今天對(duì)反激電路的MOS管驅(qū)動(dòng)電阻進(jìn)行了小小的試驗(yàn)，跟大家做下分享。

電路示意如下：

其中R1,R2是驅(qū)動(dòng)電阻，當(dāng)PWM為高的時(shí)候，通過R1,R2給柵極充電；當(dāng)PWM為低時(shí)，柵極通過二極管和R1放電。

現(xiàn)象：當(dāng)R1=100Ω，R2=47Ω時(shí)，MOS管溫度為132℃，VDSmax=560V；當(dāng)R1=10Ω，R2=10Ω時(shí)，MOS管溫度為81.7℃，VDSmax=600V。

結(jié)論是：減小MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻可以顯著降低MOS管溫升（實(shí)驗(yàn)中降低了約50℃?。菚?huì)使MOS管漏源極電壓增大一些。所以MOS管驅(qū)動(dòng)電阻的選擇應(yīng)該是效率（熱應(yīng)力）與VDS（電壓應(yīng)力）折衷的結(jié)果。

下面是實(shí)際的波形，供參考。

（1）R1=100Ω，R2=47Ω

（2）、R1=10Ω，R2=10Ω

PS：注意兩個(gè)波形MOS管關(guān)斷時(shí)下降時(shí)間的顯著變化（測(cè)試的時(shí)候沒設(shè)置好，豎向光標(biāo)顯示為頻率了，不過仍然可以看出來變化）

最后，歡迎大家一起來討論~