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請(qǐng)問各位師傅，24V 升壓到150V 2A，直接一級(jí)boost可以做到嗎？

如題，請(qǐng)問各位師傅，24V 升壓到150V 2A，直接一級(jí)boost可以做到嗎？

還有就是 如果用單管igbt做開關(guān)管，igbt的驅(qū)動(dòng)電壓要不要考慮負(fù)壓關(guān)斷，想驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單一點(diǎn)，直接PWM驅(qū)動(dòng)行不行？

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2013-08-02 17:48

這個(gè)用boost肯定可以，升壓比確實(shí)比較大，驅(qū)動(dòng)要做好，用mos管應(yīng)該就可以了，不需要igbt吧，igbt的話，頻率太低，電感會(huì)很大

更好的辦法是用推挽

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123sky
LV.2
3
2013-08-02 17:54
@rj44444
這個(gè)用boost肯定可以，升壓比確實(shí)比較大，驅(qū)動(dòng)要做好，用mos管應(yīng)該就可以了，不需要igbt吧，igbt的話，頻率太低，電感會(huì)很大更好的辦法是用推挽

可以的，mos管就能做到

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whutheyi
LV.3
4
2013-08-02 18:37
@rj44444
這個(gè)用boost肯定可以，升壓比確實(shí)比較大，驅(qū)動(dòng)要做好，用mos管應(yīng)該就可以了，不需要igbt吧，igbt的話，頻率太低，電感會(huì)很大更好的辦法是用推挽
主要是沒有做過推挽的電源，以前老師說推挽 電流連續(xù)和不連續(xù) 系統(tǒng)的模型不一樣，不好做反饋環(huán)，有這樣的問題嗎？
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zhenxiang
LV.10
5
2013-08-02 22:36
@whutheyi
主要是沒有做過推挽的電源，以前老師說推挽電流連續(xù)和不連續(xù)系統(tǒng)的模型不一樣，不好做反饋環(huán)，有這樣的問題嗎？
不行。升壓比這么高 計(jì)算過要多少的占空比嗎  你用的PWM信號(hào)能給到多大。驅(qū)動(dòng)和MOS的延時(shí)時(shí)間有多少
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123sky
LV.2
6
2013-08-03 09:37
@zhenxiang
不行。升壓比這么高計(jì)算過要多少的占空比嗎 你用的PWM信號(hào)能給到多大。驅(qū)動(dòng)和MOS的延時(shí)時(shí)間有多少

按他要求理論占空比0.84，考慮非線性等因素應(yīng)該要更高一點(diǎn)，如果給的pwm能>0.95，頻率稍低點(diǎn)，一般mos管延時(shí)是ns級(jí)的，還是有希望實(shí)現(xiàn)的吧？

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2013-08-03 10:24
@123sky
按他要求理論占空比0.84，考慮非線性等因素應(yīng)該要更高一點(diǎn)，如果給的pwm能>0.95，頻率稍低點(diǎn)，一般mos管延時(shí)是ns級(jí)的，還是有希望實(shí)現(xiàn)的吧？
這個(gè)升壓比還是沒問題的，頻率取得適當(dāng)就行，不過電感電流很大，到最后電感估計(jì)比推挽變壓器還大
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whutheyi
LV.3
8
2013-08-03 11:24
@123sky
按他要求理論占空比0.84，考慮非線性等因素應(yīng)該要更高一點(diǎn)，如果給的pwm能>0.95，頻率稍低點(diǎn)，一般mos管延時(shí)是ns級(jí)的，還是有希望實(shí)現(xiàn)的吧？

準(zhǔn)備用494做控制IC的，不知道行不行，我也算了一下，這個(gè)占空比確實(shí)有點(diǎn)大


各位大師都覺得推挽好做一點(diǎn)額，如果輸出電壓做成100V到150V可調(diào)的話，電路的反饋有沒有什么問題，用431能不能做到？

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2013-08-03 23:04
@whutheyi
準(zhǔn)備用494做控制IC的，不知道行不行，我也算了一下，這個(gè)占空比確實(shí)有點(diǎn)大各位大師都覺得推挽好做一點(diǎn)額，如果輸出電壓做成100V到150V可調(diào)的話，電路的反饋有沒有什么問題，用431能不能做到？
用494做成不隔離的推挽，就沒必要用431了。
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whutheyi
LV.3
10
2013-08-04 00:03
@ymyangyong
用494做成不隔離的推挽，就沒必要用431了。
恩，正準(zhǔn)備采用這種方式，謝謝首長(zhǎng)
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gamejifan
LV.2
11
2013-08-04 02:18

請(qǐng)問各問首長(zhǎng)，如果我使用兩級(jí)BOOST串聯(lián)，采用一個(gè)IC同時(shí)驅(qū)動(dòng)兩級(jí)的兩個(gè)MOS管，然后第一級(jí)因?yàn)殡娏鞔?，使用小電感不顧及紋波，最后再LC濾波會(huì)有什么不足嗎？

好處在于在大電流處使用了小電感（第一級(jí)BOOST），在小電流時(shí)使用了稍大的電感，總得來說會(huì)不會(huì)磁性材料用得體積更??？


學(xué)生問個(gè)問題。。。望各位解答。

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