請(qǐng)看上面兩個(gè)圖：這是我公司一個(gè)工程師做的PAR38的LED電源，因剛開始公司沒要求能過EMC測(cè)試，所以，能節(jié)省的元件都省了。后來，該工程師離職了，公司要求此電源通過CE認(rèn)證，我拿了一個(gè)樣品測(cè)試EMI，傳導(dǎo)干擾和輻射干擾都大幅超標(biāo)。

于是，我對(duì)此進(jìn)行改進(jìn)，首先改進(jìn)傳導(dǎo)干擾，由于傳導(dǎo)干擾是通過電源線傳播的，所以，在電源輸入端加濾波電感和X電容，因是內(nèi)置式電源，尺寸小，加了2個(gè)1mH的工字電感和一個(gè)0.1UF的X電容，下面2個(gè)圖是改進(jìn)后的測(cè)試結(jié)果：

改進(jìn)效果不太好，通過測(cè)試發(fā)現(xiàn)，它的輸出空載電壓比實(shí)際輸出電壓高出很多，于是，我降低空載電壓，再次測(cè)試，又有所改進(jìn)，請(qǐng)看圖;

到此，再在傳導(dǎo)方面動(dòng)腦筋已沒什么效果，況且空間有限，也不能加太多或太大的元件。這時(shí)輻射還超標(biāo)很多，如果輻射合格了，傳導(dǎo)也會(huì)有所改進(jìn)。所以，我又轉(zhuǎn)而改進(jìn)輻射問題。先將變壓器加上外屏蔽，同時(shí)在輸出端加一個(gè)200UH的磁環(huán)共模電感，再測(cè)試看到，輻射已改進(jìn)了很多。

還未達(dá)到要求，在原邊和副邊之間加一個(gè)102的Y電容，再測(cè)試，已符合要求。

這時(shí)再測(cè)傳導(dǎo)，已有大幅改進(jìn)，但還差一點(diǎn)點(diǎn)，請(qǐng)看下圖：

改進(jìn)到此，已基本符合要求，于是，我重新畫原理圖，將所用的元件都加入進(jìn)去，在輸出整流二極管兩端加上吸收回路，并重新調(diào)整了PCB布局，將原來的雙面板改為單面板，一個(gè)多星期后，打樣的PCB回來，再做了幾個(gè)樣機(jī)測(cè)試，全部達(dá)標(biāo)。

通過這個(gè)實(shí)例可以看出，EMC整改其實(shí)并沒有想象中的那么難，只要弄懂了其原理，找出根源，對(duì)癥下藥，就一定能做出合格的電源。

希望能對(duì)大家有所幫助，同時(shí)也希望能起到拋磚引玉的作用，期待論壇里的高手們也拿出自己的經(jīng)驗(yàn)一起分享，讓我們共同進(jìn)步。

你這個(gè)圖不應(yīng)該算打標(biāo)吧，一般至少要留10DB的余量

太好了，對(duì)我是十分有用，我最近也在搞一個(gè)能過EMC的案子

有一點(diǎn)不明白啊，就是空載電壓高了，也會(huì)影響傳導(dǎo)，為什么？

你測(cè)的時(shí)候應(yīng)該是帶載測(cè)試的，應(yīng)該不是空載電壓來測(cè)試的啊?

為什么你把空載電壓降低了，傳導(dǎo)會(huì)好那么多呢？

關(guān)于這一點(diǎn)，我是這樣理解的：因?yàn)殚_關(guān)電源輸出端整流輸出不是平滑的直流電壓和電流，就算帶載也是有峰值和谷值的，我們用萬用表測(cè)得的只是平均值而已。

和副邊反饋的電源不同，這種PSR模式是原邊反饋的，確切的說是靠輔助繞組，在MOS管關(guān)斷之后，進(jìn)入反激狀態(tài)，輔助繞組首先要給VCC電容充電，開始充電瞬間電流較大，會(huì)使輔助繞組電壓達(dá)不到峰值，通過分壓電阻到FB腳的電壓就相對(duì)偏低，沒起到反饋?zhàn)饔?，這樣，輸出端的峰值電壓就會(huì)高，空載電壓越高，峰值電壓也越高，次級(jí)耦合到初級(jí)的反向電壓也會(huì)越高，對(duì)電源輸入端的擾動(dòng)就越大。降低空載電壓也就降低了峰值電壓，擾動(dòng)自然就小了。

我經(jīng)過實(shí)際測(cè)試，也確實(shí)如此，所以改了之后就好了。

傳導(dǎo)以準(zhǔn)峰值和平均值為準(zhǔn)，你看兩種標(biāo)都在各自的標(biāo)線以下，而且余量很大。

輻射測(cè)試不同，測(cè)試曲線超了就是超了，不看打標(biāo)。

狼先生，你好，這個(gè)是哪家方案??？能否透漏一下

發(fā)現(xiàn)樓主有問必答，RP很好！

這個(gè)看看有益

LZ能不能加下你，本人菜鳥一個(gè)接觸電源沒多久，最近也在整一個(gè)方案的EMC

EMC整改經(jīng)驗(yàn)積累很重要。