共基拓?fù)淦鋵嵅⒎切迈r事物，

集成電路的「電壓擴展」就是這樣用的。

擴壓與幫流

共射（或共集）的驅(qū)動，永遠做不出共基的速度，

看過 [u]何希才[/u] 大師的一本書，他那套 GTR 驅(qū)動電路 比普通收音機的電路還復(fù)雜，用的電壓竟是 64V，電流輸出的能力比GTR的 Ic 還大，我就覺得，如斯強大的功率，拿來甭作任何加工直驅(qū)射極也綽綽有余了吧？!

大家會否覺得，共基拓?fù)洳皇菓?yīng)該 沒有任何東西在基極 才對的嗎？ 

我也這樣想，但是，開關(guān)是需要一些過驅(qū)動的，在基極設(shè)置小值電阻，可能是作為防止 振鈴及嚴(yán)重過驅(qū) 之用，那 二極管 的作用，則可能是減小 射極斷路 時的基極『接地』阻抗吧。

共基拓?fù)淦鋵嵅⒉桓呱钅獪y，

作為放大器，射極是受控端，訊號源的負(fù)載相當(dāng)于大功率二極管，

有些初階（比入門進了一步）書刊說共基電路是個恒流「源」，是的，集極本來就具備恒流特性，共基偏置讓此特性最大強化，

共基拓?fù)涑撕懔鳎鋵嵾€可充當(dāng)『電子濾波器』，帶負(fù)載的是射極，當(dāng)輸入輸出壓差太大時，在集極插入電阻可分擔(dān)管子功耗，對射極狀況幾乎沒有影響（因管子是不飽和的），

『電子濾波器』所帶的如果是擾動性負(fù)載，就會變得像個共基組態(tài)的放大電路，跟負(fù)載相同的擾動會出現(xiàn)于整個電網(wǎng)。

共基拓?fù)?，其實一點也不 神秘奧妙，看這圖，

上一排是接 電源地（電源、訊號、負(fù)載 接的都是電氣地）的，下一行是「交流地」制式，可以見到，演繹三種組態(tài) 只需擺弄 接地、訊號與負(fù)載 三者的位置，根本就不用改變系統(tǒng)架構(gòu)。

共基組態(tài)沒有電流增益，在一眾有源器件中，BJT 的輸入行程是最短的（一伏不到），但如果單管電流真能達到千安級，那么你的驅(qū)動也要千安級的（這已經(jīng)是一個電鍍槽的規(guī)模了?。?，

如果驅(qū)動者是有源器件，那就勢必運行于鉗位狀態(tài)，管耗嚴(yán)重（且浪費能源），除非主力管的基極能落到地電位，則驅(qū)動者將可得到既永久且無需「諧振」條件的ZVS，米勒效應(yīng)是抹不掉的，但在ZVS環(huán)境下就作不了惡了。

欲給開關(guān)管設(shè)置 ZVS，就要并聯(lián)電容，

管子的開關(guān)工況雖然柔化了，但開關(guān)瞬間的過驅(qū)動還是省不掉的，

基極電位的突然飚升 有可能導(dǎo)致真正的集電結(jié)正偏（接收機的猝發(fā)強訊號阻塞故障之成因），而共基拓?fù)涞尿?qū)動是射極下拉，集極電位不會像基極飚升那樣的突然陷落，集電結(jié)真正正偏的情況應(yīng)該較為輕微甚至不發(fā)生。

三極管，尤其是BJT，有一個叫做 “特征頻率” 的參數(shù) fT，共射組態(tài)到了此頻率，管子的放大倍數(shù)已跌至 1，

這頻率介乎 fα 與 fβ 之間，這意味著 fα與fβ 成了無法跨越的鴻溝，驅(qū)動再強，管子也無能為力，所以我說了 “永遠” 這兩個字。

共射組態(tài)受制于 fβ，共基拓?fù)涞念l限在 fα，

把 PNP和NPN 兩個BJT 以可控硅接法建造于芯片中，只能叫做 集成電路，PNPN架構(gòu) 才是真正的元件（可控硅、IGBT），同一道理， “IMHT” 是元件的名稱，既然是個元件，芯片建造時就應(yīng)該把cascode拓?fù)滢D(zhuǎn)化為PN疊層架構(gòu)才對（這元件也是四層），

還有，共射管的管效實際上可說是零（比純甲模式的 50% 還糟），只有降低共基管的基極電位，才能減小共射管的功耗，以增強型管子擔(dān)當(dāng)共基級，共射管的痛苦是無法解脫的！