞慢慢擴(kuò)大。所以MOS管的失效分析還是要根據(jù)具體電路和燒傷現(xiàn)象相結(jié)合才能分析得比較準(zhǔn)確，圖中的MOS從燒傷現(xiàn)象來看，只能說明不是長時間過大電流所致。
精辟！
0
回復(fù)
關(guān)于柵極電容問題求解：
設(shè)計(jì)一塊使用PWM方式的負(fù)載電路，使用單片機(jī)產(chǎn)生30KPWM，用IR2110做驅(qū)動，每通道驅(qū)動一個IRFP4468(見圖1)。使用一段時間各項(xiàng)功能基本正常，溫升也可以接受（平均電流在25A以內(nèi)時，管子表面溫度在55度以內(nèi)，平均電流高于25A，溫度急劇上升）。驅(qū)動GS端波形見圖2
但考慮到IRFP4468國內(nèi)正品價格高不好買，拆機(jī)件品質(zhì)也無法保證，所以選了HY5110W進(jìn)行替換，僅替換管子，其他電路一律不變。
裝上HY5110W后發(fā)現(xiàn)管子溫升較大，后用示波器觀測GS端波形發(fā)現(xiàn)驅(qū)動波形明顯變形，感覺是管子輸入電容過大造成的充放電延時（見圖3），于是拆下管子使用電容表測量G_S電容，實(shí)測約17000pF，居然和手冊上的參數(shù)相符，這些有點(diǎn)蒙了，既然和手冊參數(shù)一致，為什么還會驅(qū)動不起來呢？難道我的表有問題，量的不準(zhǔn)？于是又找出手頭的IRFP250、HY1620W等其他管子進(jìn)行測量，發(fā)現(xiàn)測量值也都和手冊上Ciss標(biāo)稱值相符，那就排除了電容表測量誤差問題，但是測量IRFP4468時卻發(fā)現(xiàn)實(shí)測只有月4000pF，而手冊上標(biāo)的19800pF，為什么實(shí)測結(jié)果會比手冊標(biāo)稱值小那么多，怪不得使用IR2110驅(qū)動時輕輕松松，沒發(fā)現(xiàn)什么問題，而換用HY5110卻很難驅(qū)動。
問題來了，
1.IRFP4468實(shí)測G_S端電容約4000pF正常嗎？有那位大俠了解這個管子的，我現(xiàn)在有點(diǎn)擔(dān)心買到的IRFP4468是否為假貨？
2.如果買到的4468為假貨，那么肯定是奸商用其他型號的管子改的，有那位大俠知道用什么型號的管子改比較好，因?yàn)槲野l(fā)現(xiàn)手頭的4468用在我這個場合確實(shí)沒問題，與其買假的4468還不如穩(wěn)妥點(diǎn)買個和4468相近的其他管子呢（我的電路峰值電流=30V/0.25歐=120A，正常工作電壓30V左右，最高電壓會瞬間達(dá)到80V左右，設(shè)計(jì)的管子平均電流20A，）。
3.如果確定我的4468是假貨，那么真的4468肯定輸入電容比HY5110還大，使用IR2110勢必更難驅(qū)動，那位大俠能推薦一個能驅(qū)動這種級別牛管的驅(qū)動芯片?。?
0
回復(fù)
@dafeiqin
關(guān)于柵極電容問題求解：[圖片] 設(shè)計(jì)一塊使用PWM方式的負(fù)載電路，使用單片機(jī)產(chǎn)生30KPWM，用IR2110做驅(qū)動，每通道驅(qū)動一個IRFP4468(見圖1)。使用一段時間各項(xiàng)功能基本正常，溫升也可以接受（平均電流在25A以內(nèi)時，管子表面溫度在55度以內(nèi)，平均電流高于25A，溫度急劇上升）。驅(qū)動GS端波形見圖2[圖片][圖片] 但考慮到IRFP4468國內(nèi)正品價格高不好買，拆機(jī)件品質(zhì)也無法保證，所以選了HY5110W進(jìn)行替換，僅替換管子，其他電路一律不變。 裝上HY5110W后發(fā)現(xiàn)管子溫升較大，后用示波器觀測GS端波形發(fā)現(xiàn)驅(qū)動波形明顯變形，感覺是管子輸入電容過大造成的充放電延時（見圖3），于是拆下管子使用電容表測量G_S電容，實(shí)測約17000pF，居然和手冊上的參數(shù)相符，這些有點(diǎn)蒙了，既然和手冊參數(shù)一致，為什么還會驅(qū)動不起來呢？難道我的表有問題，量的不準(zhǔn)？于是又找出手頭的IRFP250、HY1620W等其他管子進(jìn)行測量，發(fā)現(xiàn)測量值也都和手冊上Ciss標(biāo)稱值相符，那就排除了電容表測量誤差問題，但是測量IRFP4468時卻發(fā)現(xiàn)實(shí)測只有月4000pF，而手冊上標(biāo)的19800pF，為什么實(shí)測結(jié)果會比手冊標(biāo)稱值小那么多，怪不得使用IR2110驅(qū)動時輕輕松松，沒發(fā)現(xiàn)什么問題，而換用HY5110卻很難驅(qū)動。[圖片][圖片] 問題來了， 1.IRFP4468實(shí)測G_S端電容約4000pF正常嗎？有那位大俠了解這個管子的，我現(xiàn)在有點(diǎn)擔(dān)心買到的IRFP4468是否為假貨？ 2.如果買到的4468為假貨，那么肯定是奸商用其他型號的管子改的，有那位大俠知道用什么型號的管子改比較好，因?yàn)槲野l(fā)現(xiàn)手頭的4468用在我這個場合確實(shí)沒問題，與其買假的4468還不如穩(wěn)妥點(diǎn)買個和4468相近的其他管子呢（我的電路峰值電流=30V/0.25歐=120A，正常工作電壓30V左右，最高電壓會瞬間達(dá)到80V左右，設(shè)計(jì)的管子平均電流20A，）。 3.如果確定我的4468是假貨，那么真的4468肯定輸入電容比HY5110還大，使用IR2110勢必更難驅(qū)動，那位大俠能推薦一個能驅(qū)動這種級別牛管的驅(qū)動芯片??？
你買的4468肯定是假貨，用什么管子冒充的就不知道了，你要是用2110驅(qū)動不了5110你可以換更大電流的驅(qū)動，或者用2110加圖騰擴(kuò)流。
0
回復(fù)
