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為什么越高速的 IC 供電電壓越低

為什么越高速的 IC 供電電壓越低 , 一般地 ，SDRAM 電壓 3.3V ，DDR 電壓為 2.5V ，DDR2 電壓為 1.8V ，DDR3 電壓為 1.5V 等 ，是不是跟其 I/O 驅(qū)動有關(guān)啊 。
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2013-12-25 10:45

和IC的工藝相關(guān)。工作電壓越低，說明IC采用的工藝尺寸小，MOS管的開啟電壓低，寄生參數(shù)小，所以速度就快。

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sinican
LV.8
3
2013-12-25 15:16

與門電路有關(guān)，隨著工藝的發(fā)展，寄生電容就越小，時序就越接近方波，電平就可以越低.

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2013-12-26 11:33
這個和芯片的損耗有關(guān)。
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2013-12-26 13:51
隨著工藝的發(fā)展，同樣的面積也集成等多的晶元，MOS管溝道越來越窄，開通MOS所需的能量越來越小，所需要的電壓就越來越小，信號的速率越來越快。功耗更小，所需能量更小，所需電壓更小，尤其28nm，24nm等更小更精準(zhǔn)的工藝要求。這樣樓主可以理解嗎
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lizlk
LV.10
6
2013-12-26 16:56
@wangzelongyy
隨著工藝的發(fā)展，同樣的面積也集成等多的晶元，MOS管溝道越來越窄，開通MOS所需的能量越來越小，所需要的電壓就越來越小，信號的速率越來越快。功耗更小，所需能量更小，所需電壓更小，尤其28nm，24nm等更小更精準(zhǔn)的工藝要求。這樣樓主可以理解嗎
我們天天用的電腦的CPU就是這樣啊，1.幾V的內(nèi)核電源，可是里面是翻騰倒海的速度、
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sinican
LV.8
7
2013-12-26 20:37
@lizlk
我們天天用的電腦的CPU就是這樣啊，1.幾V的內(nèi)核電源，可是里面是翻騰倒海的速度、

Vcore = 0.8V

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