LED電源輻射30M超標(biāo),求幫助改善
小弟做了個(gè)11W的驅(qū)動(dòng)電源,測試EMC發(fā)現(xiàn)30M地方超標(biāo),請(qǐng)各位DX指點(diǎn)下怎么改善?FL7730 sch.pdf CE-N.pdf RE-H.pdf RE-V.pdf
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@power006
建議:1,RCD的D套磁珠2，MOSD套磁珠3，輸出二極管套磁珠4，調(diào)整變壓器屏蔽層位置，不知道你是銅皮還是繞線屏蔽？ 繞線的話，位置，匝數(shù)，層數(shù)，相位，效果可能不同。5，調(diào)整變壓器繞法。一般情況，初級(jí)越在里層，輻射越小， 為什么？自己思考。6，調(diào)整EMI濾波器共模電感 用分槽的，一般比沒分槽的效果好。7，調(diào)整RCD的參數(shù)，D型號(hào)，C容量，R阻值。D，超快的，快速的，一般的都試試。
對(duì)于，輻射，我認(rèn)為需要 從根源和途徑下手。
根源，漏感，MOS快速關(guān)斷D電壓突變，輸出整流二極管恢復(fù)震蕩
途徑，主要是Y電容 和LF濾波電感。 有時(shí)，調(diào)整下Y電容位置，會(huì)有驚喜。
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@power006
建議:1,RCD的D套磁珠2，MOSD套磁珠3，輸出二極管套磁珠4，調(diào)整變壓器屏蔽層位置，不知道你是銅皮還是繞線屏蔽？ 繞線的話，位置，匝數(shù)，層數(shù)，相位，效果可能不同。5，調(diào)整變壓器繞法。一般情況，初級(jí)越在里層，輻射越小， 為什么？自己思考。6，調(diào)整EMI濾波器共模電感 用分槽的，一般比沒分槽的效果好。7，調(diào)整RCD的參數(shù)，D型號(hào)，C容量，R阻值。D，超快的，快速的，一般的都試試。
你好,power006：
1.RCD 的D是貼片 2.MOS是貼片的 3.輸出的D是貼片 套不了磁珠 4.變壓器采取三明治繞法：1/2NP-NS-Nvcc-1/2NP 內(nèi)屏蔽是線繞的 外屏蔽是銅箔 5.？ 6.PCB定了改不了；
我現(xiàn)在的想法是共模部分的抑制不好，跨接在初級(jí)地和次級(jí)地的Y電容 2.2NF改為3.3NF的
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@YIGUOLONG
你好,power006： 1.RCD的D是貼片 2.MOS是貼片的 3.輸出的D是貼片套不了磁珠 4.變壓器采取三明治繞法：1/2NP-NS-Nvcc-1/2NP 內(nèi)屏蔽是線繞的 外屏蔽是銅箔 5.？ 6.PCB定了改不了； 我現(xiàn)在的想法是共模部分的抑制不好，跨接在初級(jí)地和次級(jí)地的Y電容2.2NF改為3.3NF的
我看你PCB 拉了那么長的線 難怪會(huì)超 這個(gè)回路的輻射量一部分取決于這個(gè)回路的大小 另一部分取決于這個(gè)回路的屏蔽量和產(chǎn)生量。你變壓器結(jié)構(gòu)和PCB結(jié)構(gòu)固定了 那么就想辦法減小這個(gè)回路面積，減小面積的辦法就是 縮短整流后濾波電容到變壓器輸入端和MOS管源極的距離。
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