電源沒有做好

多是 3844 的 Vcc 異常升高了，導(dǎo)致 MOS 的 gate 驅(qū)動電壓升高，然后擊穿并自導(dǎo)通，引起一系列的反應(yīng)

MOS 的 gate 級加一個穩(wěn)壓管到地就OK了

最開始也是這樣認(rèn)為，但多次用示波器查看3844供電側(cè)，電壓為15V,在突變電壓下也沒有波動，g端是有TVS進(jìn)行鉗位的，采用的P6KE18CA。開關(guān)管散熱片溫升也不高27度，變壓器溫升在20度內(nèi)。

奇怪的是有一套機(jī)上的單元板在廠內(nèi)不間斷運(yùn)行達(dá)1月之久，板子運(yùn)到現(xiàn)場后五天壞了二塊板，毛病相同，現(xiàn)懷疑是有較強(qiáng)的空間輻射所至。是用在35KV直掛機(jī)，整機(jī)容量10MW

今天再做EMC試驗發(fā)現(xiàn)將電源板放在EMC注入口，當(dāng)EMC注入干擾（原先在輸入線上注入，現(xiàn)在將注入的盒子打開將電路板放在上面)達(dá)到4000V時，其射干擾在電源的各個回路中產(chǎn)生快到100V的干擾波頻率10M以上，驅(qū)動波形有較大的變化，可惜當(dāng)時存的波形為isf文件，不知道如何打開。

P6KE18CA  是 18V 的 TVS ， TVS 沒有失效？

你可以選試驗一下，用 18V 脈沖波去驅(qū)動 MOS，看一下是不是會損壞 MOS，

另 TVS 是接在 MOS 的 GS 端，還是接在6腳輸出？ 兩者的特點(diǎn)是不同的

沒有失效，是直接接在管子的GE處，管子用的是高壓IGBT（12N300）。18V驅(qū)動沒有問題，在廠內(nèi)已做過各種試驗，從來沒壞過。廠內(nèi)產(chǎn)量是每月4-6000塊，高溫老化24小時。廠內(nèi)損壞率一年中不超過20塊。

現(xiàn)在分析可能是用的IGBT資料上寫的是最好要負(fù)壓關(guān)斷，現(xiàn)在正在做驅(qū)動負(fù)壓電路。但與業(yè)內(nèi)一些同行聊到此事，有說在小功率驅(qū)動時不要負(fù)壓也可以，也有說需要負(fù)壓關(guān)斷更加穩(wěn)定（IGBT在電流波動時如拖尾過長易產(chǎn)生擎住效應(yīng)）。節(jié)后準(zhǔn)備去次現(xiàn)場，看看現(xiàn)場電磁環(huán)境如何。

今天據(jù)現(xiàn)場反回來的消息說，每次壞之前必報過壓，輸入電壓瞬態(tài)沖高200V上下，有一個單元報過3次，最后一次掛了，現(xiàn)不知是真報還是AD受干擾。

問下司令在此種情況下該從哪方面下手！做高壓脈沖群（4級）試驗時如何減小電源所受的干擾。