幫忙解釋下為什么后面的圖比前面的圖MOS溫升高？黃色是驅(qū)動(dòng)電阻前藍(lán)色是驅(qū)動(dòng)電阻后面（MOS的G級(jí)）波形

掉下去了  大家?guī)兔Ψ治鱿?

你的門級(jí)驅(qū)動(dòng)電阻怎么選的，貌似下圖的大些啊。

MOS 的導(dǎo)通與 Qg 是有關(guān)的，你所看到的驅(qū)動(dòng)上升波形實(shí)質(zhì)上也是一個(gè)給 Qg 充電的過程

Qg 充至某點(diǎn)時(shí)， MOS 才會(huì)呈開關(guān)態(tài)，某點(diǎn)以下就處于線性區(qū)；同樣放電也一樣

從驅(qū)動(dòng)波形看， Qg 的充電過程當(dāng)中，后者沒有順暢的提升; 或者說驅(qū)動(dòng)電阻有些大或驅(qū)動(dòng)波形不穩(wěn)

按理講，是不是下圖的MOS交叉耗熱應(yīng)該比上圖小才對？

上圖驅(qū)動(dòng)22歐姆  下圖10歐姆

應(yīng)該把關(guān)斷的波形也抓出來，才能分析；

也許第2個(gè)關(guān)斷時(shí)波形不好

我怎么看 安原理講，驅(qū)動(dòng)陡峭有利于MOS的開通，開關(guān)損耗小，但是我實(shí)測 驅(qū)動(dòng)電阻10的比22的MOS溫升還高，就是不理解為什么

關(guān)斷 10也比22的好  空了我去抓下

下午回來再去抓下 關(guān)斷波形

MOS 的溫升是 開關(guān)損耗 和 導(dǎo)通損耗 的集合

是同時(shí)在變哦   還要繼續(xù)實(shí)驗(yàn)一定要找到原因

看關(guān)斷也是10歐的好，確實(shí)不解；

確定測試條件是一致？

同等條件，用FULKE17B自帶的溫度探頭高溫膠帶包到MOS上測得

查了一下書，要考慮MOSFET的門限電壓。一般而言，如果門限電壓大于2V，那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值小一些可以減小開關(guān)損耗；如果門限電壓小于2V,那么Rdrive-on/Rdrive-off的比值大一些好。

談一談MOSFET的溫升。

1,MOSFET的溫升與損耗相關(guān)，Fet的損耗包括開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗；

2,導(dǎo)通損耗的計(jì)算公式Pcond=Idc*Idc*D*Rds(on)---與門級(jí)驅(qū)動(dòng)沒有什么關(guān)系；

3,所以我們的重點(diǎn)是分析開關(guān)損耗，下面我們看看開關(guān)損耗的計(jì)算公式

A， Psw=1/3*Vds*Idmax*Tcross*Fsw (電阻負(fù)載)

B， Psw=Vds*Idmax*Tcross*Fsw (電感負(fù)載)

從上面的公式，我們可以看出開關(guān)損耗，在Vds,Idmax,Fsw一定的情況下，與電流與電壓的交叉時(shí)間 Tcross關(guān)系很大(也就是門極驅(qū)動(dòng))

C,  基本上Tcross由Fet的柵極充、放電時(shí)間常數(shù)Tg= Rdrive*Cg 和門限電壓Vt來決定---(Cg=Cgs+Cgd,Cg為輸入電容，Rdrive 為驅(qū)動(dòng)電阻)

估計(jì)是開關(guān)速度快會(huì)導(dǎo)致VDS承受更大的尖峰。

如果上VDS波形，可能會(huì)看出點(diǎn)什么來。

mos的溫升與下降時(shí)間關(guān)系較大，看了你這個(gè)下降的時(shí)間兩個(gè)電阻相差不是太大，會(huì)不會(huì)是其他的原因引起的呢？