關(guān)于mos被擊穿問題 求救 謝謝
最近做了一款放大器電源,60v輸入,做樣品時(shí)候一切都正常,可是批量生產(chǎn)是在初步測(cè)試時(shí),發(fā)現(xiàn)有10%多的不良率都是因?yàn)閙os管irf640擊穿導(dǎo)致 然后燒保險(xiǎn), 而且大多數(shù)擊穿的640的GDS三只腳全部穿掉,有少數(shù)高壓DS是好的,可是GS被擊穿掉了3842的芯片我的驅(qū)動(dòng)電壓只有16v很穩(wěn)定的 并且重新?lián)Q了一個(gè)640的管子 電源就好了 而且是全部都好了回頭第二天測(cè)試時(shí)候又有幾臺(tái)燒掉了 換過又好了 640是200v的mos 我最高峰值電壓只有180 老化發(fā)現(xiàn)不了問題 只有測(cè)試剛開機(jī)時(shí)出現(xiàn)的問題 ,電源啟動(dòng)后 一切都正常,請(qǐng)問各位高手們 幫幫小弟吧
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