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關(guān)于BP2832A非隔離降壓型輻射不能通過

大家好,日前采用BP2832A做一款非隔離降壓型的LED驅(qū)動模塊,設(shè)計時要通過EN55015的輻射和傳導(dǎo)標(biāo)準(zhǔn),可是在做輻射時峰值超出了閾值線大概3dBuV/m左右,請大家看看改怎么解決?還有就是在做輻射測試時,LED負(fù)載到底有沒有啥規(guī)定,我就是直接在一大塊鋁基板上焊上50個1W LED燈,沒有加燈罩,不知對輻射結(jié)果有沒有影響?下面我把原理圖和輻射圖貼上,大家?guī)兔纯础1容^急,謝謝了!

非隔離LED過認(rèn)證原理圖1

上面是原理圖,輻射圖如下:

輻射圖我是拍的照片,超過了3M,不好傳,我會放在附件里。BP2832A過認(rèn)證.pdf輻射水平和垂直圖.rar

大家?guī)兔纯矗?

 

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xuliyang
LV.4
2
2014-07-19 13:44
各位大俠看看,該怎么解決?
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2014-07-21 20:28
輸出正負(fù)對地各加103/1KV瓷片電容。
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xuliyang
LV.4
4
2014-07-23 08:57
@yaorenfeng
輸出正負(fù)對地各加103/1KV瓷片電容。

這倒是沒試過,我主要是通過把D1即續(xù)流二極管由原來的ES1J改成RS1M,輻射情況有一些改善,原因可能是由于反向恢復(fù)時間的不同導(dǎo)致的,即ES1J是超快恢復(fù)二極管,最大反向恢復(fù)時間為35nS,RS1M是快恢復(fù)二極管,最大反向恢復(fù)時間為500nS,我覺得RS1M反向回復(fù)時間有點長,下次做輻射試試RS1J,它的反向恢復(fù)時間為250nS,1M和1J的主要區(qū)別就是最大反向耐壓不同,1M是1000V,1J是600V。其次我也在整流橋之后的PI型濾波中的電感感量由1mH改為2-3mH,輸出并上1206的200K電阻,還有并上2.2uF/400V的電解電容,整機(jī)改下來后的輻射圖是這樣的:

大家看看,這張輻射圖可能跟上面的電路圖有不一致,這張是整流橋前加了些濾波元件,不過輻射效果跟這差不多。

不知道為啥同樣的板子,在另一個認(rèn)證機(jī)構(gòu)輻射卻過不了?

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2014-09-18 11:00
@xuliyang
這倒是沒試過,我主要是通過把D1即續(xù)流二極管由原來的ES1J改成RS1M,輻射情況有一些改善,原因可能是由于反向恢復(fù)時間的不同導(dǎo)致的,即ES1J是超快恢復(fù)二極管,最大反向恢復(fù)時間為35nS,RS1M是快恢復(fù)二極管,最大反向恢復(fù)時間為500nS,我覺得RS1M反向回復(fù)時間有點長,下次做輻射試試RS1J,它的反向恢復(fù)時間為250nS,1M和1J的主要區(qū)別就是最大反向耐壓不同,1M是1000V,1J是600V。其次我也在整流橋之后的PI型濾波中的電感感量由1mH改為2-3mH,輸出并上1206的200K電阻,還有并上2.2uF/400V的電解電容,整機(jī)改下來后的輻射圖是這樣的:[圖片]大家看看,這張輻射圖可能跟上面的電路圖有不一致,這張是整流橋前加了些濾波元件,不過輻射效果跟這差不多。不知道為啥同樣的板子,在另一個認(rèn)證機(jī)構(gòu)輻射卻過不了?
割地試試。和負(fù)載有關(guān)系,越大則輻射越強(qiáng)。屏蔽T,很多辦法,慢慢試。兄弟。
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635492077
LV.2
6
2014-09-18 22:28
你在LED- 串一個pF級的電容到地、或者在DRAIN 端串個磁珠、或者在續(xù)流二極管的正極穿磁珠。
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