為了回答上面的幾個(gè)問(wèn)題,首先有必要講一下單級(jí)PFC的基本原理。臨界模式的單級(jí)PFC最早應(yīng)該是由L6562這顆PFC控制芯片改進(jìn)得來(lái)的,先給出一個(gè)框圖描述L6562用于單級(jí)PFC的基本結(jié)構(gòu)和外圍電路,定性分析工作原理。
先撇開(kāi)PFC部分的功能,這個(gè)框圖和普通的定頻峰值電流控制模式反激式電路的區(qū)別在于沒(méi)有固定的時(shí)鐘信號(hào),開(kāi)關(guān)管開(kāi)啟,初級(jí)電感電流上升到Rs上壓降達(dá)到乘法器輸出電壓時(shí),RS觸發(fā)器翻轉(zhuǎn),開(kāi)關(guān)管關(guān)斷。對(duì)于定頻PWM控制IC,開(kāi)關(guān)管的導(dǎo)通受固定頻率時(shí)鐘信號(hào)控制,而L6562則會(huì)一直等到磁芯完成退磁,ZCD檢測(cè)到輔助繞組電壓回落到Vref-2時(shí)才重新開(kāi)啟開(kāi)關(guān)管,因此電路被強(qiáng)制工作在臨界模式下。
再來(lái)看PFC功能。乘法器的輸入分別來(lái)自誤差放大器的輸出和整流后饅頭狀正弦半波的分壓,因此乘法器輸出也是饅頭狀正弦半波,那么最終初級(jí)電感電流峰值也就跟隨饅頭狀正弦半波,下面這個(gè)圖可以說(shuō)明問(wèn)題。
這個(gè)圖中可以得到很多信息,首先是,跟隨線(xiàn)電壓半波的是初級(jí)電感峰值電流,而輸入平均電流和初級(jí)電感峰值電流的關(guān)系為Iin-avg=Ipk*D/2,由于D是一個(gè)隨線(xiàn)電壓瞬時(shí)值升高而降低的變量,因此輸入電感的平均電流較標(biāo)準(zhǔn)正弦半波而言要更加扁,功率因素不可能達(dá)到理想的1。那么怎樣提高功率因素呢?
我們?cè)倏?,反激式電路中D的表達(dá)式為:D=Vor/(Vor+Vin),Vor是反射電壓,Vin是輸入電壓。單級(jí)PFC中,Vor=n*(Vo+Vd)基本可認(rèn)為是不變的,而Vin是隨著線(xiàn)電壓相角變化的,為了提高PF,必須減弱D隨線(xiàn)電壓變化的程度,那唯一的辦法就是增大Vor,當(dāng)Vor大到一定程度時(shí),Vin從零變化到線(xiàn)電壓峰值,D基本可認(rèn)為不變了,那么功率因素就近似為1了。
通過(guò)以上的分析,應(yīng)該已經(jīng)完全解釋了帖子開(kāi)始提出的問(wèn)題2。在工程設(shè)計(jì)中,對(duì)于全電壓情況下,通常的設(shè)計(jì)使得110V下的功率因素可以很容易超過(guò)0.98,但到了265V的時(shí)候,通常只有0.9左右了,針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,可以說(shuō),基本是沒(méi)有辦法的,進(jìn)一步提高匝比,或者說(shuō)是反射電壓,肯定可以進(jìn)一步改善,但是MOS管的耐壓就要進(jìn)一步提高了,此外,過(guò)高的反射電壓會(huì)導(dǎo)致另一個(gè)問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題就是,當(dāng)反射電壓明顯大于輸入電壓時(shí),變換器如果在斷續(xù)工作模式(包括準(zhǔn)諧振),那么退磁完成進(jìn)入自由振蕩后,MOS管的漏極會(huì)出現(xiàn)負(fù)壓,導(dǎo)致MOS管的體二極管導(dǎo)通,效率顯著降低了。