是的,因?yàn)槔锩娴男酒叫∷懈畹募夹g(shù)含量就比較高,越小切割的標(biāo)準(zhǔn)就比較難以掌握。因此會(huì)比較貴。

不一定的，還要分有源晶振還是無(wú)源晶振。

恩,是的,按照切割工藝來說越小的水晶片工序就越復(fù)雜,工廠的工序繁雜自然價(jià)格就會(huì)貴些,但是價(jià)格的高低也和晶振的本身頻率有關(guān)系.

隨著技術(shù)的發(fā)展，晶振目前也愈加趨向于小型化，晶振越小也代表技術(shù)含量越高，相對(duì)同款其他體積而言，小體積晶振價(jià)格相對(duì)肯定要貴，晶振價(jià)格的決定因素有很多，體積只是其中的一種而已

由于石英晶振的參數(shù)性能限制主要用于頻率控制和頻率選擇電路。

　　1、 生產(chǎn)石英晶振的振動(dòng)模式與頻率關(guān)系：

 　　基頻振動(dòng)模式  1～35MHz

 　　3次泛音 振動(dòng)模式 10～75MHz

 　　5次泛音振動(dòng)模式  50～150MHz

 　　7次泛音振動(dòng)模式  100～200MHz

 　　9次泛音振動(dòng)模式  150～250MHz

　　2、 晶體電阻：對(duì)于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動(dòng)時(shí)其電阻值將比工作在低次振動(dòng)相對(duì)要大。

　　3、 工作溫度范圍與溫度頻差：在提出溫度頻差時(shí)，應(yīng)該考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。假如對(duì)溫度頻差要求很高，同時(shí)滿足空間和功率的情況下，建議考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計(jì)的。

　　4、 負(fù)載電容與頻率牽引：在很多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個(gè)負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時(shí)，則相對(duì)負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/2（C0+CL）。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時(shí)，相對(duì)頻率牽引為：

　　DL1，L2= C1（CL1－CL2）/2（C0+CL1）（C0+CL2）。

　　5、 對(duì)于負(fù)載電容的選擇：晶體工作在基頻時(shí)，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振電路中，在使用負(fù)載電容的地方，我們建議其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

6、 考慮激勵(lì)電平的影響：一般來講，AT切晶體激勵(lì)電平的增大，其頻率變化是正的。激勵(lì)電平過高會(huì)引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵(lì)電平過低時(shí)則會(huì)造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。